【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及显示面板制备方法
[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法。
技术介绍
[0002]随着显示技术的发展,对显示面板分辨率的要求越来越高。为了实现高分辨率,通常采用高精度掩模板(mask)设计如高精度金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM),但是工艺实现上存在技术难度,尤其是分辨率大于800ppi之后,难以实现高精度的张网技术和蒸镀对位技术,并且mask材料成本较高。由此,采用光刻技术来实现显示面板的子像素图案(pattern)化的工艺应运而生。相比FMM技术,使用光刻技术得到的显示面板具有更高的精度和更高的像素开口率。
[0003]然而,使用光刻技术得到的显示面板的出光效率低。
技术实现思路
[0004]本申请提供一种显示面板、显示装置及显示面板制备方法,用于解决现有技术中使用光刻技术得到的显示面板的出光效率低的问题。
[0005]第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括:
[0006]衬底基板;
[0007]在衬底基板上呈阵列排布的多个像素,每个像素包括多个子像素,每个子像素包括层叠设置在衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层;
[0008]位于衬底基板上的像素界定层,像素界定层包括多个像素开口,每个像素开口对应于一个子像素;
[0009]金属隔离柱,设置在像素界定层的远离衬底基板的一侧,且金属隔离柱围绕各个子像素设置,用于隔断相邻子像素的有机发光功能层,每个子像 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板,其特征在于,包括:衬底基板;在所述衬底基板上呈阵列排布的多个像素,每个像素包括多个子像素,每个子像素包括层叠设置在所述衬底基板上的第一电极层、有机发光功能层以及第二电极层;位于所述衬底基板上的像素界定层,所述像素界定层包括多个像素开口,每个像素开口对应于一个所述子像素;金属隔离柱,设置在所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧,且所述金属隔离柱围绕各个所述子像素设置,用于隔断相邻子像素的所述有机发光功能层,每个所述子像素的第二电极层的两端分别搭接在所述金属隔离柱上;所述金属隔离柱的远离所述像素界定层的一侧设置有第三电极层,且所述第三电极层与所述金属隔离柱接触。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第三电极层的厚度范围为(100A,200A)。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层和所述第三电极层的材质相同。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述金属隔离柱包括在所述像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,其中,所述第二电极层的两端分别搭接于所述第一金属层。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极层和所述第三电极层的远离所述衬底基板的一侧设置有第一封装层。6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第三电极层还包括设置于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧的区域;所述第三电极层从位于所述金属隔离柱的远离所述像素界定层的一侧的区域,延伸至所述设置于所述第二电极层远离所述衬底基板的一侧的区域。7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述金属隔离柱包括在所述像素界定层上依次层叠设置的第一金属层、第二金属层以及第三金属层,其中,所述第一金属层的材质与所述第三金属层的材质相同,所述第二电极层搭接于所述第一金属层;所述第二电极层与所述第二金属层间隔设置,所述第三电极层通过所述第二电极层与所述第二金属层之间的间隙,分别与所述第二金属层、所述第三金属层接触。8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述有机发光功能层位于所述像素开口内;或者,所述有机发光功能层的两端从所述像素开口内伸出并分别与所述金属隔离柱搭接。9.一种显示面板制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板的一侧形成多个子像素的第一电极层,并在多个所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧依次层叠像素界定层和金属隔离层;在所述金属隔离层与所述多个子像素中的第一子像素的第一电极层对应的位置形成第一开口,在所述像素界定层的与所述第一子像素的第一电极层对应的位置形成像素开口,所述像素开口露出所述第一子像素的第一电极层的至少部分区域;
在所述第一子像素的第一电极层的远离所述衬底基板的一侧形成第一发光功能层;在所述第一发光功能层的远离衬底基板的一侧,形成所述第一子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧覆盖目标长度的第三电极层,其中,所述第二电极层的两端分别与所述金属隔离层搭接。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,在所述发光功能层的远离衬底基板的一侧形成所述第一子像素的第二电极层以及在所述金属隔离层的远离衬底基板的一侧形成目标长度的第三电极层,包括:...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪瑞,王涛,孙韬,余星星,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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