显示装置及电子设备制造方法及图纸

提供方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。该显示装置包括相邻第一及第二发光器件。第一发光器件包括发光的第一及第二单元、第一中间层、第一层，第一中间层被夹在第二与第一单元之间，第一层被夹在第一中间层与第一单元之间，在第一层中可以检出自旋密度为1

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置及电子设备


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置、电子设备或半导体装置。
[0002]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

技术介绍

[0003]已知有不用精细金属掩模也可以形成发光层的有机EL显示器的制造方法。作为其一个例子，有一种有机EL显示器的制造方法，包括：在形成在绝缘衬底上方的包括第一及第二像素电极的电极阵列的上方沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物的第一发光性有机材料，来形成第一发光层作为设置在包括电极阵列的显示区域整体上的连续膜的工序；不向第一发光层中位于第一像素电极的上方的部分而向第一发光层中位于第二像素电极的上方的部分照射紫外光的工序；在第一发光层上沉积包含主体材料和掺杂剂材料的混合物并与第一发光性有机材料不同的第二发光性有机材料，来形成第二发光层作为设置在显示区域整体上的连续膜的工序；以及在第二发光层的上方形成对置电极的工序(专利文献1)。[先行技术文献][专利文献][0004][专利文献1]日本专利申请公开第2012
‑
160473号公报

