【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电源抑制增强器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年3月25日向美国专利商标局提交的非临时专利申请号17/213,044的优先权和权益，该申请的全部内容并入本文，如同在下文中以其全文完全阐述一样并且用于所有适用目的。
[0003]本公开的各方面通常涉及电压调节，并且更特别地涉及增强电压调节器的电源抑制。
技术介绍
[0004]电压调节器可用于从噪声电源向电路提供干净的调节电压。电源抑制(PSR)测量电压调节器在调节器的输出端处抑制电源噪声的能力。PSR越高，提供给电路的调节电压就越干净。
技术实现思路
[0005]以下呈现一个或多个实现的简化概述，以便提供对此类实现的基本理解。该
技术实现思路
不是所有预期实现的广泛综述，并且既不旨在标识所有实现方式的关键或重要元素，也不旨在界定任何或所有实现方式的范围。其唯一目的是以简化的形式呈现一个或多个实现方式的一些构思，作为稍后呈现的更详细描述的序言。
[0006]第一方面涉及一种系统。该系统包括具有输入端和输出端的放...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种系统，包括：放大电路，具有输入端和输出端，其中所述放大电路的所述输入端耦合到低压差(LDO)调节器的传输晶体管的栅极；和金属氧化物半导体(MOS)电容器，耦合在所述放大电路的所述输出端与所述放大电路的所述输入端之间。2.根据权利要求1所述的系统，其中所述MOS电容器包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管，所述MOS晶体管具有耦合到所述放大电路的所述输入端的栅极，以及耦合到所述放大电路的所述输出端的漏极和源极。3.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管和所述MOS晶体管具有相同的晶体管类型。4.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且所述MOS晶体管包括第二PMOS晶体管。5.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且所述MOS晶体管包括第二NMOS晶体管。6.根据权利要求2所述的系统，其中所述MOS晶体管与所述传输晶体管成比例。7.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管的尺寸是所述MOS晶体管的尺寸的倍数。8.根据权利要求2所述的系统，其中所述传输晶体管的栅极宽度或栅极面积是所述MOS晶体管的栅极宽度或栅极面积的倍数。9.根据权利要求1所述的系统，还包括电流感测晶体管，所述电流感测晶体管具有耦合到所述传输晶体管的所述栅极的栅极，以及耦合到所述放大电路的漏极。10.根据权利要求9所述的系统，其中所述传输晶体管和所述电流感测晶体管具有相同的晶体管类型。11.根据权利要求9所述的系统，其中所述传输晶体管包括第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，并且所述电流感测晶体管包括第二PMOS晶体管。12.根据权利要求1所述的系统，还包括耦合在所述放大电路的所述输入端与所述传输晶体管的所述栅极之间的第一开关。13.根据权利要求12所述的系统，还包括耦合在所述放大电路的所述输入端与接地之间的第二开关。14.根据权利要求1所述的系统，还包括耦合在所述传输晶体管的所述栅极与所述放大电路的所述输入端之间的高通滤波器。15.根据权利要求14所述的系统，其中所述高通滤波器包括：电容器，耦合在所述传输晶体管的所述栅极与所述放大电路的所述输入端之间；以及电阻器，耦合到所述放大电路的所述输入端。16.根据权利要求15所述的系统，其中所述电阻器耦合在所述放大电路的所述输入端与所述LDO调节器的输出端之间。17.根据权利要求1所述的系统，其中所述放大电路包括：放大器，具有第一输入端、第二输入端和输出端，其中所述放大器的所述输出端耦合到所述放大电路的所述输出端，并且所述放大器的所述第一输入端耦合到所述放大电路的所
述输入端；第一电阻器，耦合到所述放大器的所述第二输入端；以及第二电阻器，耦合在所述放大器的所述输出端与所述放大器的所述第二输入端之间。18.根据权利要求17所述的系统，其中所述第一电阻器耦合在所述放大器的所述第二输入端与所述LDO调节器的输出端之间。19.根据权利要求17所述的系统，其中所述放大器包括：第一输入晶体管，具有耦合到所述放大器的所述第一输入端的栅极；第二输入晶体管，具有耦合到所述放大器的所述第二输入端的栅极；负载电路，耦合到所述第一输入晶体管的漏极、所述第二输入晶体管的漏极和所述放大器的所述输出端；和电流镜，耦合到所述第一输入晶体管的源极和所述第二输入晶...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。