一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托及其使用方法技术

本发明专利技术公开了一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托及其使用方法，其中样品托包括：基座、电极组件和电极导入插孔，所述基座安装于光电子能谱仪上，所述电极组件设于基座内，所述电极组件包括一对电极极板和一对电极，每个所述电极安装于对应的所述电极极板上，所述电极之间形成电学器件安装位；所述电极导入插孔设于基座的侧边，通过电极导入插孔电连接电极，电学器件设于电极之间，使得光电子能谱仪的分析腔室内样品架的电极触点的一端与电极导入插孔连接，分析腔室内样品架的电极触点的另一端连接外置设备，通过外置设备导通电学器件，从而实现了对电学器件的原位实时光电子能谱测试。时光电子能谱测试。时光电子能谱测试。

【技术实现步骤摘要】
一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托及其使用方法


[0001]本专利技术属于光电子能谱检测
，尤其涉及一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托及其使用方法。

技术介绍

[0002]为了达成“双碳”目标，新能源器件的研究成了热点，新能源器件包括固态锂离子电池、太阳能电池、二极管、电容器等电学器件，这些电学器件在能量转化和储能领域具有广阔的应用前景。
[0003]光电子能谱可提供材料表面(深度小于10nm)的化学组成、化学状态和电子结构信息，是研究材料化学状态和电子结构变化的有力技术，光电子能谱仪由超高真空系统、激发光源、电子能量分析器、检测器和数据采集与处理系统以及其它附件等组成。其工作流程为：(1)将待测样品放在样品托上，将样品托放置于光电子能谱仪中；(2)由激发光源发出的具有一定能量的X射线或紫外光作用于样品表面，将样品表面原子中不同能级的电子激发出来，产生光电子和俄歇电子等特征信号；(3)电子能量分析器和检测器对步骤2产生的光电子进行检测和收集；(4)数据处理系统记录不同能量的光电子数目，计算得到光电子信号强度与光电子能量的关系曲线，即为光电子能谱。
[0004]传统的光电子能谱表征通常使分析对象脱离其原始体系环境，转移进入光电子能谱仪中进行表征，电学器件研究的光电子能谱表征传统方法是在电学器件工作之后将其拆解，拆卸后的材料、电极等核心组件分别放在普通样品托上，即离线式的检测方法，普通样品托仅包括基座和两端的插孔；离线的环境和电学器件工作的实际电场环境差别很大，离线检测方法不足以显示真实工作状况下器件各核心组件的化学和电子结构变化。
[0005]因此，亟需解决现有普通样品托不能实现在线检测光电子能谱的技术问题。

