具有室温垂直磁各向异性的Fe制造技术

本发明专利技术提供了一种具有室温垂直磁各向异性的Fe

【技术实现步骤摘要】
具有室温垂直磁各向异性的Fe
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GeTe2的制备方法及自旋电子器件的制备方法


[0001]本专利技术属于纳米材料
，尤其涉及具有室温垂直磁各向异性的Fe
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GeTe2的制备方法及自旋电子器件的制备方法。

技术介绍

[0002]磁性材料是电子工业的基础材料，其广泛性可应用于通讯，医学以及航空航天等重要领域。近年来，二维材料在科学界和工业界被誉为新一代的“梦幻材料”，在单原子层极限厚度的薄膜中仍具备优异的物理、化学性质，并已渗透入众多的研究领域甚至开拓出一些新兴领域。不同于传统磁性薄膜，二维磁性材料或可作为硅基电子器件的继承者，利用自旋电子这一后摩尔时代重要的科学技术手段，有望实现与集成电路技术高度契合且融功能器件于一体的新型二维自旋器件。
[0003]以Fe3GeTe2作为主要代表的二维磁性材料，其具有相对较高的居里温度(约为 230K)成为自旋领域研究的一大热点。同时，众多新奇的物理特性(近藤晶格行为、巡游铁磁性、反常能斯特效应等)以及通过电调控居里温度至室温等优势，在半导体器件应用领域本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有室温垂直磁各向异性的Fe
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GeTe2的制备方法，其中，该制备方法是采用分子束外延法在衬底表面生长Fe
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GeTe2薄膜，其包括以下步骤：将超高真空室内安装铁蒸发源、锗蒸发源、碲蒸发源，加热使三种蒸发源蒸发，然后沉积到衬底表面生长得到Fe
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GeTe2薄膜；其中，在生长过程中，铁、锗和碲的通量比为3:1:2+n，n的取值范围为
‑
0.5到+0.5；将生长有Fe
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GeTe2薄膜的衬底冷却后取出，在垂直磁场为
‑
0.5至+0.5特斯拉、温度为200
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280℃的真空室中退火30
‑
60分钟，得到具有室温垂直磁各向异性的Fe
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GeTe2薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述衬底为蓝宝石衬底或高米勒指数的砷化镓衬底。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中，在沉积之前，对衬底进行清洗，具体包括：将衬底在丙酮和乙醇先后各超声处理5
‑
6分钟，再在去离子水中超声处理5
‑
6分钟，然后用N2吹干。4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，在生长过程中，Fe
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GeTe2薄膜的沉积速率为5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂天晓，张婕，陈睿凌，王海宇，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：