光刻用膜形成材料、组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法技术

为了提供具有高的成膜性和溶剂溶解性且能够应用湿式工艺，固化性、膜的耐热性、膜的耐蚀刻性、向台阶基板的埋入性以及膜的平坦性优异，对形成光致抗蚀剂下层膜有用的光刻用膜形成材料等，本公开的光刻用膜形成材料包含：具有键合于芳香环的氨基的化合物，该化合物例如由说明书中记载的式(1A)、式(1B)、式(2)、式(3)、式(4)等表示。式(4)等表示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻用膜形成材料、组合物、光刻用下层膜以及图案形成方法


[0001]本专利技术涉及光刻用膜形成材料、含有该材料的光刻用膜形成用组合物、使用该组合物而形成的光刻用下层膜以及使用该组合物的图案形成方法(例如抗蚀图案形成方法或电路图案形成方法)。

技术介绍

[0002]半导体器件的制造中，利用使用了光致抗蚀剂材料的光刻进行微细加工。近年来，随着LSI的高集成化和高速度化，谋求基于图案规则的进一步的微细化。而且，现在用作通用技术的使用光曝光的光刻中，日益接近源自光源波长的本质上的分辨率的极限。
[0003]抗蚀图案形成时使用的光刻用的光源由KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)短波长化。但是，若抗蚀图案的微细化进展，则会产生分辨率的问题或显影后抗蚀图案倒塌的问题，因此期待抗蚀剂的薄膜化。然而，若仅进行抗蚀剂的薄膜化，则在基板加工中难以得到充分的抗蚀图案的膜厚。因此，不仅是抗蚀图案，在抗蚀剂与要加工的半导体基板之间制作抗蚀剂下层膜、并使该抗蚀剂下层膜也具有作为基板加工时的掩模的功能的工艺是必要的。/>[0004]现在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种光刻用膜形成材料，其包含：具有键合于芳香环的氨基的化合物。2.根据权利要求1所述的光刻用膜形成材料，其中，所述具有键合于芳香环的氨基的化合物是下述式(1A)和/或式(1B)所示的化合物：式(1A)中，X分别独立地为单键、
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
CO
‑
、
‑
C(CF3)2‑
、
‑
CONH
‑
、或
‑
COO
‑
，A为单键、氧原子、或任选包含杂原子的碳原子数1～80的二价烃基，R1分别独立地为任选包含杂原子的碳原子数0～30的基团，m1分别独立地为0～4的整数，式(1B)中，R1’
分别独立地为任选包含杂原子的碳原子数0～30的基团，此处R1’
中的至少1个为羟基甲基、卤氧基甲基或甲氧基甲基，m1’
为1～5的整数。3.根据权利要求1所述的光刻用膜形成材料，其中，所述具有键合于芳香环的氨基的化合物是所述式(1A)和/或所述式(1B)的聚合物。4.根据权利要求2或3所述的光刻用膜形成材料，其中，A为单键、氧原子、或以下的结构中的任意者：Y为单键、
‑
O
‑
、
‑
CH2‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
C(CF3)2‑
、5.根据权利要求2或3所述的光刻用膜形成材料，其中，X分别独立地为单键、
‑
O
‑
、
‑
C(CH3)2‑
、
‑
CO
‑
、或
‑
COO
‑
，A为单键、氧原子、或以下的结构，
Y为
‑
C(CH3)2‑
或
‑
C(CF3)2‑
。6.根据权利要求1所述的光刻用膜形...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀内淳矢，山本拓央，大松祯，佐藤隆，越后雅敏，
申请(专利权)人：三菱瓦斯化学株式会社，
类型：发明
国别省市：