本申请公开了一种可控源大地电磁数据的校正方法、装置、电子设备及介质。该方法可以包括：计算卡尼亚视电阻率，获得卡尼亚视电阻率曲线；根据卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围，识别落入近场区频点范围内的频点；根据近场区频点范围内的最大频点值确定一维反演频率范围；针对一维反演频率范围内的视电阻率数据进行一维反演，得到一维电性结构模型；根据一维电性结构模型对近场区频点范围内的频点进行近场效应校正，获得近场校正后的视电阻率曲线。本发明专利技术通过反演得到的电性结构模型，其正演结果与实际数据吻合更好，有利于降低近场数据的校正的不确定性，进而提高校正后的反演准确度。的反演准确度。的反演准确度。
【技术实现步骤摘要】
可控源大地电磁数据的校正方法、装置、电子设备及介质
[0001]本专利技术涉及地球物理勘探数据处理
，更具体地，涉及一种可控源大地电磁数据的校正方法、装置、电子设备及介质。
技术介绍
[0002]目前，近场校正方法主要有：
[0003]①
全频域视电阻率法。全频域视电阻率法(也称广域视电阻率法)是基于可控源音频法提出全新的频率域测深方法。该方法不做简化，采用精确的视电阻率计算公式计算视电阻率的严格解，它在测区任何位置都是正确的，因此不存在近场问题，能获得较大的勘探深度，已成功应用于油气勘探和深部找矿等领域。但由于相对成本过高，全频域视电阻率法的应用范围远远低于可控源音频法，并且目前主流的商业采集软件均采用卡尼亚视电阻率计算公式获取初始的频域视电阻率，全频域视电阻率法目前还没有在此类软件中实现，因此在计算中需要将数据在各种软件中进行转换，步骤繁琐。
[0004]②
非人工场源电磁测深法(大地电磁、瞬变电磁法)校正法。非人工场源电磁测深法校正法需要在邻近位置同时采集非人工源数据，且当地形、构造变化较大时，还需同时采集多道非人工源数据，采集成本更高，且非人工场源电磁测深法受环境影响较大，信噪比低，实用性低。
[0005]③
频率截断法。频率截断法是目前最常用的近场校正方法，在实际勘探应用中，大多数研究者使用大地电磁二维三维反演软件只能对波区数据进行反演，因此需要将近场数据舍去，不参与后续的处理反演，从而将反演频率截断在进入近场之前的频点处。但这种方法由于缺少低频数据，在很大程度上降低了可控源音频方法的勘查深度。
[0006]近场效应会使卡尼亚视电阻率发生严重的畸变，无法正确反映地电结构，直接用于处理反演会造成电性资料解释错误。因此，有必要开发一种可控音频源大地电磁数据的校正方法、装置、电子设备及介质。
[0007]公开于本专利技术
技术介绍
部分的信息仅仅旨在加深对本专利技术的一般
技术介绍
的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
技术实现思路
[0008]本专利技术提出了一种可控源大地电磁数据的校正方法、装置、电子设备及介质，其通过反演得到的电性结构模型，其正演结果与实际数据吻合更好，有利于降低近场数据的校正的不确定性，进而提高校正后的反演准确度。
[0009]第一方面，本公开实施例提供了一种可控源大地电磁数据的校正方法，包括：
[0010]计算卡尼亚视电阻率，获得卡尼亚视电阻率曲线；
[0011]根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围，识别落入所述近场区频点范围内的频点；
[0012]根据所述近场区频点范围内的最大频点值确定一维反演频率范围；
[0013]针对所述一维反演频率范围内的视电阻率数据进行一维反演，得到一维电性结构模型；
[0014]根据所述一维电性结构模型对所述近场区频点范围内的频点进行近场效应校正，获得近场校正后的视电阻率曲线。
[0015]优选地，计算卡尼亚视电阻率包括：
[0016]获取野外采集的可控音频源大地电磁的电流数据、电道数据和磁道数据，进而计算每个测点的卡尼亚视电阻率。
[0017]优选地，通过公式(1)计算所述卡尼亚视电阻率：
[0018][0019]其中，ρ
α
为卡尼亚视电阻率，μ为介质的磁导率，f为采集频率，E
y
为垂直于构造方向的电道数据，H
x
为与电道方向垂直的磁道数据。
[0020]优选地，根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围包括：
[0021]若所述卡尼亚视电阻率曲线呈45
°
上升，则以最后两个频点的45
°
渐近线与所述卡尼亚视电阻率曲线的交点划定所述近场区频点范围。
[0022]优选地，所述一维反演频率范围为采集的最大频率至所述近场区频点范围的最大频点值。
[0023]优选地，根据所述一维电性结构模型对所述近场区频点范围内的频点进行近场效应校正包括：
