一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂0.1

【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用


[0001]本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液、制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]二氧化硅由于其优异的电绝缘性能、热稳定性以及耐化学和机械应力，成为集成电路制造中广泛使用的材料。
[0003]蚀刻二氧化硅是集成电路制造中必不可少的工艺步骤。近年来，集成电路制造的进步使得蚀刻工艺越来越精确、可控，促进了蚀刻液的探索和优化。
[0004]集成电路二氧化硅蚀刻技术难点包括：二氧化硅与底层或周围层之间的高选择性、晶圆的均匀性以及对其余结构的最小损坏。其他挑战包括控制刻蚀速率、维护环境安全以及避免可能影响器件性能的污染。
[0005]目前，公开了一些半导体芯片二氧化硅蚀刻液，例如：
[0006]引用文献1公开了一种二氧化硅薄膜的蚀刻液，主要成分包括氢氟酸、氟化铵、添加剂、表面活性剂以及超纯水。
[0007]本专利技术的蚀刻液可用于蚀刻热氧化生长的二氧化硅薄膜、化学气相沉积/物理气相沉积生长的二氧化硅薄膜以及硼磷硅玻璃薄膜，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量分数计算，包括如下组分：复合功能剂
ꢀꢀ
0.1
‑
0.5份；氢氟酸
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
0.2
‑
10份；氟化铵
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ5‑
40份；超纯水
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
30
‑
80份；所述的复合功能剂是用聚丙烯酸(PAA)和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素(HEC)。2.根据权利要求1所述的半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于：所述的复合功能剂聚丙烯酸(PAA)和三唑类络合剂接枝的羟乙基纤维素(HEC)的化学式为：[
‑
CH2‑
CH(OCH2CH2OH)
‑
]
n
‑
HEC
‑
g
‑
[
‑
CH2‑
CH(COOH)
‑
]
x
‑
PAA
‑
g
‑
[
‑
Triazol e]
y
其中，n代表HEC的聚合度(n＝20
‑
400)；x表示PAA的聚合度(m＝10
‑
50)；y表示三唑类络合剂接枝的数量(x＝5
‑
20)。3.根据权利要求1或2所述的半导体芯片二氧化硅蚀刻液，其特征在于，所述复合功能剂的制备方法包括如下步骤：步骤1：HEC溶液的制备将HEC在60
‑
80℃下溶解在水中，形成均匀的HEC溶液；步骤1所述HEC溶液的质量浓度为1％
‑
5％；步骤2：HEC溶液的pH值调整使用酸将步骤1的HEC溶液的pH值调整到2
‑
4，得到调整pH值后的HEC溶液；步骤2所使用的酸为盐酸或硫酸为质量浓度5％盐酸或质量浓度5％硫酸；步骤3：HEC
‑
丙烯酸混合物的制备向步骤2调整pH值后的HEC溶液中加入丙烯酸，得到HEC
‑
丙烯酸混合物，并继续搅拌以确保适当混合；所述的丙烯酸和HEC溶液的质量比为1:5
‑
3：5；步骤4：第一催化剂溶液的制备将过硫酸铵(APS)和焦亚硫酸钠溶解在水中制备第一催化剂溶液；所述的催化剂溶液的质量浓度范围为0.5％
‑
2.0％；所述的过硫酸铵(APS)与焦亚硫酸钠的质量比为1:2；步骤5：接枝反应制备HEC
‑
PAA溶液将步骤4制备的第一催化剂溶液加入步骤3得到的HEC
‑
丙烯酸混合物中进行接枝反应，得到HEC
‑
PAA溶液；步骤6：HEC
‑
PAA溶液的pH值调整使用缓冲液将HEC
‑
PAA溶液的pH值调整到6
‑
8；所述的缓冲液为质量浓度为2％
‑
5％的磷酸盐或质量浓度为2％
‑
5％的硼酸盐缓冲液；步骤7：三唑基络合剂溶液的制备将三唑基络合剂与反应性官能团溶解在溶剂中制备三唑基络合...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，武文东，赵晓莹，田继升，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：