本发明专利技术提供一种光器件。光器件１具备：光检测元件６和光波导基板２，光波导基板２具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部４ａ～４ｃ以及覆盖芯部４ａ～４ｃ的包层部４ｈ的光波导层４，并且在侧面２ａ上具有与光检测元件６光学耦合的芯部４ｃ的端面４ｇ。光波导基板２具有相互的主面３ａ及５ａ相向地配置的基板３及５。光波导层４设置在基板３和基板５之间。光检测元件６设置在光波导基板２的侧面２ａ中的设置区域２ｃ上。设置区域２ｃ设定为包括芯部４ｃ的端面４ｇ、基板３的侧面３ｂ的一部分、以及基板５的侧面５ｂ的一部分。由此，由光器件可以提高发光元件和光检测元件等半导体光元件与光波导管的光耦合效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有半导体光元件及光波导管的光器件。
技术介绍
在光通信领域中，为了对光学纤维等的光传输介质入射信号光，或读取进入光传 输介质中的信号光，可以使用具有在光学纤维中结合有光波导管的光波导基板。例如，在日 本特开平10-293219号公报中记载的光波导耦合器，在石英类基板上有光波导管，在形成 在该光波导管上的多个切割槽内埋设有滤波器或反射镜，在该槽上粘结有光检测元件或发 光元件。 但是，在日本特开平10-293219号公报中记载的光波导耦合器，存在以下问题。 即，在该光波导耦合器中，在通过光检测元件检测在光波导管中波导的光时，通过光波导管 周围的石英类基板(包层部)检测。另外，向光波导管中入射来自发光元件的光时，通过光 波导管周围的石英类基板(包层部)入射。于是，由于光会因光波导管周围的石英类基板 (包层部)而散乱，所以，发光元件或光检测元件和光波导管的光耦合效率(即光的读取效 率和入射效率)会下降。
技术实现思路
本专利技术即鉴于上述问题而完成，目的是提供一种可以提高发光元件和光检测元件 等的半导体光元件和光波导管的光耦合效率的光器件。 为了解决上述课题，根据本专利技术的光器件，其特征在于，具备半导体光元件，以及，具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部、以及覆盖芯部的包层部的光波导层、并 在侧面具有与半导体光元件光学耦合的芯部的端面的光波导基板；光波导基板还具有彼此的主面相向配置的第1和第2基板；光波导层设置在第1基板与第2基板之间；半导体光元 件设置在光波导基板的侧面的设置区域上；设置区域包括芯部的端面、第1基板侧面的一 部分以及第2基板侧面的一部分。 在上述光器件中，用于设置例如光检测元件和发光元件等半导体光元件的设置区 域设置在光波导基板的侧面，并且，设置区域包括成为光波导管的芯部端面及第1和第2基 板的各侧面的一部分。通过该结构，可以在光波导基板的侧面上确保可设置半导体光元件 的空间，同时通过半导体光元件跨过芯部的端面半导体光元件与芯部的端面可以不通过包 层部而光耦合。所以，根据光器件，可以提高半导体光元件和芯部(光波导管)的光耦合效 率。 另外，光器件可以制成设置区域包含在形成在光波导基板的侧面上的凹部底面 上。由此，在形成在光波导基板侧面的凹部上可容易地形成粘结剂层和折射率匹配用的树脂层等。 另外，光器件还可以制成光波导基板的凹部包含在各第1和第2基板中沿主面的 边缘而形成的阶梯部分而构成。这样的阶梯部分，可通过在将第1和第2基板从晶片切出 时，预先形成沿切断线的矩形断面槽而容易地形成。因此，根据该光器件，可以容易地在光 波导基板的侧面形成在底面含设置区域的凹部。 另外，光器件还可以制成，光波导基板在侧面具有显示在沿第1和第2基板主面的 边缘的方向上的端面位置的第l标记。在光波导层中，芯部和包层部二者，有时由对光透明 的材料构成。此时，即使制成芯部的端面从光波导层的侧面露出，也难以目视辨认该端面。 但是，若不能把握芯部端面的正确位置，芯部端面和半导体光元件的相对位置有可能发生 错位。于是，在芯部端面和半导体光元件的相对位置精度低的情况下，该端面与半导体光元 件的光耦合效率被低抑制。然而，根据上述光器件，通过在光波导基板的侧面，设有显示在 沿第1和第2基板主面边缘方向上的端面位置的第1标记，可容易并正确地目视辨认沿该 主面边缘方向的芯部端面的位置，可以位置精度好地安装半导体光元件。于是，根据该光器 件，因为可以提高半导体光元件和芯部端面的相对位置的精度，所以可以进一步提高半导 体光元件和芯部端面的光耦合效率。 另外，光器件还可以制成，第l标记由以达到光波导基板侧面的方式形成在第l基 板主面的槽构成。