一种包层型胶体晶体微结构光纤及其制备方法技术

技术编号:3930013 阅读:191 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种包层型胶体晶体微结构光纤,由纤芯、包层和胶体微球层构成,纤芯位于所述包层中心,包层由所述胶体微球层包裹。其制备方法是,由被HF腐蚀粗化的光纤包层为圆柱曲面型基底,在其外表面涂覆有序胶体晶体,再通过烧结固化封装成包层型胶体晶体微结构光纤。该光纤,具有光子带隙部分增强效应,且包层胶体晶体可以利用其中心带隙波长进行选频,其频带窄,精度高,而且随所处介质变化,可以形成气体探测和波分复用器件。通过在光纤包层涂覆胶体微球层,形成多孔反结构,可以改变增强的光子带隙的中心波长,达到任意选频的目的,同时进一步发展可以形成廉价的生物和环境传感器件、滤波器等。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
将光子晶体的带隙结构应用于光纤形成了光子晶体光纤(Photonic CrystalFiber, PCF),又称微结构光纤。采用紫外侧写技术或C02热激技术,可以在PCF中 写制光子晶体光纤光栅。微结构光纤光栅具有丰富的结构和光学特性。改变光纤中的微 孔排列、大小以及占空比,或者将介质载入微孔,均可改变光子晶体光纤及其光栅的光学性 质,极大地改变了光纤传感器的结构和性能。但其制作成本高,与普通光纤的对接使用也存 在很多问题。图1是其基本结构。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题,在于克服现有技术存在的缺陷,提供一种包层型胶 体晶体微结构光纤及其制备方法。目的在于制作一种方便、廉价,能和现在的通讯光纤直接 匹配的微结构光纤。利用胶体晶体光子带隙波段近乎完全反射,多次耦合包层模进入纤芯 的特性,提供一种具有仅增强光子带隙波段,其他波段散射出去迅速减弱的微结构光纤。同 时,此包层型胶体晶体光纤有望应用于生物和环境传感器,滤波器等。 专利技术人发现,制造光学波段的光子晶体,化学方法显示出更大的优越性,其中利用 胶体颗粒自组装是一种非常简便的方法合成单分散的胶体微球(如二氧化硅或聚苯乙 烯微球);对微球进行组装,在不同的基底上形成三维有序堆积;烧结以增加样品的机械强 度,同时可以控制颗粒间的孔隙。颗粒组装方法简便易行,材料选择范围宽,球形颗粒易合 成,且尺寸可控,制作成本低。图2是其基本制备流程。 本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤,由纤芯、包层和胶体微球层构成,其特征是 纤芯位于所述包层中心,包层由所述胶体微球层包裹。 其制备方法的基本思路是由被HF腐蚀粗化的光纤包层为圆柱曲面型基底,在其 外表面涂覆有序胶体晶体,再通过烧结固化封装成包层型胶体晶体微结构光纤。具体步骤 如下 a、截取一段单模光纤,将中间段处的涂覆层剥除2 4cm,用酒精或丙酮擦洗单模 光纤,将涂覆层清除,形成单模裸光纤,然后再用去离子水在超声波清洗器内进行清洗,完 毕后在氮气流中烘干; b、将烘干后的单模裸光纤垂直插入HF酸缓冲溶液中,对包层表面进行腐蚀粗化, 腐蚀时间为5 10分钟,包层表面腐蚀粗化更利于胶体微球的涂覆和生长;然后用去离子 水在超声波清洗器内进行清洗,完毕后在氮气流中烘干; c、在水浴温度35 7(TC,湿度60 80%的条件下,采用垂直提拉(自组装)法 在腐蚀粗化后的单模裸光纤包层外面涂覆胶体晶体;即将腐蚀粗化好的单模裸光纤垂直 插入胶体微球溶液中,并将单模裸光纤上下竖直运动,其运动速度为1 30微米/秒;3 d、恒温条件下静置干燥10 24小时;(不同胶体材料对应相应的实验条件) e、在温度600 1100条件下烧结固化,然后用热塑套管固定。 所述HF酸缓冲溶液,其组分的质量比为HF : NH4F : H20 = 3 : 7 : 10,朋/可以减缓HF酸的腐蚀速率,使包层腐蚀得均匀平滑。 所述胶体微球溶液胶体材料为PS, PMMA或Silica,质量百分比浓度为2% 8% ; 溶剂成分为水和乙醇,水和乙醇的体积比7 : 3; 胶体微球直径偏差/平均直径X % < 0. 2 % 。 