一种高能钽电容器及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种高能钽电容器及封装方法，所述高能钽电容器包括钽壳、设置在钽壳内的电容器组件以及用于将电容器组件密封在钽壳内的钽盖，电容器组件的阳极钽块引出有钽丝，所述钽盖的中心处设有向钽壳内凹陷的凹槽，钽盖上安装有绝缘子钽管和玻璃体，所述玻璃体以及所述绝缘子钽管的下端均装填于所述凹槽内，且玻璃体将绝缘子钽管的下端包裹，所述绝缘子钽管的上端伸出钽盖，所述玻璃体上最高点所在的水平面低于钽盖的上表面所在的水平面，所述钽丝从下往上穿出绝缘子钽管并与绝缘子钽管实现焊接形成球状体。本发明专利技术能够极大地减小绝缘子受到外力冲击的可能性，降低漏液风险，产品可靠性得到极大提升。产品可靠性得到极大提升。产品可靠性得到极大提升。

【技术实现步骤摘要】
一种高能钽电容器及封装方法


[0001]本专利技术涉及高能钽电容器结构领域，具体是一种高能钽电容器及封装方法。

技术介绍

[0002]高能钽电容器是一种新型的钽电容器，全钽外壳，激光焊接封装，密封性好，可靠性高，该类型产品能量密度大，具有极高的容积比，一只产品可发挥十几只等体积产品的功能，在电子整机设备的小型化和轻量化中有极大应用价值。
[0003]如图1所示，传统高能钽电容器包括钽壳、阳极钽块、阴极、垫片、负极引线、阳极引出钽丝、绝缘环、玻璃体、钽盖、正极引线等，电容器内部和绝缘子之间是紧密相接的，阳极钽块引出钽丝直接焊接在绝缘子钽丝上，由于最外层利用激光焊接将钽壳与钽盖焊接在一起，形成这样一种单一密封结构的全密封状态，而钽盖表面玻璃体直接与产品内部电解质及其他部件接触，当电容器的绝缘子玻璃体受到内外部冲击造成结构破损时，产品就必然会发生漏液，致使所在板载线路板存在报废风险。

