一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法、系统和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法、系统和装置，该方法包括计算待测试浪涌电流的efuse芯片连接的负载电容值；根据负载电容值选择匹配的模拟负载治具；利用模拟负载治具搭建模拟efuse芯片浪涌电流的测试环境，在主板上电瞬间抓取efuse芯片电流检测引脚的电压值，通过电压值计算出上电瞬间产生的浪涌电流；将上电瞬间产生的浪涌电流与标准值进行对比，判断浪涌电路是否引起efuse芯片保护的风险。基于该方法，还提出了一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试系统和装置。本发明专利技术通过计算后端负载电容值，模拟带负载条件下，精确测量多相efuse芯片的浪涌电流大小，测量的浪涌电流更真实准确。的浪涌电流更真实准确。的浪涌电流更真实准确。

【技术实现步骤摘要】
一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法、系统和装置


[0001]本专利技术属于浪涌电流测试
，特别涉及一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法、系统和装置。

技术介绍

[0002]服务器主板开发阶段，需要对单板efuse电源芯片进行测试。其中，Inrush电流为重要测试项。其中efuse为电子保险丝，可重复发挥作用的电源保护开关芯片。Inrush电流即突入电流，或者浪涌电流。接通电子设备电源时，接通瞬间可能会产生远远超过稳定电流的超大电流，突入电流过大会损害设备。由于主板上电容、电感、后端负载等器件众多，通电瞬间，有可能会产生一个极大的Inrush电流，带来一个极大的输入电压尖峰，触发efuse芯片的保护。轻则导致服务器宕机，损害服务器寿命。严重的，可能会烧毁主板，使服务器无法正常启动。
[0003]目前，因为一颗efuse芯片足以满足大多数的电流大小需求。因此，对efuse的Inrush电流测试仍停留于单相测试阶段，缺少严谨、准确的多相Inrush电流测试方法。多相Inrush电流测试，相对于单相，还有一个问题，就是多个芯片间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：计算待测试浪涌电流的efuse芯片连接的负载电容值；根据所述负载电容值选择匹配的模拟负载治具；利用所述模拟负载治具搭建模拟efuse芯片浪涌电流的测试环境，在主板上电瞬间抓取efuse芯片电流检测引脚的电压值，通过所述电压值计算出上电瞬间产生的浪涌电流；将上电瞬间产生的浪涌电流与标准值进行对比，判断所述浪涌电路是否引起efuse芯片保护的风险。2.根据权利要求1所述的一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，所述计算待测试浪涌电流的efuse芯片连接的负载电容值的过程包括：测试不连接负载时，efuse芯片所在主板的自身器件产生的第一浪涌电流；测试连接负载时，efuse芯片所在主板的自身器件和负载一起产生的第二浪涌电流；根据第一浪涌电流和第二浪涌电流确定负载的浪涌电流；根据所述负载的浪涌电流确定负载电容值。3.根据权利要求2所述的一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，所述模拟负载治具的电容值等于根据负载浪涌电流确定的负载电容值。4.根据权利要求1所述的一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，利用所述模拟负载治具搭建模拟efuse芯片浪涌电流的测试环境具体包括：将所述模拟负载治具连接在所述efuse芯片后端；连接示波器与主板双绞线测量点，通过示波器获取到浪涌电流的波形。5.根据权利要求2所述的一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，所述根据第一浪涌电流和第二浪涌电流确定负载的浪涌电流的过程具体为：负载的浪涌电流值＝第二浪涌电流值
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第一浪涌电流值。6.根据权利要求1所述的一种模拟efuse芯片浪涌电流的测试方法，其特征在于，所述通过所述电压值计算出上电瞬间产生的浪涌电流的过程包括：Ics＝Iout*KVcs＝Ics*Rc...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘滔，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：