场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法技术

本发明专利技术公开一种场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法，在场效应晶体管的漂移层中制备凹槽结构的方法包括步骤：提供表面上设置有第一漂移层的衬底；将掩膜版放置在第一漂移层上预形成凹槽结构底部的位置；然后在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层；利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，在场效应晶体管的第二漂移层中制备得到凹槽结构。本发明专利技术采用选区外延的方式，在第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延第二漂移层，利用刻蚀液刻蚀掉掩膜版，制备得到凹槽结构，避免了干法刻蚀带来的凹槽结构内壁的刻蚀损伤，有效改善了MOS界面质量，对降低器件漏电流、提升器件耐压性能和阈值电压稳定性具有良好的促进作用。好的促进作用。好的促进作用。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法


[0001]本专利技术涉及场效应晶体管
，尤其涉及一种场效应晶体管及其制备方法及在其漂移层中制备凹槽结构的方法。

技术介绍

[0002]功率器件的结构一般分为两种：垂直型和水平型。垂直型结构的功率器件的电流是沿着垂直方向移动，而水平型结构的功率器件的电流是沿着水平方向移动。由于垂直型结构的功率器件的击穿电压与漂移层的厚度成正比，因此增加垂直型结构的功率器件的击穿电压并不需要牺牲芯片面积，正因如此可以获得更高功率密度芯片和更小尺寸的垂直型结构的功率器件占据了主流地位。垂直型结构的功率器件主要分为二极管和晶体管两类，晶体管中场效应晶体管(FET)则根据器件导电方式的不同，又分为耗尽型和增强型。增强型的FET阈值电压大于零，因此在不加电压时器件始终处于关闭状态。因此，增强型的FET凭借能耗低、安全的优点受到人们的广泛关注。目前，增强型的FET主要可分为两类：鳍型(FinFETs)和电流阻挡层(CurrentBlockingLayer，CBL)型。虽然FinFETs已经实现了千伏的高击穿电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在场效应晶体管的漂移层中制备凹槽结构的方法，其特征在于，包括步骤：提供表面上设置有第一漂移层的衬底；将掩膜版放置在所述第一漂移层上预形成凹槽结构底部的位置；然后在所述第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层；利用刻蚀液刻蚀掉所述掩膜版，在所述场效应晶体管的第二漂移层中制备得到凹槽结构。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过等离子体增强化学气相沉积法、金属有机化合物化学气相沉积法、分子束外延法、氢化物气相外延法中的至少一种在所述第一漂移层上非掩膜版覆盖的区域外延生长出第二漂移层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版的材料包括SiO2、SiN、Al2O3中的至少一种。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀液为缓冲氧化物刻蚀液，所述缓冲氧化物刻蚀液主要包括HF和NH4F。5.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括权利要求1所述的方法中包括的步骤；还包括步骤：在所述第二漂移层上形成电子阻挡层，在所述电子阻挡层上形成高导层；在所述高导层及所述凹槽结构的底部和侧壁上形成绝缘栅介质层；在所述高导层上形成与所述绝缘栅介质层间隔设置的源极；在所述衬底远离所述第一漂移层的一侧形成漏极；在所述绝缘栅介质层上形成栅极。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈端阳，齐红基，包森川，
申请(专利权)人：杭州富加镓业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：