技术实现思路

[0006]为了解决现有的样品托不可以在线检测光电子能谱的问题，本专利技术提供了一种可以在线检测光电子能谱用于电学器件研究的样品托。
[0007]本专利技术通过以下技术方案来实现：
[0008]一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托，包括：
[0009]基座，所述基座安装于光电子能谱仪上；
[0010]电极组件，所述电极组件设于基座内，所述电极组件包括一对电极极板和一对电极，每个所述电极安装于对应的所述电极极板上，所述电极相对设置，所述电极之间形成电学器件安装位；
[0011]电极导入插孔，所述电极导入插孔设于基座的侧边，且所述电极导入插孔电连接所述电极。
[0012]进一步地，
[0013]所述一对电极极板包括电极A极板和电极B极板，
[0014]所述一对电极包括电极A和电极B，
[0015]所述电极导入插孔包括电极A导入插孔和电极B导入插孔，
[0016]所述电极A对应设置于电极A极板上，所述电极B对应设置于电极B极板上,所述电极A导入插孔和所述电极B导入插孔并排设于基座的同一侧，所述电极A导入插孔电连接电极A，所述电极B导入插孔电连接电极B。
[0017]进一步地，所述电极B极板上设置有金属片、绝缘薄片、接线螺钉和导线，所述接线螺钉贯穿所述金属片、所述绝缘薄片和电极B极板，所述金属片、所述绝缘薄片和电极B极板上均设有通孔，所述接线螺钉穿入所述金属片、所述绝缘薄片和电极B极板的通孔内，所述绝缘薄片位于所述金属片和电极B极板之间，电极B固定于所述金属片上，所述导线的一端连接导通电极B导入插孔，导线的另一端连接所述接线螺钉。
[0018]进一步地，还包括绝缘垫片，所述绝缘垫片位于电学器件安装位的下方。
[0019]进一步地，还包括压紧件，所述压紧件固定于电极A极板上，随着压紧件的移动而改变电学器件安装位的宽度并使其与电极片接触良好。
[0020]进一步地，还包括定位插孔，所述定位插孔位于基座的侧边，所述定位插孔和电极导入插孔分别位于基座的两侧。
[0021]进一步地，所述基座为无氧铜基座。
[0022]本专利技术还公开了一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的使用方法，包括：
[0023]S1、将电学器件放置于上述所述用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的电学器件安装位内；
[0024]S2、转动压紧件，将电学器件夹紧于电极A和电极B之间；
[0025]S3、将步骤S2中装有电学器件的样品托置于光电子能谱仪的分析腔室内，分析腔室内样品架的电极触点的一端与电极导入插孔连接，分析腔室内样品架的另一端连接外置设备。
[0026]进一步地，所述外置设备包括电化学工作站、电性能测试仪和太阳能电池I
‑
V测试仪中任意一种。
[0027]本专利技术的有益效果在于：通过在样品托上设计电极导入插孔，且电极导入插孔电连接电极，电学器件设于电极之间，使得光电子能谱仪的分析腔室内样品架的电极触点的一端与电极导入插孔连接，分析腔室内样品架的电极触点的另一端连接外置设备，通过外置设备导通电学器件，从而无需离线测试电学器件，实现了对电学器件的原位实时测试。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的结构示意图一；
[0029]图2为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的分解结构示意图；
[0030]图3为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的结构示意图二；
[0031]图4为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的结构示意图三；
[0032]图5为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的工作结构示意图一；
[0033]图6为本专利技术一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托的工作结构示意图二。
[0034]附图标记：1、样品托，11、基座，111、定位插孔，12、电极组件，121、电极极板，1211、电极A极板，1212、电极B极板，122、电极，1221、电极A，1222、电极B，123、通孔，13、电极导入插孔，131、电极A导入插孔，132、电极B导入插孔，14、金属片，15、绝缘薄片，16、接线螺钉，17、导线，18、绝缘垫片，19、压紧件，c、电学器件安装位，d、电学器件，3、电性能测试仪，4、样品架，5、电子能量分析器，6、分析腔室，7、电性能测试仪的连接电线，8、激发光源。
具体实施方式
[0035]为了使本专利技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0036]为了更清楚地解释本专利技术，采用光电子能谱仪和外置设备配合解释，光电子能谱仪包括激发光源8、电子能量分析器5、样品架4、真空系统和分析腔室6等。在光电子能谱仪中必需采纳真空系统，主要出于两方面的缘由：首先，光电子能谱是一种表面分析技术，假如分析室的真空度很差，在很短的时间内样品的清洁表面就可能被真空本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托，其特征在于，包括：基座(11)，所述基座(11)安装于光电子能谱仪上；电极组件(12)，所述电极组件(12)设于基座(11)内，所述电极组件(12)包括一对电极极板(121)和一对电极(122)，每个所述电极(122)安装于对应的所述电极极板(121)上，所述电极(122)相对设置，所述电极(122)之间形成电学器件安装位(c)；电极导入插孔(13)，所述电极导入插孔(13)设于基座(11)的侧边，且所述电极导入插孔(13)电连接所述电极(122)。2.根据权利要求1所述的用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托，其特征在于，所述一对电极极板(121)包括电极A极板(1211)和电极B极板(1212)，所述一对电极(122)包括电极A(1221)和电极B(1222)，所述电极导入插孔(13)包括电极A导入插孔(131)和电极B导入插孔(132)，所述电极A(1221)对应设置于电极A极板(1211)上，所述电极B(1222)对应设置于电极B极板(1212)上,所述电极A导入插孔(131)和所述电极B导入插孔(132)并排设于基座(11)的同一侧，所述电极A导入插孔(131)电连接电极A(1221)，所述电极B导入插孔(132)电连接电极B(1222)。3.根据权利要求2所述的用于电学器件研究的光电子能谱仪原位电场样品托，其特征在于，所述电极B极板(1212)上设置有金属片(14)、绝缘薄片(15)、接线螺钉(16)和导线(17)，所述金属片(14)、所述绝缘薄片(15)和电极B极板(1212)上均设有通孔(123)，所述接线螺钉(16)穿入所述金属片(14)、所述绝缘薄片(15)和电极B极板(1212)的通孔(123)内，所述绝缘薄片(15)位于所述金属片(14)和电极B极板(...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢方艳，洪才浩，杨洋，寿林，杨慕紫，陈建，龚力，
申请(专利权)人：北京玉研精密仪器有限公司北京瑞迪艾特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：