半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法技术

本申请实施例提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法，涉及显示设备技术领域，所述半导体器件结构包括衬底、绝缘柱、两个第一开关器件。所述绝缘柱位于所述衬底的一侧；在第一方向上，两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧，所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层，所述第一方向平行于所述衬底；其中，两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。本申请可以形成两个第一开关器件，因此在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下，可以提高半导体器件结构的输出电流。输出电流。输出电流。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法


[0001]本申请涉及显示设备
，具体而言，涉及一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法。

技术介绍

[0002]随着用户对电子产品越来越高的体验需求，涌现出了各种各样的显示产品，为了提高用户的体验感，通常需要提高半导体器件结构的输出电流。
[0003]然而，现有技术中在不增加半导体器件结构在衬底上的正投影面积的情况下，不容易提高半导体器件结构的输出电流；或者在输出电流不变的情况下，不容易减小半导体器件结构在衬底上的正投影面积，从而不利于提高半导体器件结构的像素密度。

技术实现思路

[0004]为了克服上述技术背景中所提及的技术问题，本申请实施例提供了一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括。
[0005]衬底；位于所述衬底一侧的绝缘柱；两个第一开关器件，在第一方向上，两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧，所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层，所述第一方向平行于所述衬底所在平面；其中，两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。
[0006]在一种可能的实施方式中，所述第一半导体层位于所述衬底的一侧，所述第一绝缘层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述栅极层位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；优选地，沿第二方向，所述绝缘柱在所述衬底上的正投影的宽度大于或等于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交；优选地，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
[0007]在一种可能的实施方式中，两个所述第一开关器件的栅极层具有间隙且所述间隙位于所述绝缘柱远离所述衬底的一侧；所述第一开关器件还包括第二绝缘层、第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述绝缘柱远离所述衬底的一侧，两个所述第一开关器件的所述第二电极沿所述第一方向分别设置于所述绝缘柱的两侧；所述第一电极和所述第二电极中的一者为源极，另一者为漏极；第一电极和第二电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的通孔与第一半导体层电连接；优选地，两个所述第一开关器件共用一个所述第一电极；
优选地，两个所述第一开关器件的栅极层对称设置在所述绝缘柱的两侧；优选地，所述栅极层在所述衬底上的正投影部分围绕所述第一电极对应的通孔在所述衬底上的正投影；优选地，两个所述第一开关器件的所述栅极层连为一体。
[0008]在一种可能的实施方式中，所述半导体器件结构还包括位于所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第二半导体层、位于所述绝缘柱两侧的所述栅极层和所述第二绝缘层形成位于所述绝缘柱两侧的两个第二开关器件；优选地，沿第二方向，所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度范围和所述第二半导体层在所述衬底上的正投影的宽度范围均为1um
‑
100um；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交。
[0009]在一种可能的实施方式中，位于所述绝缘柱第一侧的所述第二开关器件共用位于所述绝缘柱第一侧的所述第一开关器件的所述第一电极、栅极层和第二电极；位于所述绝缘柱第二侧的所述第二开关器件共用位于所述绝缘柱第二侧的所述第一开关器件的所述第一电极、栅极层和第二电极。
[0010]在一种可能的实施方式中，所述栅极层位于所述衬底的一侧，所述第一绝缘层位于所述栅极层远离所述衬底的一侧，所述第一半导体层位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；优选地，所述第一开关器件还包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述第一绝缘层与所述第一半导体层之间；优选地，沿第二方向，所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度范围为1um
‑
100um；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交；优选地，沿第二方向，所述绝缘柱在所述衬底上的正投影的宽度大于或等于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交；优选地，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。
[0011]在一种可能的实施方式中，两个所述第一开关器件的栅极层在所述绝缘柱远离所述衬底的一侧相互连通。
[0012]在一种可能的实施方式中，所述绝缘柱的侧面与所述绝缘柱的底面之间的夹角范围为大于或等于40
°
且小于或等于90
°
；优选地，所述绝缘柱的侧面与所述绝缘柱的底面之间的夹角为90
