本发明专利技术的课题在于提供一种能够形成低透湿性优异且耐划伤性也优异的膜的转印膜及感光性组合物。本发明专利技术的转印膜具有临时支承体及感光性层，感光性层包含聚合物A及化合物β，聚合物A具有重复单元(a)，该重复单元(a)具有通过碳原子数1以上的连结基团与主链连结的羧基，化合物β具有通过曝光使聚合物A所具有的羧基的量减少的结构b0。羧基的量减少的结构b0。羧基的量减少的结构b0。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】转印膜、感光性组合物
[0001]本专利技术涉及一种转印膜及感光性组合物。
技术介绍
[0002]在具备静电电容型输入装置等触摸面板的显示装置(作为显示装置，具体而言，有机电致发光(EL)显示装置及液晶显示装置等)中，在触摸面板内部设置有相当于视觉辨认部的传感器的电极图案、周边布线部分及引出布线部分的布线等的导电图案。
[0003]在导电图案上，例如，为了防止金属的腐蚀、电极与驱动用电路之间的电阻的增加及断线等不良情况，配置树脂图案作为保护膜(永久膜)。树脂图案的形成中例如使用转印膜。
[0004]例如，在专利文献1中公开了一种感光性元件，其具备支撑膜及设置在支撑膜上的由规定的感光性树脂组合物构成的感光层。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2013/084886号
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]本专利技术人等对如专利文献1等以往的转印膜(感光性元件)进行了研究的结果，发现低透湿性及耐划伤性中的至少一者较差。
[0010]具体而言，发现通过使转印膜与被转印体贴合，并进一步进行曝光处理，获得的膜的透湿度高和/或硬度低。
[0011]因此，本专利技术的课题在于提供一种能够形成低透湿性优异且耐划伤性也优异的膜的转印膜。并且，本专利技术的课题还在于提供一种感光性组合物。
[0012]用于解决技术课题的手段
[0013]本专利技术人等对上述课题进行深入研究结果，发现通过以下结构能够解决上述课题。
[0014]〔1〕
[0015]一种转印膜，其具有临时支承体及感光性层，
[0016]上述感光性层包含聚合物A及化合物β，
[0017]上述聚合物A具有重复单元(a)，该重复单元(a)具有通过碳原子数1以上的连结基团与主链连结的羧基，
[0018]上述化合物β具有通过曝光使上述聚合物A所具有的上述羧基的量减少的结构b0。
[0019]〔2〕
[0020]根据〔1〕所述的转印膜，其中，
[0021]上述重复单元(a)具有选自由后述的式(a1)所表示的重复单元及后述的式(a2)所
表示的重复单元组成的组中的1种以上。
[0022]〔3〕
[0023]根据〔2〕所述的转印膜，其中，
[0024]上述式(a1)中，X表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、
‑
COO
‑
或组合它们而成的基团。
[0025]〔4〕
[0026]根据〔2〕所述的转印膜，其中，
[0027]上述重复单元(a1)具有后述的式(a1
‑
1)所表示的重复单元。
[0028]〔5〕
[0029]根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0030]上述化合物β为具有在光激发状态下能够从上述羧基接受电子的结构b作为上述结构b0的化合物B。
[0031]〔6〕
[0032]根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0033]上述化合物β为具有在光激发状态下能够从上述羧基接受电子的结构b作为上述结构b0的化合物B，
[0034]相对于上述聚合物A所具有的上述羧基的总数，上述化合物B所具有的上述结构b的总数为5摩尔％以上。
[0035]〔7〕
[0036]根据〔1〕至〔6〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0037]上述化合物β为含氮芳香族化合物。
[0038]〔8〕
[0039]根据〔1〕至〔7〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0040]上述化合物β为可以具有取代基的含氮芳香族化合物。
[0041]〔9〕
[0042]根据〔1〕至〔8〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0043]上述化合物β在波长365nm下的摩尔吸光系数ε
365
为1
×
103(cm
·
mol/L)
‑1以下。
[0044]〔10〕
[0045]根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0046]上述化合物β在波长365nm下的摩尔吸光系数ε
365
与上述化合物β在波长313nm下的摩尔吸光系数ε
313
之比为3以下。
[0047]〔11〕
[0048]根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0049]上述化合物β在基底状态下的pKa为2.0以上。
[0050]〔12〕
[0051]根据〔1〕至〔11〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0052]上述化合物β在基底状态下的pKa为9.0以上。
[0053]〔13〕
