一种发光二极管控制装置制造方法及图纸

技术编号:39219847 阅读:32 留言:0更新日期:2023-10-30 11:27
本实用新型专利技术公开一种发光二极管控制装置,涉及半导体器件技术领域,一种发光二极管控制装置,包括控制盒,所述控制盒设置为长盒结构,所述控制盒的前后两侧壁对称开设有若干个过滤栅格,所述控制盒的顶端开设有滑槽,所述滑槽内滑动连接有活动开关,每一个所述锁紧底脚顶端安装有六角螺栓。每一个所述过滤栅格内固定安装有微型电风扇叶。本实用新型专利技术通过在控制盒的顶端开设有滑槽,通过活动开关在滑槽内向左推动或向右推动,带动活动开关底部的第一连接端子与第二连接端子分别与底部的公共弹性金属片、第二弹性金属片连接或与底部的公共弹性金属片、第一弹性金属片连接,从而实现对发光二极管的控制。光二极管的控制。光二极管的控制。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管控制装置


[0001]本技术涉及半导体器件
,具体涉及一种发光二极管控制装置。

技术介绍

[0002]发光二极管,简称为LED,是一种常用的发光器件,通过电子与空穴复合释放能量发光,它在照明领域应用广泛。发光二极管可高效地将电能转化为光能,在现代社会具有广泛的用途,如照明、平板显示、医疗器件等。
[0003]发光二极管简称为LED。由含镓(Ga)、砷(As)、磷(P)、氮(N)等的化合物制成。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。
[0004]目前发光二极管在使用时,发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管控制装置,包括控制盒,其特征在于:所述控制盒设置为长盒结构,所述控制盒的前后两侧壁对称开设有若干个过滤栅格,所述控制盒的顶端开设有滑槽,所述滑槽内滑动连接有活动开关,所述活动开关顶端设置有推柱。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管控制装置,其特征在于:所述控制盒的左右两侧壁各设置有锁紧底脚,每一个所述锁紧底脚顶端安装有六角螺栓。3.根据权利要求1所述的一种发光二极管控制装置,其特征在于:每一个所述过滤栅格内固定安装有微型电风扇叶。4.根据权利要求1所述的一种发光二极管控制装置,其特征在于:所述活动开关的前后两侧壁各设置有滑块,所述滑槽的内壁前后两侧对称开设有导向滑槽,所述活动开关前后两侧的滑块通过滑动配合...

【专利技术属性】
技术研发人员:宁山峰
申请(专利权)人:深圳市聚丰彩光电有限公司
类型:新型
国别省市:

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