一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用，无线神经抑制性调控技术K2P离子通道作为调控靶点，利用K2P离子通道的温控特性，合成外表面偶联K2P抗体，能够高效靶向K2P的NIR

【技术实现步骤摘要】
一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用


[0001]本专利技术涉及光调控
，具体地，涉及一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术及其应用。

技术介绍

[0002]脑科学已成为全球科技与健康领域最为关注的热点研究。世界各国竞相推出“脑计划”，以增强人类对大脑的认知，深入探索大脑运行机制，并寻找脑疾病(神经及精神类疾病)的治疗方法。神经元是大脑最重要的组成单元，不同种类的神经元形成的神经元集群构成了大脑的各个脑区，调控机体的一切行为活动(包括认知、情绪、记忆、运动、睡眠等)，并且相关脑区神经元病理性变化是诱导脑疾病发生发展的关键因素。神经调控技术通过侵入或非侵入大脑的方法，兴奋或抑制神经元电活动，解析各个脑区对机体行为活动的调控机制。神经调控技术也通过刺激病理脑区电活动，缓解脑疾病引起的机体行为活动障碍，为脑疾病提供了潜在可行的治疗方法，所以对神经调控技术的探索一直是脑科学研究的前沿领域之一。
[0003]目前电刺激、磁刺激、超声刺激、化学刺激等神经调控技术展现出良好的神经调控能力，但这些神经调控技术作用于全脑或大面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，以K2P离子通道作为调控靶点，合成外表面偶联K2P抗体，能够高效地靶向K2P的NIR
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II区光热转换材料；以NIR
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II区光作为刺激媒介，实现神经细胞的高时空分辨率操控。2.根据权利要求1所述的基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，其特征在于，在神经调控过程中，使用具有高组织穿透性的NIR
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II区光激发生物体内的光热转换材料，通过光热转换打开K2P通道，抑制神经元兴奋性，实现无线神经抑制性调控，神经调控过程中无需进行手术植入侵入性的光纤。3.根据权利要求1或2所述的基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，其特征在于，所述NIR
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II区光热转换材料采用具有NIR
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II区光热转换效率的光热转换材料偶联K2P抗体制备得到。4.根据权利要求1所述的基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，其特征在于，基于所述NIR
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II区光热转换材料对K2P的靶向性的基础上，在体外细胞水平实现NIR
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II区光对神经元的抑制性调控。5.根据权利要求1、2或4所述的基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，其特征在于，所述无线神经抑制性调控的步骤包括：S1.选用目前具有良好NIR
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II区光热转换效率的所述NIR
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II区光热转换材料偶联K2P抗体，制备具有靶向性NIR
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II区光热转换材料；S2.检测NIR
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II区光热转换材料对K2P的靶向性；S3.在靶向的基础上，于体外细胞水平实现NIR
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II区光对神经元的抑制性调控；S4.通过活体动物实验，在相关联的脑区通过腺相关病毒注射导入K2P离子通道，并注射NIR
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II区光热转换材料，实现在NIR
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II区光照射下对活体相关脑区的所述无线神经抑制性调控。6.根据权利要求5所述的基于近红外二区光的无线神经抑制性调控技术，其特征在于，S1中，所述NIR
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II区光热转换材料包括空心氧化硅纳米颗粒(H
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SiOx NPs)，金等离子黑体(AuPBs)、大分子近红外纳米传感器(MINDS)、有机半导体多聚物(SPNs)中的任一种；和/或，所述NIR
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II区光热转换材料通过对材料外表...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈光村，江吴俏，王强斌，尹红强，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：