[0054]根据〔1〕至〔12〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0055]上述化合物β包含选自由异喹啉及异喹啉衍生物、喹啉及喹啉衍生物、喹唑啉及喹
唑啉衍生物、喹喔啉及喹喔啉衍生物以及吡啶及吡啶衍生物组成的组中的1种以上。
[0056]〔14〕
[0057]根据〔1〕至〔13〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0058]上述感光性层进一步包含聚合性化合物。
[0059]〔15〕
[0060]根据〔1〕至〔14〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0061]上述感光层进一步包含光聚合引发剂。
[0062]〔16〕
[0063]根据〔15〕所述的转印膜，其中，
[0064]上述光聚合引发剂为选自由肟酯化合物及氨基苯乙酮化合物组成的组中的1种以上。
[0065]〔17〕
[0066]根据〔1〕至〔16〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0067]上述感光性层进一步包含聚合性化合物及光聚合引发剂，
[0068]相对于感光层的总质量，上述化合物β的含量为1.5～7.5质量％。
[0069]〔18〕一种感光性组合物，其
[0070]包含聚合物A及化合物β，
[0071]上述聚合物A包含选自由后述的式(a1)所表示的重复单元及后述的式(a2)所表示的重复单元组成的组中的1种以上，
[0072]上述化合物β具有通过曝光使上述聚合物A所具有的羧基的量减少的结构b0。
[0073]〔19〕
[0074]根据〔18〕所述的感光性组合物，其中，
[0075]上述式(a1)所表示的重复单元具有后述的式(a1
‑
1)所表示的重复单元。
[0076]〔20〕
[0077]根据〔18〕或〔19〕所述的感光性组合物，其中，
[0078]上述化合物β为含氮芳香族化合物。
[0079]〔21〕
[0080]根据〔18〕至〔20〕中任一项所述的感光性组合物，其中，
[0081]上述化合物β在波长本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种转印膜，其具有临时支承体及感光性层，所述感光性层包含聚合物A及化合物β，所述聚合物A具有重复单元(a)，该重复单元(a)具有通过碳原子数1以上的连结基团与主链连结的羧基，所述化合物β具有通过曝光使所述聚合物A所具有的所述羧基的量减少的结构b0。2.根据权利要求1所述的转印膜，其中，所述重复单元(a)具有选自由式(a1)所表示的重复单元及式(a2)所表示的重复单元组成的组中的1种以上，式(a1)中，R
a
表示氢原子或取代基，X表示碳原子数1以上的连结基团，式(a2)中，Y表示环基，Z表示单键或连结基团，Y及Z中的至少一者表示碳原子数1以上的基团。3.根据权利要求2所述的转印膜，其中，所述式(a1)中，X表示亚烷基、亚环烷基、亚芳基、
‑
COO
‑
或组合它们而成的基团。4.根据权利要求2所述的转印膜，其中，所述重复单元(a1)具有式(a1
‑
1)所表示的重复单元，式(a1
‑
1)中，R
a1
表示氢原子或甲基，X
a1
表示连结基团。5.根据权利要求1至4中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β为具有在光激发状态下能够从所述羧基接受电子的结构b作为所述结构b0的化合物B。6.根据权利要求1至5中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β为具有在光激发状态下能够从所述羧基接受电子的结构b作为所述结构b0的化合物B，相对于所述聚合物A所具有的所述羧基的总数，所述化合物B所具有的所述结构b的总数为5摩尔％以上。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β为含氮芳香族化合物。8.根据权利要求1至7中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β为具有取代基的含氮芳香族化合物。9.根据权利要求1至8中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β在波长365nm下的摩尔吸光系数ε
365
为1
×
103(cm
·
mol/L)
‑1以下。10.根据权利要求1至9中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β在365nm下的摩尔吸光系数ε
365
与所述化合物β在波长313nm下的摩尔吸光系数ε
313
之比为3以下。11.根据权利要求1至10中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β在基底状态下的pKa为2.0以上。12.根据权利要求1至11中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β在基底状态下的pKa为9.0以下。13.根据权利要求1至12中任一项所述的转印膜，其中，所述化合物β包含选自由异喹啉及异喹啉衍生物、喹啉及喹啉衍生物、喹...
【专利技术属性】
技术研发人员：儿玉邦彦，山口圭吾，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
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