半导体装置、发光装置、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置、移动体和可穿戴装置制造方法及图纸

提供了半导体装置、发光装置、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置、移动体和可穿戴装置。半导体装置包括元件基板、透光基板、配线板和加强构件，其中，元件基板具有第一表面，在第一表面上配置有端子；透光基板具有第二表面，第二表面经由联接构件被联接到第一表面；配线板具有连接到端子的第三表面；加强构件被构造为加强元件基板和配线板之间的接合。端子沿着第一表面的第一边配置。透光基板的侧表面包括沿着第一边配置的第四表面。在第二表面和第四表面之间配置倒角的第五表面。联接构件接触第五表面，且加强构件接触配线板的位于第三表面的相反侧的第六表面、周边区域和第四表面。面。面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、发光装置、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置、移动体和可穿戴装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置、发光装置、显示装置、光电转换装置、电子设备、照明装置、移动体和可穿戴装置。

技术介绍

[0002]日本特开2009
‑
277950号公报说明了包括形成有光学元件的半导体芯片的半导体装置，以及以覆盖光学元件的方式通过透明粘合剂固定在半导体芯片上的透明构件。

技术实现思路

[0003]为了使半导体芯片小型化，需要使设置在配置有光学元件区域的元件区域的外缘侧的周边区域窄。如果周边区域窄化，则周边区域中设置的端子与配置有连接到端子的电极的配线板之间的接合面积减小，从而降低半导体芯片与配线板之间的接合强度，由此使半导体装置的可靠性劣化。
[0004]本专利技术的一些实施方式提供了有利于改善半导体装置的可靠性的技术。
[0005]根据一些实施方式，提供了一种半导体装置，其包括元件基板、透光基板、配线板和加强构件，其中，所述元件基板具有第一表面，在所述第一表面上设置有配置光学元件的元件区域和配置外部连接端子的周边区域；所述透光基板具有第二表面，所述第二表面以覆盖所述元件区域的方式经由联接构件被联接到所述第一表面；所述配线板具有第三表面，所述第三表面上设置有连接到所述外部连接端子的电极；所述加强构件被构造为加强所述元件基板和所述配线板之间的接合强度，其中，所述外部连接端子沿着所述第一表面的第一边配置，所述透光基板的与所述第二表面正交的侧表面包括沿着所述第一边配置的第四表面，在所述第二表面和所述第四表面之间配置有第五表面，所述第五表面被倒角成使得相对于所述第二表面的角度成为钝角，所述联接构件接触所述第五表面，并且所述加强构件接触所述配线板的位于所述第三表面的相反侧的第六表面、所述周边区域和所述第四表面。
[0006]根据以下(参照附图)对示例性实施方式的说明，本专利技术的其它特征将变得明显。
附图说明
[0007]图1A是示出根据实施方式的半导体装置的配置示例的平面图；
[0008]图1B是示出根据实施方式的半导体装置的配置示例的截面图；
[0009]图2是示出图1A和图1B所示的半导体装置的变型的截面图；
[0010]图3是示出图1A和图1B所示的半导体装置的变型的截面图；
[0011]图4是示出图1A和图1B所示的半导体装置的变型的截面图；
[0012]图5A是示出根据实施方式的半导体装置的配置示例的平面图；
[0013]图5B和图5C是均示出根据实施方式的半导体装置的配置示例的截面图；
[0014]图6是示出使用根据实施方式的半导体装置的显示装置的示例的图；
[0015]图7是示出使用根据实施方式的半导体装置的光电转换装置的示例的图；
[0016]图8是示出使用根据实施方式的半导体装置的电子设备的示例的图；
[0017]图9A和图9B是均示出使用根据实施方式的半导体装置的显示装置的示例的图；
[0018]图10是示出使用根据实施方式的半导体装置的照明装置的示例的图；
[0019]图11是示出使用根据实施方式的半导体装置的移动体的示例的图；和
[0020]图12A和图12B是均示出使用根据实施方式的半导体装置的可穿戴装置的示例的图。
具体实施方式
[0021]在下文中，将参照附图详细说明实施方式。注意，以下实施方式不欲限制所要求的专利技术的范围。实施方式中说明了多个特征，但不限制要求所有这些特征的专利技术，并且多个这样的特征可以适当地组合。另外，在附图中，为相同或相似的构造赋予了相同的附图标记，并省略其重复说明。
[0022]将参照图1A和图1B至图5A到图5C说明根据本公开的实施方式的半导体装置。图1A是示出根据实施方式的半导体装置900的配置示例的平面图。图1B是沿着图1A所示的线A
‑
A'截取的截面图。
[0023]根据本实施方式的半导体装置900包括元件基板100、透光基板200、配线板300和加强构件600。元件基板100具有表面111，配置有光学元件的元件区域102和配置有外部连接端子101的周边区域103配置在表面111上。表面111也可称为元件基板100的主表面。作为元件基板100，可以使用诸如硅的半导体基板或其中配置有半导体层的玻璃基板或树脂基板。在基板中形成配置光学元件的元件区域102等。在图1A和图1B所示的配置中，外部连接端子101沿着表面111的一条边104配置。然而，本专利技术不限于此，并且外部连接端子101可以沿着另一条边配置。在这种情况下，下面将要说明的诸如透光基板200、配线板300和加强构件600等的部件中的每一者都可以类似地关于元件基板100的表面111的除了边104以外的边配置。
