基板制造装置制造方法及图纸

基板制造装置具备配置半导体基板的载台。基板制造装置具备向配置于载台的半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光的照射部。基板制造装置具备控制载台和照射部的相对位置的控制部。照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点。控制部使载台和照射部的相对位置以规定速度与多个聚光点排列的直线平行地移动。规定速度是多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同的速度。移动的距离与规定间距相同的速度。移动的距离与规定间距相同的速度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板制造装置


[0001]本专利技术涉及一种基板制造装置。

技术介绍

[0002]专利文献1公开了由氮化镓锭生成氮化镓基板的方法。具体而言，在氮化镓的锭内部的一定深度，通过一边以一定速度扫描脉冲激光的聚光点一边照射脉冲激光，从而形成使镓和氮析出的改质区域。通过在平面上形成多个改质区域，从而形成界面。通过将锭加热到镓熔融的温度，并且使第一保持部件和第二保持部件向相互分离的方向移动，从而将锭从界面分离而生成氮化镓基板。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017－57103号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]为了可靠地形成改质区域，需要增大赋予照射点的能量的总量。但是，如果提高激光的输出，则会通过一次照射赋予照射点大的能量，因此，有时会产生意外的裂纹等。分离的氮化镓基板的表面粗糙度会变大。
[0008]解决问题的技术手段
[0009]本专利技术的一方面的基板制造装置具备供半导体基板配置的载台。基板制造装置具备向配置于载台的半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光的照射部。基板制造装置具备控制载台和照射部的相对位置的控制部。照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点。控制部使载台和照射部的相对位置以规定速度与多个聚光点排列的直线平行地移动。规定速度是多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同的速度。
[0010]在本专利技术的一方面的基板制造装置中，使多个聚光点沿多个聚光点排列的直线方向移动。再有，多个聚光点在规定脉冲周期的1周期移动的距离与规定间距相同。由此，能够向同一照射点照射脉冲激光的多个聚光点。因此，能够通过多个聚光点分多次对同一照射点赋予能量。与通过一次照射对照射点赋予能量的情况相比，能够在将赋予的能量的总量设为同等以上的同时，减少每一次照射的激光输出。能够抑制意外的裂纹等的产生。
[0011]照射部也可以具备多个激光光源。也可以通过多个激光光源生成多个聚光点。
[0012]多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量也可以与其它的聚光点的脉冲能量不同。
[0013]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量也可以小于行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。
[0014]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量也可以大于行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。
[0015]多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲宽度也可以与其它的聚光点的脉冲宽度不同。
[0016]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度也可以小于行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。
[0017]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲宽度也可以大于行进方向的后侧的聚光点的脉冲宽度。
[0018]多个聚光点中的一部分的聚光点的波长也可以与其它的聚光点的波长不同。
[0019]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长也可以大于行进方向的后侧的聚光点的波长。
[0020]多个聚光点中多个聚光点通过控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的波长也可以比行进方向的后侧的聚光点的波长小。
[0021]也可以还具备测定通过多个聚光点形成于载台上的半导体基板的改质区域的测定部。照射部也可以根据基于测定部的测定结果，控制多个聚光点的数量。
[0022]测定部也可以测定改质区域的大小。照射部也可以控制为改质区域的大小越小，多个聚光点的数量越多。
[0023]专利技术的效果
[0024]本专利技术能够提供可抑制意外的裂纹等的产生的基板制造装置。
附图说明
[0025]图1是第一实施方式的基板制造装置的概略结构图。
[0026]图2是表示多个聚光点的概略图。
[0027]图3是表示多个扫描线的概略图。
[0028]图4是表示多个聚光点移动的情形的图。
[0029]图5是表示第一实施方式的基板制造方法的流程图。
[0030]图6是表示形成有改质层的锭的一个例子的图。
[0031]图7是第二实施方式的基板制造装置的概略结构图。
具体实施方式
[0032]以下，参照附图，对本专利技术的实施方式进行详细的说明。此外，在各图中，对相同或相当的部分标注相同的符号，并省略重复的说明。
[0033][第一实施方式][0034][基板制造装置的结构][0035]图1是基板制造装置1的概略结构图。基板制造装置1具备载台驱动部11、载台12、照射部13、测定部14以及控制部15。载台驱动部11、照射部13及测定部14由控制部15控制。控制部15例如为PC。在载台12上配置作为加工对象的锭(半导体基板)30。
[0036]照射部13是对配置于载台12的锭30照射规定脉冲周期的脉冲激光的部位。照射部13具备激光光源21、空间光调制器23及聚光透镜24。激光光源21是输出对锭30具有透过性的激光的装置。在第一实施方式中，脉冲激光的振荡频率为50kHz(即，脉冲周期为0.02ms)，脉冲激光的波长为532nm。
[0037]空间光调制器23是调制从激光光源21输出的脉冲激光PL的相位的装置。在第一实施方式中，空间光调制器23是基于反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空间光调制器。能够通过空间光调制器23自由地形成光束图案。另外，空间光调制器23能够进行脉冲激光PL的调制，使得多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量与其它的聚光点的脉冲能量不同。在第一实施方式中，进行脉冲激光PL的调制，以形成下述的六个聚光点P1～P6。此外，聚光点的数量能够自如地变更，不限于六个。另外，各聚光点中的脉冲能量也能够个别地设定。
[0038]聚光透镜24对由空间光调制器23调制的脉冲激光进行聚光。由此，能够在从聚光透镜24离开聚光距离FD的位置形成六个聚光点P1～P6。在图2中，是多个聚光点P1～P6所在的深度处的锭30的截面图。即，图2是形成有改质层L1的面上的锭30的截面图。聚光点P1～P6在沿X方向延伸的直线LX上排列。照射部13生成多个聚光点P1～P6。聚光点P1～P6以规定间距PP等间隔地排列。在第一实施方式中，规定间距PP为5μm，聚光点P1～P6各自的峰输出为0.025W，是相同的。
[0039]通过控制部15控制载台驱动部11，能够使载台12沿X、Y、Z方向移动。即，控制部15通过载台驱动部11控制载台12和照射部13的相对位置。控制部15使载台12和照射部13的相对位置(换言之，照射部13相对于载台12的位置、或载台12相对于照射部13的位置)以规定速度与多个聚光点P1～P6排列的直线LX平行地移动。测定部14是测定形成于锭30的内部的多个改质区域MA的部位。关于改质区域MA，在后面叙述。在第一实施方式中，测定部14是相机。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板制造装置，其中，具备：载台，其供半导体基板配置；照射部，其向配置于所述载台的所述半导体基板照射规定脉冲周期的脉冲激光；及控制部，其控制所述载台和所述照射部的相对位置，所述照射部生成以规定间距在直线上排列的多个聚光点，所述控制部使所述载台和所述照射部的相对位置以规定速度与所述多个聚光点排列的直线平行地移动，所述规定速度是所述多个聚光点在所述规定脉冲周期的1周期移动的距离与所述规定间距相同的速度。2.根据权利要求1所述的基板制造装置，其中，所述照射部具备多个激光光源，通过所述多个激光光源生成所述多个聚光点。3.根据权利要求1或2所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲能量与其它的聚光点的脉冲能量不同。4.根据权利要求3所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量小于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。5.根据权利要求3所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中所述多个聚光点通过所述控制部移动的行进方向的前侧的聚光点的脉冲能量大于所述行进方向的后侧的聚光点的脉冲能量。6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板制造装置，其中，所述多个聚光点中的一部分的聚光点的脉冲宽度与其它的聚光点的脉冲宽度不同。7.根据权利要求6所述的基板制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中敦之，瀬奈哈迪，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：