由此，可将容易形成并可明确目视辨认的第1标记设置在光波导基板的 侧面。 另外，光器件还可以制成，光波导层在侧面有显示层厚方向上的端面位置的第2 标记。由此，可容易并正确地目视辨认层厚方向上的芯部端面的位置，可以位置精度高地安 装半导体光元件。于是，根据该光器件，因为可以提高半导体光元件和芯部端面的相对位置 的精度，所以可以进一步提高半导体光元件和芯部端面的光耦合效率。 另外，光器件还可以制成，第2标记由以含与包层部不同的材料且从包层部的侧 面露出的方式埋入包层部的膜构成。由此，可将可明确目视辨认的第2标记形成在光波导 层的侧面。 另外，光器件还可以制成，光波导基板在设置区域中的第1和第2基板的各个侧面 之间有阶梯。若在这样的设置区域上设置半导体光元件，则通过第1和第2基板的侧面之间 的阶梯，半导体光元件相对从芯部端面射出的被检测光的光轴倾斜。所以，根据该光器件， 在特别使用光检测元件作为半导体光元件时，可使该光检测元件的光检测面相对被检测光 的光轴恰当地倾斜，光检测面的被检测光的反射光可以降低再入射到芯部的菲涅耳反射。 另外，因为由第1和第2基板侧面间的阶梯而在半导体光元件和芯部端面之间产生间隙，所 以可容易地使折射率匹配用树脂流入该间隙。 另外，光器件还可以制成，光波导基板在设置区域中的第1和第2基板的各个侧面 上，进一步具有与半导体光元件电连接的配线图案。由此，可确保半导体光元件的电连接方 式，将半导体光元件直接安装在光波导基板的侧面上。 另外，光器件还可以制成，在光波导基板的侧面和半导体光元件之间，进一步具备 具有与半导体光元件电连接的配线图案的配线基板，配线基板在对应芯部端面的位置有光 通过部。另外，光通过部可以是例如在配线基板上形成的开口 (贯通孔)，也可以是埋入配 线基板的透镜。由此，可将半导体光元件适当地安装在光波导基板的侧面上，同时，可通过设置在配线基板的光通过部而使半导体光元件与芯部的端面适当地光耦合。 另外，光器件还可以制成，光波导基板在第2基板与光波导层之间进一步具有用 于接合第2基板与光波导层的金属层。在制造光波导基板时，例如通过接合形成在第1基 板主面上的光波导层的表面和第2基板主面，可以适当地制造在第1和第2基板间具有光 波导层的光波导基板。此时，通过在光波导层的表面及第2基板主面二者上形成金属膜，并 使这些金属膜相互热压接，可牢固地接合光波导层与第2基板。所以，根据上述光器件，可 以实现光波导层及第2基板相互牢固接合的光波导基板。 另外，本专利技术的光器件，其特征在于，包括n个(n为2以上的整数)半导体光元 件，以及，包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部及覆盖芯部的包层部且在层厚方向 上层积了的n层光波导层、并且在侧面有与各n个半导体光元件光耦合的各光波导层的芯 部端面的光波导基板；光波导基板还具有以与n层光波导层交替的方式在层厚方向层积的 (n+l)片基板；n个半导体光元件，分别设置在光波导基板侧面上的n个设置区域上；n个设 置区域分别包括n层光波导层中对应的光波导层的芯部的端面，以及配置在该光波导层相 邻两侧的基板各侧面的一部分。 在上述光器件中，在光波导基板的侧面设有用于设置n个半导体光元件的n个设 置区域，并且，n个设置区域分别含n层光波导层中对应的光波导层的芯部的端部，和配置 在该光波导层相邻两侧的基板的各侧面的一部分。通过该结构，在光波导基板的侧面上可 确保可设置n个半导体光元件的空间，同时n个半导体光元件分别，通过跨过对应的光波导本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光器件，其特征在于，具备：ｎ个半导体光元件，ｎ为２以上的整数，以及光波导基板，该光波导基板具有包括在与层厚方向交叉的方向上延伸的芯部及覆盖所述芯部的包层部且在所述层厚方向上层积的ｎ层光波导层，并且在侧面上具有与所述ｎ个半导体光元件的各个进行光学耦合的各光波导层的所述芯部的端面；所述光波导基板，还具有与所述ｎ层光波导层交替地在所述层厚方向上层积的（ｎ＋１）块基板；所述ｎ个半导体光元件，分别设置在所述光波导基板的所述侧面上的ｎ个设置区域上；所述ｎ个设置区域的各个，包括所述ｎ层光波导层中对应的所述光波导层的所述芯部的所述端面、以及配置在该光波导层的相邻两侧的各所述基板的侧面的一部分。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：能野隆文，柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。