【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，并且更具体而言， 涉及用于半导体微型制造、电路板如用于液晶显示器和热印刷头的电路板等以及在其它光 学制造工艺中的化学放大型光致抗蚀剂组合物和使用该化学放大型光致抗蚀剂组合物形 成图案的方法。
技术介绍
在半导体的微型制造中，它优选用于形成高分辨图案，并且在化学放大型光致抗 蚀剂组合物中要求高分辨、满意的线边缘粗糙度和没有图案塌陷(collapse)。例如，提出了 一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，所述化学放大型光致抗蚀剂组 合物由以下各项构成由甲基丙烯酸2-乙基-2-金刚烷基酯，甲基丙烯酸3-羟基-1-金刚 烷基酯和α-甲基丙烯酰氧基-Y-丁内酯以50 25 25的摩尔比聚合制备的树脂、由 三苯锍1-((3_羟基金刚烷基)甲氧基羰基)二氟甲磺酸盐构成的酸生成剂、由2，6-二异 丙基苯胺构成的猝灭剂和溶剂(例如，专利文件JP2006-257078-A)。而且，提出了 一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，所述化学放大型光致抗蚀剂组 合物由以下各项构成由下面所述的单体构成的树脂(对于重复单元，40 25 8 2摩 尔％ )、由三苯锍全氟辛烷磺酸盐和...
【技术保护点】
一种化学放大型光致抗蚀剂组合物，其包含： 由式（Ⅰ）表示的酸生成剂（Ａ），和 树脂，所述的树脂包括： 衍生自通过酸的作用而在碱中成为可溶性的单体的结构单元（ｂ１）， 衍生自具有含至少２个羟基的金刚烷基的单体的结构单元（ｂ２），和衍生自具有内酯环的单体的结构单元（ｂ３）， ＊＊＊ （Ⅰ） 其中Ｑ↑［１］和Ｑ↑［２］独立地表示氟原子或Ｃ↓［１］至Ｃ↓［６］全氟烷基； Ｘ↑［１］表示单键或－［ＣＨ↓［２］］↓［ｋ］－，在－［ＣＨ↓［２］］↓［ｋ］－中含有的－ＣＨ↓［２］－可以被－Ｏ－或－ＣＯ代替，并且在－［ＣＨ↓［２］］↓［ｋ］－中含有的氢原子可以被Ｃ↓［１］至Ｃ↓...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：市川幸司，杉原昌子，藤裕介，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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