本发明专利技术涉及光电器件封装技术领域，提供了一种该电极封装结构和发光模组，该电极封装结构包括封装基座和设置在所述封装基座的设置有发光件的一侧的正面电极；本发明专利技术提供的该电极封装结构适于应用在发光模组的单个封装体中，通过将现有电极封装体背部电极引入到该电极封装结构的上表面，即将正面电极设置在出光面的同一侧，可以实现所述该电极封装结构正面电极识别和正面点亮功能，便于发光模组快速进行失效观察与定位。行失效观察与定位。行失效观察与定位。
【技术实现步骤摘要】
一种电极封装结构和发光模组
[0001]本专利技术涉及光电器件封装
，特别是涉及一种电极封装结构和发光模组。
技术介绍
[0002]当前光电器件封装，尤其大功率可见光或者紫外部分，随着技术的提升，电功率，辐射通量正在逐步提升，被广泛的应用于植物照明等领域。但应用过程中一般很少采用单颗光源独立应用，多为模组应用，以满足对照射强度的要求。图1示出了现有的一种典型发光模组的电路示意图，由于现有的发光模组只有一个总的输入输出端来控制多个电路，因此在发生失效时，无法对模组内具体的失效位置进行定位，只能定位置某一支路存在失效。
[0003]换句话说，现有贴片式封装器件电极都位于封装器件底部，在高密度贴装的同时，一旦发生失效，由于电路设计存在串联或者并联等复杂电路，无法定位至精确的失效部位，因此给检测维修带来不便。
技术实现思路
[0004]本专利技术的一目的是，提供一种电极封装结构和发光模组，该电极封装结构应用在发光模组的单个封装体中，通过将正面电极设置在出光面的一侧，可以实现单个封装体正面电极识别、正面点亮功能，便于发光模组快速进行失效观察与定位。
[0005]本专利技术在一方面提供了一种电极封装结构，包括：
[0006]封装基座，其具有用于安装发光件的上表面和与所述上表面相对的并用于安装热沉的下表面；
[0007]正面电极，其设在所述封装基座的设置有所述发光件的一侧。
[0008]可选地，所述电极封装结构还包括设置在所述封装基座的所述上表面的封装电极和设置在所述封装基座的所述下表面的贴片电极，其中所述封装电极与所述贴片电极通过贯穿所述封装基座的通孔形成电性连接。
[0009]可选地，所述封装电极、所述贴片电极、所述热沉为金属层，厚度为20～100um；所述通孔填充有导电金属；所述封装基座为单层或多层陶瓷结构。
[0010]可选地，所述封装电极包括分别设置在所述封装基座的所述上表面的第一封装电极和第二封装电极，所述贴片电极包括分别设置在所述封装基座的所述下表面的第一贴片电极和第二贴片电极，所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一封装电极通过所述第一通孔与所述第一贴片电极电性连接，所述第二封装电极通过所述第二通孔与所述第二贴片电极电性连接。
[0011]可选地，所述正面电极包括分别设置在所述第一封装电极和所述第二封装电极之上的第一正面电极与第二正面电极，所述第一正面电极和所述第二正面电极的厚度范围均为100～300um；且均小于所述发光件的厚度。
[0012]可选地，所述正面电极包括分别设置在所述封装基座的所述上表面的对角上的第一正面电极与第二正面电极，所述第一正面电极和所述第二正面电极的顶面与所述封装基
座的所述上表面持平或略低于所述封装基座的所述上表面。
[0013]可选地，所述第一正面电极和所述第二正面电极的顶面与所述封装基座的所述上表面之间的间距为0～100um。
[0014]可选地，所述封装基座为多层陶瓷结构，所述电极封装结构还包括用于电连接所述第一正面电极与所述第一贴片电极的第三通孔和用于电连接所述第二正面电极与所述第二贴片电极的第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔均贯通所述多层陶瓷结构。
[0015]可选地，所述封装基座为多层陶瓷结构，且所述多层陶瓷结构的上表面的两侧分别设置有围坝，所述第一封装电极和所述第二封装电极设置在两个所述围坝之间，两个所述围坝分别为第一围坝和第二围坝，所述正面电极包括自所述第一封装电极延伸至所述第一围坝的内侧壁的第一正面电极和自所述第二封装电极延伸至所述第二围坝的内侧壁的第二正面电极。
[0016]可选地，所述正面电极与所述围坝的顶部持平或略低于所述围坝的顶部，所述正面电极的顶面与所述围坝的顶部之间的间距为0～100um。
[0017]可选地，所述封装基座为多层陶瓷结构，且所述多层陶瓷结构的上表面的两侧分别设置有围坝，所述第一封装电极和所述第二封装电极设置在两个所述围坝之间，两个所述围坝分别为第一围坝和第二围坝，所述正面电极包括分别电性连接于所述第一封装电极和所述第二封装电极的第一正面电极和第二正面电极，其中所述第一正面电极和所述第二正面电极均包括自对应的封装电极连通至对应的围坝的底部的连通部和自所述连通部延伸自所述围坝的外侧壁的延伸部。
[0018]可选地，所述连通部的宽度为100um～500um。
