一种双抗防静电离型膜及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及离型膜技术领域，具体是一种双抗防静电离型膜及其制备工艺，离型膜包括基膜、抗静电层与离型层，基膜1的两面分别设有抗静电层，抗静电层的表面设有耐磨层，至少其中一个耐磨层的表面设置离型层，在制备工艺中，耐磨层采用聚四氟乙烯制成，既可以提供耐磨特性，同时可以提高耐热特性；离型层的采用非硅离型剂，主要成分为丙烯酸酯、聚氨酯、相容剂、催化剂、稳定剂与锚固剂，本发明专利技术的离型膜通过丙烯酸酯与聚氨酯的共混反应生成，具备良好的断裂拉伸性能，并且具备良好的耐水性与耐溶剂性，避免了含硅离型膜存在的硅转移的问题，设有两层抗静电层，可以降低剥离电压，避免对物造成破坏。造成破坏。造成破坏。

【技术实现步骤摘要】
一种双抗防静电离型膜及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及离型膜
，具体是一种双抗防静电离型膜及其制备工艺。

技术介绍

[0002]现在离型膜广泛应用于电子行业，一般会作为手机、平板电脑等电子产品的生产过程的复合模切膜材、柔性电路板的压合或电子封装脱模等，传统的离型膜一般不具有抗静电性能，但是实际的使用过程中，电磁波会对未经屏蔽的敏感性电子元件、电路板、通信设备等产生不同程度的干扰，造成数据失真、通信紊乱，而电磁感应和摩擦产生的静电对各种敏感元件、仪器仪表、某些化工产品等，如因包装薄膜静电积累产生高压放电，造成电子元件的损坏，所以离型膜的抗静电性能也是至关重要的。
[0003]现有的增加离型膜抗静电效果的方式大多是在离型层外部喷涂一层抗静电保护层，技术发展使要求也逐渐提高，需要更高的抗静电能力以防止产生静电斑纹和空气中颗粒尘埃的吸附。
[0004]因此，需要设计一种双抗防静电离型膜。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供的双抗防静电离型膜，设有两个抗静电层，并且所使用的离型剂为非硅离型剂，避免了硅转移的问题。
[0006]为了达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种双抗防静电离型膜，所述离型膜包括基膜、抗静电层与离型层，所述基膜的两面分别设有抗静电层，所述抗静电层的表面设有耐磨层，至少其中一个所述耐磨层的表面设有离型层。
[0007]可选的，在本专利技术一实施例中，所述离型层的采用非硅离型剂，所述非硅离型剂的成分包括丙烯酸酯乳液、聚氨酯、相容剂、催化剂、固化剂与锚固剂，各成分的比例为：丙烯酸酯乳液为80%
‑
85%，聚氨酯4%
‑
5%、相容剂5%
‑
8%、催化剂0.5%
‑
1%、稳定剂2%
‑
3%、锚固剂3%
‑
5%。
[0008]可选的，在本专利技术一实施例中，所述相容剂为乙酸乙酯。
[0009]可选的，在本专利技术一实施例中，所述抗静电层的厚度至少为5μm。
[0010]可选的，在本专利技术一实施例中，所述催化剂为异辛酸锌。
[0011]可选的，在本专利技术一实施例中，所述基膜为PET膜，所述PET膜的厚度至少为10μm。
[0012]可选的，在本专利技术一实施例中，所述抗静电层的成分包括聚噻吩导电液、异丙醇、抗氧化剂、分散剂、消泡剂与成膜助剂，各成分的比例为：聚噻吩导电液为30%
‑
40%，异丙醇20%
‑
30%，抗氧化剂10%
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15%，分散剂5%
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8%，消泡剂10%
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15%，成膜助剂5%
‑
10%。
[0013]可选的，在本专利技术一实施例中，所述耐磨层采用聚四氟乙烯制成，所述耐磨层的厚度至少为10μm。
[0014]可选的，在本专利技术一实施例中，所述离型层的厚度至少为5μm。
[0015]一种双抗防静电离型膜的制备工艺，包括以下步骤：步骤S1，预先准备好基膜、抗静电剂、耐磨层材料以及制备丙烯酸酯乳液；步骤S2，将丙烯酸酯乳液与聚氨酯共混反应，制备离型剂；步骤S3，通过涂布机将抗静电剂在基膜表面进行涂布，固化后，形成抗静电层；步骤S4，通过涂布机将耐磨层材料在抗静电层表面进行涂布，固化后，形成耐磨层；步骤S5，通过涂布机将离型剂在耐磨层表面进行涂布，固化后，形成离型层，获得双抗防静电离型膜。
[0016]本专利技术有益效果本专利技术的一种双抗防静电离型膜，与现有的离型膜相比具备以下优点：离型膜设有双抗静电层，抗静电层为永久性抗静电剂制成，可起到永久性的抗静电，因此，离型膜的有效使用寿命更长，离型层为非硅离型层，避免了含硅离型层会出现硅转移的问题，离型层所采用的材料为丙烯酸酯与聚氨酯共混反应生成，实现两者性能上的互补，具备高剥离强度、耐磨性与环境适应性。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0018]图1为本专利技术的实施例1的双抗防静电离型膜结构示意图；图2为本专利技术的实施例1的双抗防静电离型膜制备工艺流程图；附图标记：基膜1、抗静电层2、耐磨层3、离型层4。
具体实施方式
[0019]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0020]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0021]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0022]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内
部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0023]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0024]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述离型膜包括基膜、抗静电层与离型层，所述基膜的两面分别设有抗静电层，所述抗静电层的表面设有耐磨层，至少其中一个所述耐磨层的表面设有离型层。2.根据权利要求1所述的一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述离型层的采用非硅离型剂，所述非硅离型剂的成分包括丙烯酸酯乳液、聚氨酯、相容剂、催化剂、固化剂与锚固剂，各成分的比例为：丙烯酸酯乳液为80%
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85%，聚氨酯4%
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15%、相容剂5%
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8%、催化剂0.5%
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1%、稳定剂2%
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3%、锚固剂3%
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5%。3.根据权利要求2所述的一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述相容剂为乙酸乙酯。4.根据权利要求1所述的一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述抗静电层的厚度至少为5μm。5.根据权利要求2所述的一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述催化剂为异辛酸锌。6.根据权利要求1所述的一种双抗防静电离型膜，其特征在于，所述基膜为PET膜，所述PET膜的厚度至少为10μm。7.根据权利要求1所述的一种双抗防静电离型膜，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙刚，杨光辉，陈玉平，
申请(专利权)人：惠州市诺曼新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：