[0024]针对所述一维电性结构模型进行全频段MT正演，将正演曲线与所述卡尼亚视电阻率曲线叠合显示；
[0025]将所述近场区频点范围内的频点的视电阻率值调整至所述正演曲线对应的频点值。
[0026]优选地，还包括：
[0027]针对所述近场校正后的视电阻率曲线进行二维反演，获取地下二维电性结构。
[0028]作为本公开实施例的一种具体实现方式，
[0029]第二方面，本公开实施例还提供了一种可控源大地电磁数据的校正装置，包括：
[0030]计算模块，计算卡尼亚视电阻率，获得卡尼亚视电阻率曲线；
[0031]识别模块，根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围，识别落入所述近场区频点范围内的频点；
[0032]一维反演频率范围确定模块，根据所述近场区频点范围内的最大频点值确定一维反演频率范围；
[0033]一维反演模块，针对所述一维反演频率范围内的视电阻率数据进行一维反演，得到一维电性结构模型；
[0034]近场效应校正模块，根据所述一维电性结构模型对所述近场区频点范围内的频点进行近场效应校正，获得近场校正后的视电阻率曲线。
[0035]优选地，计算卡尼亚视电阻率包括：
[0036]获取野外采集的可控音频源大地电磁的电流数据、电道数据和磁道数据，进而计
算每个测点的卡尼亚视电阻率。
[0037]优选地，通过公式(1)计算所述卡尼亚视电阻率：
[0038][0039]其中，ρ
α
为卡尼亚视电阻率，μ为介质的磁导率，f为采集频率，E
y
为垂直于构造方向的电道数据，H
x
为与电道方向垂直的磁道数据。
[0040]优选地，根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围包括：
[0041]若所述卡尼亚视电阻率曲线呈45
°
上升，则以最后两个频点的45
°
渐近线与所述卡尼亚视电阻率曲线的交点划定所述近场区频点范围。
[0042]优选地，所述一维反演频率范围为采集的最大频率至所述近场区频点范围的最大频点值。
[0043]优选地，根据所述一维电性结构模型对所述近场区频点范围内的频点进行近场效应校正包括：
[0044]针对所述一维电性结构模型进行全频段MT正演，将正演曲线与所述卡尼亚视电阻率曲线叠合显示；
[0045]将所述近场区频点范围内的频点的视电阻率值调整至所述正演曲线对应的频点值。
[0046]优选地，还包括：
[0047]针对所述近场校正后的视电阻率曲线进行二维反演，获取地下二维电性结构。
[0048]第三方面，本公开实施例还提供了一种电子设备，该电子设备包括：
[0049]存储器，存储有可执行指令；
[0050]处理器，所述处理器运行所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种可控源大地电磁数据的校正方法，其特征在于，包括：计算卡尼亚视电阻率，获得卡尼亚视电阻率曲线；根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围，识别落入所述近场区频点范围内的频点；根据所述近场区频点范围内的最大频点值确定一维反演频率范围；针对所述一维反演频率范围内的视电阻率数据进行一维反演，得到一维电性结构模型；根据所述一维电性结构模型对所述近场区频点范围内的频点进行近场效应校正，获得近场校正后的视电阻率曲线。2.根据权利要求1所述的可控源大地电磁数据的校正方法，其中，计算卡尼亚视电阻率包括：获取野外采集的可控音频源大地电磁的电流数据、电道数据和磁道数据，进而计算每个测点的卡尼亚视电阻率。3.根据权利要求2所述的可控源大地电磁数据的校正方法，其中，通过公式(1)计算所述卡尼亚视电阻率：其中，ρ
α
为卡尼亚视电阻率，μ为介质的磁导率，f为采集频率，E
y
为垂直于构造方向的电道数据，H
x
为与电道方向垂直的磁道数据。4.根据权利要求1所述的可控源大地电磁数据的校正方法，其中，根据所述卡尼亚视电阻率曲线，确定近场区频点范围包括：若所述卡尼亚视电阻率曲线呈45
°
上升，则以最后两个频点的45
°
渐近线与所述卡尼亚视电阻率曲线的交点划定所述近场区频点范围。5.根据权利要求1所述的可控源大地电磁数据的校正方法，其中，所述一维反演频率范围为采集的最大频率至所述近场区频点范围的最大频点值。6.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜利，章惠，魏广仁，隋少强，贺婷婷，王玉星，
申请(专利权)人：中国石化集团新星石油有限责任公司中石化新星北京新能源研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
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