本发明专利技术公开了一种吸附式晶圆搬运装置和晶圆减薄设备，其中，吸附式晶圆搬运装置包括支撑架体、旋转机构、升降机构、伸缩机构、摆臂和真空吸盘，旋转机构和升降机构位于摆臂的下方，摆臂的一端连接真空吸盘，摆臂还连接伸缩机构以调节真空吸盘的移动距离，所述真空吸盘表面设有至少两处独立的真空吸附区域，不同的真空吸附区域连接不同的真空气路。晶圆减薄设备包括：设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述晶圆减薄设备的前端；磨削模块，用于对所述晶圆进行磨削，所述磨削模块设置在所述晶圆减薄设备的末端，所述磨削模块包括用于承载晶圆的工作台和用于传输晶圆的吸附式晶圆搬运装置。晶圆的吸附式晶圆搬运装置。晶圆的吸附式晶圆搬运装置。
【技术实现步骤摘要】
一种吸附式晶圆搬运装置和晶圆减薄设备
[0001]本专利技术涉及晶圆超精密磨削
，尤其涉及一种吸附式晶圆搬运装置和晶圆减薄设备。
技术介绍
[0002]目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，从而将晶圆减薄至预定的厚度。
[0003]在半导体加工设备中，晶圆搬送机构可以将晶圆在各个工位之间进行传送，传送的稳定性和精度越高，设备的速度就会越快，效率也会越高。
[0004]在晶圆磨削减薄之后，晶圆表面会存在磨削之后的颗粒杂质等污物，需要将晶圆片搬运至清洗单元进行清洗，该搬运机构一般采取吸附式搬运机构，真空吸盘是吸附搬运机构的核心部件，如果吸着不稳定会有晶片掉落和碎片的风险，从而造成设备停机，所以保证吸着盘的高稳定性是至关重要的。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供了一种吸附式晶圆搬运装置和晶圆减薄设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0006]本专利技术实施例的第一方面提供了一种吸附式晶圆搬运装置，包括支撑架体、旋转机构、升降机构、伸缩机构、摆臂和真空吸盘，旋转机构和升降机构位于摆臂的下方，摆臂的一端连接真空吸盘，摆臂还连接伸缩机构以调节真空吸盘的移动距离，所述真空吸盘表面设有至少两处独立的真空吸附区域，不同的真空吸附区域连接不同的真空气路。
[0007]在一个实施例中，所述真空吸盘表面设有至少内外两处真空吸附区域，位于内侧的真空吸附区域呈圆形，位于外侧的真空吸附区域呈环形。
[0008]在一个实施例中，所述位于内侧的真空吸附区域包括多条内部环形凹槽和内部径向凹槽，不同的内部环形凹槽通过内部径向凹槽进行连通。
[0009]在一个实施例中，所述位于内侧的真空吸附区域的半径等于1/3～1/2倍的真空吸盘的半径。
[0010]在一个实施例中，所述位于外侧的真空吸附区域包括多条外部环形凹槽和外部径向凹槽，不同的外部环形凹槽通过外部径向凹槽进行连通。
[0011]在一个实施例中，所述真空吸盘的材质为超疏水材料。
[0012]在一个实施例中，不同的真空吸附区域呈旋转对称分布，同一真空吸附区域的气槽呈中心对称分布。
[0013]在一个实施例中，所述真空吸附区域呈螺旋形间隔排列。
[0014]在一个实施例中，所述真空吸附区域还通过所述真空气路连通供气源和/或供液
源以进行清洗。
[0015]本专利技术实施例的第二方面提供了一种晶圆减薄设备，包括：
[0016]设备前端模块，用于实现晶圆的进出，所述设备前端模块设置在所述晶圆减薄设备的前端；
[0017]磨削模块，用于对所述晶圆进行磨削，所述磨削模块设置在所述晶圆减薄设备的末端，所述磨削模块包括用于承载晶圆的工作台和用于传输晶圆的如上所述的吸附式晶圆搬运装置。
[0018]本专利技术实施例的有益效果包括：吸附式晶圆搬运装置将真空吸盘与晶圆接触面的真空气路分布成至少两处独立的真空吸附区域，每个真空吸附区域单独进气，当其中一路真空发生异常或断气，晶圆也不会发生掉落、碎片事故，能够保证吸着晶圆的稳定性；另外，该吸附式晶圆搬运装置通过控制系统可以给真空吸盘提供真空、压缩空气和水，可以清洗吸入真空吸盘内部的杂质等污物避免磨削屑等污物沉积在真空吸盘的吸着面，可以实现真空吸盘更持久稳定的吸取搬运晶圆。