[0024]透光基板200配置成面向元件基板100。透光基板200的表面212以覆盖元件区域102的方式经由联接构件500联接到元件基板100的表面111。表面212也可称为透光基板200的主表面。作为透光基板200，可以使用玻璃或树脂制成的透光基板。透光基板200的与表面212正交的侧表面包括沿着元件基板100的边104配置的表面214。在透光基板200的表面212和214之间配置被倒角成相对于表面212的角度变为钝角θ1的表面215。如图1B所示，透光基板200的表面212的外缘可以在整周上倒角。
[0025]如果透光基板200的表面212的外缘被倒角，则可以在半导体装置900等的制造步骤中移送透光基板200时，防止透光基板200的表面212的脊线由于与移送夹头或移送台接触而导致断裂。通过倒角，可以在将透光基板200接合到基板100时抑制在基板100的元件区域102中发生缺陷。结果，可以在半导体装置900的制造步骤中抑制成品率下降。在图1B中，透光基板200的表面215是直线状的，但可以具有凸或凹的形状。
[0026]如果配置在元件区域102中的光学元件包括光电转换元件，则联接元件基板100和透光基板200的联接构件500可以是由透过光电转换元件具有敏感性的光的环氧树脂或丙
烯酸树脂制成的树脂构件。如果配置在元件区域102中的光学元件包括发光元件，则联接构件500可以是由透过发光元件发出的光的环氧树脂或丙烯酸树脂制成的树脂构件。联接构件500配置为不延伸到元件基板100的外部连接端子101，并与通过对透光基板200的表面212倒角所获得的表面215接触。如果配置了通过对透光基板200的表面212的外缘倒角而获得的表面215，则可以抑制联接构件500从透光基板200的外缘延伸。这可以减小周边区域103中的假设联接构件500延伸到的区域，从而使半导体装置900小型化。
[0027]在图1B所示的配置中，联接构件500在元件基板100的表面111和透光基板200的表面212彼此重叠的部分中接触整个表面。然而，本专利技术并不限于此。可以适当地设定联接构件500的配置，只要元件基板100和透光基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括元件基板、透光基板、配线板和加强构件，其中，所述元件基板具有第一表面，在所述第一表面上设置有配置光学元件的元件区域和配置外部连接端子的周边区域；所述透光基板具有第二表面，所述第二表面以覆盖所述元件区域的方式经由联接构件被联接到所述第一表面；所述配线板具有第三表面，所述第三表面上设置有连接到所述外部连接端子的电极；所述加强构件被构造为加强所述元件基板和所述配线板之间的接合强度，其特征在于，所述外部连接端子沿着所述第一表面的第一边配置，所述透光基板的与所述第二表面正交的侧表面包括沿着所述第一边配置的第四表面，在所述第二表面和所述第四表面之间配置有第五表面，所述第五表面被倒角成使得相对于所述第二表面的角度成为钝角，所述联接构件接触所述第五表面，并且所述加强构件接触所述配线板的位于所述第三表面的相反侧的第六表面、所述周边区域和所述第四表面。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述联接构件接触所述第五表面的一部分，并且所述加强构件进一步接触所述第五表面的未被所述联接构件覆盖的部分。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述加强构件接触所述联接构件。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透光基板具有位于所述第二表面的相反侧的第七表面，所述半导体装置还包括透光性构件和框架构件，所述框架构件配置在所述透光性构件和所述第七表面之间以包围所述第七表面的外缘部，所述框架构件包括接触所述第七表面的接触部，并且在对所述第一表面的正交投影中，所述接触部的外缘被配置为与所述第七表面的外缘重叠，或被配置在所述第七表面的外缘的内侧。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述透光基板具有位于所述第二表面的相反侧的第七表面，在所述第四表面和所述第七表面之间配置有第八表面，所述第八表面被倒角成使得相对于所述第七表面的角度成为钝角，并且所述加强构件进一步接触所述第八表面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在对所述第一表面的正交投影中，所述第七表面的外缘被配置在所述第二表面的外缘的外侧。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第二表面和所述第七表面各自的外缘均在整周上倒角。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在对所述第一表面的正交投影中，所述第五表面和所述第八表面不与所述元件区域重叠。9.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述加强构件接触所述联接构件。10.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括透光性构件和框架构件，所述框架构件配置在所述透光性构件和所述第七表面之间以包围所述第七表面的外缘部，其中，所述框架构件包括接触所述第七表面的接触部，并且

【专利技术属性】
技术研发人员：小林贤吾，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：