宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法、宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备钙钛矿前驱体溶液：将油胺碘溶解在溶剂中，再将上述溶液加入到含CsI、FAPbI3和MAPbBr3的溶液中，得到宽带隙钙钛矿前驱体溶液；(2)制备钙钛矿薄膜：旋涂钙钛矿溶液，采用乙酸乙酯进行反溶剂处理，然后退火进行结晶，得到宽带隙钙钛矿薄膜；(3)制备钙钛矿薄膜表面的钝化层。本发明专利技术还公开了包含上述宽带隙钙钛矿薄膜的宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。本发明专利技术有效钝化了宽带隙钙钛矿薄膜的表面缺陷及体缺陷，实现了高质量的宽带隙钙钛矿薄膜的制备，以其为吸光层的钙钛矿太阳能电池组件，减少了非辐射复合，提高了室内弱光效率。提高了室内弱光效率。提高了室内弱光效率。

【技术实现步骤摘要】
宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法、宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池的制备领域，特别涉及宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法、宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着数字时代对物联网(IoT)追求，室内光伏(IPVs)为自主设备供电的需求将迅速增加。在这种情况下，单靠电池供电的设备将不再适用于所有情况，室内光伏作为低照度条件的光源，可以满足低功率条件下的工作要求。
[0003]IPVs的功率转换效率很大程度上取决于室内典型光谱与光吸收层带隙的匹配程度。因此，带隙可调的金属卤化物钙钛矿，有希望达到～60％的室内弱光效率。然而，具有理想带隙的钙钛矿材料通常含有较高的溴(Br)含量，导致较低的开路电压(Voc)。溶液法制备的多晶宽带隙钙钛矿薄膜中存在众多缺陷，这些缺陷会作为载流子复合中心引起严重的非辐射复合，导致电压损失。除此之外，宽带隙钙钛矿薄膜表面或晶界处的缺陷、相分离等均会降低宽带隙钙钛矿太阳能电池的稳定性。
[0004]谢等人在专利(CN115802770A)中提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)制备钙钛矿前驱体溶液：将油胺碘溶解在由DMF和DMSO组成的混合溶剂中，得到油胺碘溶液；再将油胺碘溶液加入含CsI、FAPbI3和MAPbBr3的溶液中，得到钙钛矿前驱体溶液；其中，钙钛矿前驱体溶液中，油胺碘的浓度为0.5
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3mg/ml；(2)制备钙钛矿薄膜：旋涂钙钛矿前驱体溶液，采用乙酸乙酯进行反溶剂处理，然后在95
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100℃退火进行结晶，得到钙钛矿薄膜；(3)制备钙钛矿薄膜表面的钝化层：将PEAI溶液沉积在钙钛矿薄膜上进行2D钝化，然后在100
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110℃退火，得到钙钛矿薄膜表面的钝化层。2.根据权利要求1所述的宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述钙钛矿前驱体溶液中，CsI、FAPbI3和MAPbBr3的浓度分别为380
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400mg/ml、910
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930mg/ml、700
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720mg/ml。3.根据权利要求1所述的宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述旋涂钙钛矿溶液，具体采用连续两步旋转程序，首先以1000
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1200rpm的速率旋涂4
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5s，然后以4000
‑
4200rpm的速率旋涂25
‑
30s。4.根据权利要求1所述的宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，所述采用乙酸乙酯进行反溶剂处理，具体为：在旋涂结束前8
‑
10s，滴加乙酸乙酯滴到旋转的钙钛矿薄膜上。5.宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件，其特征在于，以权利要求1
‑
4任一项所述的宽带隙钙钛矿薄膜的制备方法制备得到的宽带隙钙钛矿薄膜为光吸收层。6.根据权利要求5所述的宽带隙反式钙钛矿太阳能电池组件，其特征在于，器件结构为：ITO/NiO
x
/PTAA/Al2O3/Cs
0.05
FA
0.70
MA
0.25
PbI
2.25
Br
0.75
/PEAI/C
60
/SnO2/Ag。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦耀华，王有生，马巧燕，延小鹏，吴绍航，
申请(专利权)人：广东脉络能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：