[0019]可选地，所述封装基座为金属件，所述金属件由第一绝缘构件分隔形成第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极的顶部设置有第二绝缘构件，所述正面电极包括设置在所述第二绝缘构件上的第一正面电极和第二正面电极。
[0020]可选地，所述第一正面电极和所述第二正面电极的顶面与所述第二绝缘构件的顶面持平或略低于所述第二绝缘构件的顶面，所述第一正面电极和所述第二正面电极的顶面与所述第二绝缘构件的顶面之间的间距为0～100um。
[0021]可选地，所述第一绝缘构件为T型结构，所述第二绝缘构件为绝缘涂层，所述第一绝缘构件和所述第二绝缘构件采用树脂、陶瓷、玻璃纤中的任一种材料制成。
[0022]可选地，所述第一正面电极与所述第二正面电极的形状相同或不同。
[0023]本专利技术在另一方面提供了一种发光模组，包括多个串联或并联连接的所述电极封装结构。
[0024]本专利技术提供的电极封装结构适于应用在发光模组的单个封装体中，通过将现有电极封装体背部电极引入到电极封装结构的上表面，即将正面电极设置在出光面的同一侧，可以实现所述电极封装结构正面电极识别和正面点亮功能，通过在发光模组的单个封装体中增设正面电极，可以在某一支路内进行进一步的筛查，精确定位至失效位置，继而进行相应的维修，有利于提高检修效率。
[0025]通过对随后的描述和附图的理解，本专利技术进一步的目的和优势将得以充分体现。
附图说明
[0026]图1为现有的一种典型发光模组的电路示意图。
[0027]图2为本专利技术的实施例1的电极封装结构的剖视示意图。
[0028]图3为本专利技术的实施例1的电极封装结构的俯视图。
[0029]图4为本专利技术的实施例1的电极封装结构的仰视图。
[0030]图5为本专利技术的实施例2的电极封装结构的剖视示意图。
[0031]图6为本专利技术的实施例2的电极封装结构的俯视图。
[0032]图7为本专利技术的实施例2的电极封装结构的仰视图。
[0033]图8为本专利技术的实施例3的电极封装结构的剖视示意图。
[0034]图9为本专利技术的实施例4的电极封装结构的剖视示意图。
[0035]图10为本专利技术的实施例4的电极封装结构的俯视图。
[0036]图11为本专利技术的实施例4的电极封装结构的仰视图。
[0037]图12为本专利技术的实施例5的电极封装结构的剖视示意图。
[0038]图13为本专利技术的实施例5的电极封装结构的俯视图。
[0039]图14为本专利技术的实施例5的电极封装结构本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电极封装结构，其特征在于，包括：封装基座，其具有用于安装发光件的上表面和与所述上表面相对的并用于安装热沉的下表面；正面电极，其设在所述封装基座的设置有所述发光件的一侧。2.根据权利要求1所述的电极封装结构，其特征在于，还包括设置在所述封装基座的所述上表面的封装电极和设置在所述封装基座的所述下表面的贴片电极，其中所述封装电极与所述贴片电极通过贯穿所述封装基座的通孔形成电性连接；所述封装电极、所述贴片电极、所述热沉为金属层，所述通孔填充有导电金属；所述封装基座为单层或多层陶瓷结构。3.根据权利要求2所述的电极封装结构，其特征在于，所述封装电极包括分别设置在所述封装基座的所述上表面的第一封装电极和第二封装电极，所述贴片电极包括分别设置在所述封装基座的所述下表面的第一贴片电极和第二贴片电极，所述通孔包括第一通孔和第二通孔，所述第一封装电极通过所述第一通孔与所述第一贴片电极电性连接，所述第二封装电极通过所述第二通孔与所述第二贴片电极电性连接；所述第一正面电极与所述第二正面电极的形状相同或不同。4.根据权利要求3所述的电极封装结构，其特征在于，所述正面电极包括分别设置在所述第一封装电极和所述第二封装电极之上的第一正面电极与第二正面电极。5.根据权利要求3所述的电极封装结构，其特征在于，所述正面电极包括分别设置在所述封装基座的所述上表面的对角上的第一正面电极与第二正面电极，所述第一正面电极和所述第二正面电极的顶面与所述封装基座的所述上表面持平或略低于所述封装基座的所述上表面。6.根据权利要求5所述的电极封装结构，其特征在于，所述封装基座为多层陶瓷结构，所述电极封装结构还包括用于电连接所述第一正面电极与所述第一贴片电极的第三通孔和用于电连接所述第二正面电极与所述第二贴片电极的第四通孔，所述第三通孔和所述第四通孔均贯通所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈仁，丁雨腾，李文博，汤乐明，王振伟，张启栓，刘思，曾鹏，朱睿，姚惠方，陈琦森，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，
类型：发明
国别省市：
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