°
；优选地，沿垂直于所述衬底所在平面的方向，所述绝缘柱的高度为0.5um
‑
10um；优选地，所述绝缘柱的材质为氧化硅、氮化硅或三氧化二铝中的至少一种。
[0013]在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种显示面板，所述显示面板包括本申请中所述的半导体器件结构。
[0014]在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种半导体器件结构的制备方法，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成绝缘柱；在所述衬底的一侧形成覆盖至少部分所述绝缘柱的第一半导体层；
在所述衬底的一侧形成覆盖所述第一半导体层的第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成栅极层；所述栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。
[0015]在一种可能的实施方式中，在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧形成覆盖所述栅极层的第二绝缘层，并在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层相对的位置形成多个通孔；在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成第一电极和第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极均依次贯穿所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的通孔与所述第一半导体层连接；在所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧形成覆盖至少部分所述第一电极和至少部分所述第二电极的第二半导体层。
[0016]在一种可能的实施方式中，本申请还提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请中所述的显示面板。
[0017]相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：本申请提供的一种半导体器件结构、显示面板及半导体器件结构的制备方法，通过在衬底的一侧设置绝缘柱，可以形成垂直沟道，从而可以形成两个第一开关器件，进而可以提高半导体器件结构的输出电流，或者在相同的输出电流的情况下，可以减小半导体器件结构在衬底上的正投影面积，从而有利于提高该半导体器件结构的像素密度。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为本实施例提供的现有技术中半导体器件结构的俯视示意图；图2为本实施例提供的本申请中一种半导体器件结构的截面示意图；图3为本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：衬底；位于所述衬底一侧的绝缘柱；两个第一开关器件，在第一方向上，两个所述第一开关器件位于所述绝缘柱相对的两侧，所述第一开关器件包括层叠设置的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层，所述第一方向平行于所述衬底所在平面；其中，两个所述第一开关器件的第一半导体层、第一绝缘层和栅极层从靠近所述衬底的位置沿所述绝缘柱的侧壁延伸至所述绝缘柱远离所述衬底的一侧。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，所述第一半导体层位于所述衬底的一侧，所述第一绝缘层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述栅极层位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；优选地，沿第二方向，所述绝缘柱在所述衬底上的正投影的宽度大于或等于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交；优选地，所述第一方向与所述第二方向相互垂直。3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于，两个所述第一开关器件的栅极层具有间隙且所述间隙位于所述绝缘柱远离所述衬底的一侧；所述第一开关器件还包括第二绝缘层、第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述绝缘柱远离所述衬底的一侧，两个所述第一开关器件的所述第二电极沿所述第一方向分别设置于所述绝缘柱的两侧；所述第一电极和所述第二电极中的一者为源极，另一者为漏极；第一电极和第二电极通过贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的通孔与第一半导体层电连接；优选地，两个所述第一开关器件共用一个所述第一电极；优选地，两个所述第一开关器件的栅极层对称设置在所述绝缘柱的两侧；优选地，所述栅极层在所述衬底上的正投影部分围绕所述第一电极对应的通孔在所述衬底上的正投影；优选地，两个所述第一开关器件的所述栅极层连为一体。4.根据权利要求3所述的半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构还包括位于所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第二半导体层、位于所述绝缘柱两侧的所述栅极层和所述第二绝缘层形成位于所述绝缘柱两侧的两个第二开关器件；优选地，沿第二方向，所述第一半导体层在所述衬底上的正投影的宽度范围和所述第二半导体层在所述衬底上的正投影的宽度范围均为1um
‑
100um；所述第二方向平行于所述衬底所在平面且与所述第一方向相交。5.根据权利要求4所述的半导体器件结构，其特征在于，位于所述绝缘柱第一侧的所述第二开关器件共用位于所述绝缘柱第一侧的所述第一开关器件的所述第一电极、栅极层和第二电极；位于所述绝缘柱第二侧的所述第二开关器件共用位于所述绝缘柱第二侧的所述第一开关器件的所述第一电极、栅极层和第二电极。6.根据权利要求1所述的半导体器件结...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏国文，徐琳，丁力栋，王德坚，孙晓琦，李俊峰，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：