附图说明
[0019]通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：
[0020]图1示出了本专利技术一实施例提供的晶圆减薄设备；
[0021]图2示出了本专利技术一实施例提供的吸附式晶圆搬运装置；
[0022]图3示出了实施例1中真空吸盘的表面结构；
[0023]图4示出了实施例2中真空吸盘的表面结构；
[0024]图5示出了实施例3中真空吸盘的表面结构。
具体实施方式
[0025]下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本专利技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0026]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0027]为了说明本专利技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0028]在本申请中，晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含义和实际作用等同。
[0029]本公开实施例提供的晶圆减薄设备主要应用于晶圆的背面减薄，这里所说的背面是指晶圆未铺设有器件的一面，一般为衬底，衬底材料可以为硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等。
[0030]图1示出了本专利技术一实施例提供的一种晶圆减薄设备，包括：
[0031]设备前端模块1，用于实现晶圆的进出，设备前端模块1设置在晶圆减薄设备的前端。设备前端模块1是实现将晶圆从外部搬送到设备机台内部的过渡模块，用于实现晶圆进出，以实现晶圆的“干进干出”。
[0032]磨削模块3，用于对晶圆进行磨削，所述磨削包括粗磨削和精磨削，磨削模块3设置在晶圆减薄设备的末端；
[0033]抛光模块2，用于在完成所述磨削之后对晶圆进行化学机械抛光，还具有在此三个模块(设备前端模块1、磨削模块3和抛光模块2)之间传输晶圆的功能，抛光模块2设置在设备前端模块1和磨削模块3之间。
[0034]可以理解的是，图1所示的晶圆减薄设备仅为一种示例，在其他实现方式中也可以去掉抛光模块2，仅保留设备前端模块1和磨削模块3，另外，磨削模块3还可以包括多道磨削，例如3道、4道、5道等。类似这些变形的实施例只要能够实现晶圆的磨削减薄功能均应当落入本申请的保护范围内。
[0035]设备前端模块1：
[0036]设备前端模块1包括晶圆存储单元和第一传输单元。晶圆存储单元设置在晶圆减薄设备的前端一侧，第一传输单元设置在晶圆存储单元和抛光本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种吸附式晶圆搬运装置，其特征在于，包括支撑架体、旋转机构、升降机构、伸缩机构、摆臂和真空吸盘，旋转机构和升降机构位于摆臂的下方，摆臂的一端连接真空吸盘，摆臂还连接伸缩机构以调节真空吸盘的移动距离，所述真空吸盘表面设有至少两处独立的真空吸附区域，不同的真空吸附区域连接不同的真空气路。2.如权利要求1所述的吸附式晶圆搬运装置，其特征在于，所述真空吸盘表面设有至少内外两处真空吸附区域，位于内侧的真空吸附区域呈圆形，位于外侧的真空吸附区域呈环形。3.如权利要求2所述的吸附式晶圆搬运装置，其特征在于，所述位于内侧的真空吸附区域包括多条内部环形凹槽和内部径向凹槽，不同的内部环形凹槽通过内部径向凹槽进行连通。4.如权利要求2所述的吸附式晶圆搬运装置，其特征在于，所述位于内侧的真空吸附区域的半径等于1/3～1/2倍的真空吸盘的半径。5.如权利要求2所述的吸附式晶圆搬运装置，其特征在于，所述位于外侧的真空吸附区域...
【专利技术属性】
技术研发人员：李小娟，马旭，刘远航，赵德文，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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