本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤的制备方法,在制备方法上克服了以前制备胶 体晶体中微球沉积快,层数不可控的缺点 ①在温度、湿度和真空度恒定的条件下,加强了胶体溶液的对流引导蒸发,提高溶 剂蒸发的速率大于胶体微球的沉降速率,延长胶体微球在弯月面的停留时间及胶体晶体的 结晶过程; ②采用垂直提拉(自组装)的方法,克服了胶体晶体的层数不可控制的缺点,通过 改变提拉速率,胶体晶体的层数和速率成反比关系; 本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤,具有光子带隙部分增强效应,且包层胶体晶 体可以利用其中心带隙波长进行选频,其频带窄,精度高,而且随所处介质变化,可以形成 气体探测和波分复用器件。通过在光纤包层涂覆胶体微球层,形成多孔反结构,可以改变增 强的光子带隙的中心波长,达到任意选频的目的,同时进一步发展可以形成廉价的生物和 环境传感器件、滤波器等。附图说明 图1是现有光子晶体光纤结构示意图;a、b、c、d分别为四种不同结构。图2是本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤制备装置示意图;2-1 :裸光纤,2-2 :胶体微球溶液,2-3 :水,2-4 :恒温水浴加热,2-5 :玻璃瓶,2-6 :光纤夹持器,2-7 :胶带,2-8 :步进电机。 图3是本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤的制备方法过程的示意图;(3-1 :玻璃 瓶,3-2 :胶体微球溶液,3-3 :胶体微球,3-4 :胶体微球溶液半月面,3-5 :微球重力,3-6 :微 球聚合力,3-7:流体剪切力。 图4是本专利技术包层型胶体晶体微结构光纤结构示意图;图4a为截面图,图4b为纵 向剖面图;其中4-1 :胶体微球层,4-2 :包层,4-3 :纤芯。 图5是包层型胶体晶体微结构光纤的透射光谱图;其中l为剥除涂覆层后的光纤 透射光谱;2为包层被腐蚀粗化后的光纤透射光谱;3为包层型胶体晶体微结构光纤透射光 谱。具体实施例方式下面结合附图和实施例,对本专利技术做详细说明。 a、截取一段20cm左右的普通单模光纤,将中间位置的涂覆层剥除约2 4cm,用酒 精或丙酮擦洗光纤,以保证涂覆层被完全清除,形成单模裸光纤。然后再用去离子水在超声波清洗器内进行清洗,完毕后在氮气流中烘干。 b、配备HF酸缓冲溶液,其组分质量百分比为HF : NH4F : H20 = 3 : 7 : 10,NH4F 可以减缓HF酸的腐蚀速率,使包层腐蚀得均匀平滑。 c、将烘干后的单模裸光纤垂直插入HF酸缓冲溶液中,包层被HF酸腐蚀,腐蚀时间 为5 10分钟,表面腐蚀粗化更利于胶体微球的涂覆和生长。然后再用去离子水在超声波 清洗器内进行清洗,完毕后在氮气流中烘干。 d、配制胶体微球溶液 胶体材料为PS, PMMA或Silica,质量百分比浓度为2% 8% ; 溶剂成分为水和乙醇,水和乙醇的体积比7 : 3; 胶体微球直径偏差/平均直径X % < 0. 2 % 。 e、将腐蚀粗化好的单模裸光纤垂直插入盛有胶体微球溶液的玻璃瓶中,单模裸光 纤的上端固定在夹持器的光纤凹槽中,夹持器由步进电机控制上下竖直运动,速度为1 30微米/秒,采用垂直提拉(自组装)法在腐蚀粗化后的单模裸光纤包层外面涂覆胶体晶 体。整个装置置于干燥箱中,温度为35 7(TC,相对湿度为60 80X。(不同胶体材料对 应相应的实验条件) 恒温条件下静置10 24小时。 g、再在温度600 IIO(TC条件下进行烧结固化,然后用热塑套管固定,形成包层 型胶体晶体微结构光纤。权利要求一种包层型胶体晶体微结构光纤,由纤芯、包层和胶体微球层构成,其特征是纤芯位于所述包层中心,包层由所述胶体微球层包裹。2. —种制备权利要求1所述包层型胶体晶体微结构光纤的制备方法,具体步骤如下a、 截取一段单模光纤,将中间处的涂覆层剥除2 4cm,用酒精或丙酮擦洗单模光纤, 将涂覆层清除,形成单模裸光纤,然后再用去离子水在超声波清洗器内进行清洗,完毕后在 氮气流中烘干;b、 将烘干后的单模裸光纤垂直插入HF酸缓冲溶液中,对包层表面进行腐蚀粗化,腐蚀 时间为5 10分钟;然后用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包层型胶体晶体微结构光纤,由纤芯、包层和胶体微球层构成,其特征是:纤芯位于所述包层中心,包层由所述胶体微球层包裹。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王鸣郭文华刘青夏巍崔恩营倪海斌
申请(专利权)人:南京师范大学
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]

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