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0005]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的显示装置。此外，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖的电子设备。此外，提供一种新颖的显示装置、新颖的电子设备或新颖的半导体装置。
[0006]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外，从说明书、附图、权利要求书等的记载中可明显看出上述目的以外的目的，并可以从说明书、附图、权利要求书等的记载中抽出上述目的以外的目的。解决技术问题的手段
[0007](1)本专利技术的一个方式是一种包括第一发光器件及第二发光器件的显示装置。此外，第二发光器件与第一发光器件相邻。
[0008]第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元、第二单元、第一中间层以及第一层。第一单元被夹在第二电极与第一电极之间，第二单元被夹在第二电极与第一单元之
间，第一中间层被夹在第二单元与第一单元之间，并且第一层被夹在第一中间层与第一单元之间。
[0009]此外，第一单元具有发射第一光的功能，第二单元具有发射第二光的功能。
[0010]第一中间层具有将空穴供应到第二单元的功能，第一中间层具有将电子供应到第一层的功能。
[0011]第一层包含未成对电子，该未成对电子被电子自旋共振波谱仪(ESR)检测出的自旋密度为1
×
10
16
spins/cm3以上且1
×
10
18
spins/cm3以下。此外，第一层包含第一无机化合物及第一有机化合物，第一有机化合物包含非共用电子对，第一有机化合物与第一无机化合物起到相互作用，形成单占据分子轨道。
[0012]第二发光器件包括第三电极、第四电极、第三单元、第四单元、第二中间层以及第二层。第三单元被夹在第四电极与第三电极之间，第四单元被夹在第四电极与第三单元之间，第二中间层被夹在第四单元与第三单元之间，并且第二层被夹在第二中间层与第三单元之间。
[0013]此外，第三单元具有发射第三光的功能，第四单元具有发射第四光的功能。
[0014]第二中间层具有将空穴供应到第四单元的功能，第二中间层具有将电子供应到第二层的功能。
[0015]第二中间层与第一中间层之间有第一间隙，第二层与第一层之间有第二间隙。此外，第二层包含第一无机化合物及第一有机化合物。
[0016](2)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一发光器件包括第三层，该第三层被夹在第一单元与第一电极之间。
[0017]此外，第二发光器件包括第四层，该第四层被夹在第三单元与第三电极之间。此外，第四层与第三层之间有第三间隙。
[0018](3)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第三层的电阻率为1
×
102[Ω
·
cm]以上且1
×
108[Ω
·
cm]以下。
[0019]由此，可以抑制流过第一中间层至第二中间层的电流。此外，可以抑制流过第三层至第四层的电流。此外，可以抑制发生第一发光器件与第二发光器件之间的串扰现象。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。
[0020](4)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述未成对电子的g值在2.003以上且2.004以下的范围。
[0021](5)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中在大气中放置24小时之后上述未成对电子被电子自旋共振波谱仪(ESR)检测出的自旋密度为初始的50％以上。
[0022]由此，可以增加在形成第一层之后可以使用的加工方法的选项。此外，在将第一中间层形成在第一层上之后，例如可以使用光刻法将第一中间层及第一层加工为规定形状。此外，在形成第二单元之后，例如可以使用光刻法将第二单元及第一层加工为规定形状。此外，不用精细金属掩模也可以形成相邻且相隔的第一发光器件和第二发光器件。其结果是，可以提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。
[0023](6)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一有机化合物包含缺电子杂芳环。
[0024](7)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一有机化合物的最低未
占据分子轨道(LUMO)能级在
‑
3.6eV以上且
‑
2.3eV以下的范围。
[0025](8)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一无机化合物包含金属元素及氧。
[0026](9)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一无机化合物包含锂及氧。
[0027]由此，可以抑制发光器件的驱动电压。此外，可以降低功耗。其结果是，提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。
[0028](10)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一中间层包含未成对电子。
[0029](11)此外，本专利技术的一个方式是一种显示装置，其中上述第一中间层包含第二有机化合物及第三有机化合物。
[0030]第二有机化合物包含富电子杂芳环及芳香胺中的至少一个，第二有机化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级在
‑
5.7eV以上且
‑
5.3eV以下的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：第一发光器件；以及第二发光器件，其中，所述第二发光器件与所述第一发光器件相邻，所述第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一单元、第二单元、第一中间层以及第一层，所述第一单元被夹在所述第二电极与所述第一电极之间，所述第二单元被夹在所述第二电极与所述第一单元之间，所述第一中间层被夹在所述第二单元与所述第一单元之间，所述第一层被夹在所述第一中间层与所述第一单元之间，所述第一单元具有发射第一光的功能，所述第二单元具有发射第二光的功能，所述第一中间层具有将空穴供应到所述第二单元的功能，所述第一中间层具有将电子供应到所述第一层的功能，所述第一层包含未成对电子，所述未成对电子被电子自旋共振波谱仪检测出的自旋密度为1
×
10
16
spins/cm3以上且1
×
10
18
spins/cm3以下，所述第一层包含第一无机化合物及第一有机化合物，所述第一有机化合物包含非共用电子对，所述第一有机化合物与所述第一无机化合物起到相互作用，形成单占据分子轨道，所述第二发光器件包括第三电极、第四电极、第三单元、第四单元、第二中间层以及第二层，所述第三单元被夹在所述第四电极与所述第三电极之间，所述第四单元被夹在所述第四电极与所述第三单元之间，所述第二中间层被夹在所述第四单元与所述第三单元之间，所述第二层被夹在所述第二中间层与所述第三单元之间，所述第三单元具有发射第三光的功能，所述第四单元具有发射第四光的功能，所述第二中间层具有将空穴供应到所述第四单元的功能，所述第二中间层具有将电子供应到所述第二层的功能，所述第二中间层与所述第一中间层之间有第一间隙，所述第二层与所述第一层之间有第二间隙，并且，所述第二层包含所述第一无机化合物及所述第一有机化合物。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一发光器件包括第三层，所述第三层被夹在所述第一单元与所述第一电极之间，所述第二发光器件包括第四层，所述第四层被夹在所述第三单元与所述第三电极之间，并且所述第四层与所述第三层之间有第三间隙。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第三层的电阻率为1
×
102Ω
·
cm以上且1
×
108Ω
·
cm以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置，其中所述未成对电子的g值在2.003以上且2.004以下的范围。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中在大气中放置24小时之后所述未成对电子被电子自旋共振波谱仪检测出的自旋密度为初始的50％以上。6.根据权利要求1至5中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大泽信晴，佐佐木俊毅，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：