技术实现思路

[0004]为克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种高能钽电容器及封装方法，用以解决现有高能钽电容器存在抗震性能较差，容易造成电容器内部电解液泄漏而导致电容器所在板载线路板存在报废风险的问题。
[0005]本专利技术解决上述问题所采用的技术方案是：
[0006]一种高能钽电容器，包括钽壳、设置在钽壳内的电容器组件以及用于将电容器组件密封在钽壳内的钽盖，电容器组件的阳极钽块引出有钽丝，所述钽盖的中心处设有向钽壳内凹陷的凹槽，钽盖上安装有绝缘子钽管和玻璃体，所述玻璃体以及所述绝缘子钽管的下端均装填于所述凹槽内，且玻璃体将绝缘子钽管的下端包裹，所述绝缘子钽管的上端伸出钽盖，所述玻璃体上最高点所在的水平面低于钽盖的上表面所在的水平面，所述钽丝从下往上穿出绝缘子钽管并与绝缘子钽管实现焊接形成球状体。
[0007]进一步地，作为优选技术方案，还包括密封垫，所述密封垫位于钽盖下方且与钽盖紧贴，密封垫的四周与钽壳紧贴。
[0008]进一步地，作为优选技术方案，所述密封垫的中心处设有与所述凹槽的形状和大小相匹配的凹口，所述凹口的中心设有贯穿密封垫的微孔，所述电容器组件的阳极钽块引出的钽丝穿过该微孔并与绝缘子钽管实现焊接。
[0009]进一步地，作为优选技术方案，所述微孔的孔径为所述钽丝的直径的0.5
‑
0.8倍。
[0010]进一步地，作为优选技术方案，所述密封垫上与钽壳相贴的侧面设有环形槽，所述环形槽内装填有与环形槽的形状和大小相匹配的耐高温密封圈。
[0011]进一步地，作为优选技术方案，所述钽壳上设有与所述环形槽的形状和大小相匹配的内凹滚槽。
[0012]进一步地，作为优选技术方案，所述密封垫为四氟垫片。
[0013]一种高能钽电容器的封装方法，包括以下步骤：
[0014]步骤1：将电容器组件装入钽壳内部，再将电容器组件的阳极钽块的钽丝引出并穿过密封垫上的微孔；
[0015]步骤2：将耐高温密封圈套入密封垫上的环形槽内，并将密封垫安放到钽壳内，耐高温密封圈与钽壳紧贴；
[0016]步骤3：将钽壳放入滚槽机中，根据设计好的高度调整滚轮高度，然后对钽壳进行挤压，钽壳受压产生内凹，内凹的钽壳与耐高温密封圈以及密封垫形成密封；
[0017]步骤4：将穿过密封垫中心微孔的钽丝穿入绝缘子钽管并将其引出；
[0018]步骤5：将钽盖放置到钽壳上，钽盖与密封垫相贴，通过焊接实现钽盖与钽壳密封固定连接；
[0019]步骤6：将绝缘子钽管引出的钽丝与绝缘子钽管用氩弧焊机焊接在一起，此时焊接处会形成一个球状体；
[0020]步骤7：用对焊机将正极引线碰焊到绝缘子球状体上形成电容器的正极引线；
[0021]步骤8：根据客户要求将负极引线碰焊到客户要求的钽外壳表面平整处，从而完成整个电容器产品的生产过程。
[0022]进一步地，作为优选技术方案，所述步骤1中，微孔的孔径为钽丝的直径的0.5
‑
0.8倍，将钽丝涂抹电子密封胶后塞入微孔中。
[0023]进一步地，作为优选技术方案，所述步骤1中，微孔的孔径为0.3mm，钽丝的直径为0.5mm，将钽丝涂抹电子密封胶后塞入微孔中。
[0024]本专利技术相比于现有技术，具有以下有益效果是：
[0025](1)本专利技术相较于传统高能钽电容器，创新性地将传统的外凸式结构，设计为内凹式结构，整个玻璃体完全位于钽盖表面以下，从而能够极大地减小绝缘子受到外力冲击的可能性，降低漏液风险，产品可靠性得到极大提升。
[0026](2)本专利技术通过设计密封垫，并进一步采用滚槽处理，使密封垫与钽壳之间形成多重密封，从而实现了电容器钽芯子与钽盖之间完全隔离，使电容器内部电解液处理密闭状态而不会与绝缘子直接接触，即使电容器绝缘子不可避免地受到冲击而损坏，在密封垫的作用下，也不会导致电容器发生漏液，从而极大地提升了电容器的抗震性能，有利于更好地适应复杂、恶劣的环境。
附图说明
[0027]图1为现有高能钽电容器的结构示意图；
[0028]图2为本专利技术的高能钽电容器结构示意图；
[0029]图3为本专利技术的密封垫的纵截面结构示意图；
[0030]图4为本专利技术的密封垫的俯视图；
[0031]图5为本专利技术的钽壳经滚槽处理前后的结构变化示意图。
[0032]图中附图标记对应的名称为：1、钽壳，2、钽盖，3、凹槽，4、钽管，5、玻璃体，6、钽丝，7、球状体，8、阳极钽块，9、内凹滚槽，10、密封垫，101、凹口，102、微孔，103、环形槽。
具体实施方式
[0033]下面结合实施例及附图，对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。
[0034]实施例
[0035]如图2所示，本实施例所示的一种高能钽电容器，包括钽壳1、设置在钽壳内的电容器组件以及用于将电容器组件密封在钽壳1内的钽盖2，电容器组件的阳极钽块8引出有钽丝6，钽盖2的中心处设有向钽壳1内凹陷的凹槽3，钽盖2上安装有绝缘子钽管4和玻璃体5，玻璃体5以及绝缘子钽管4的下端均装填于凹槽3内，且玻璃体5将绝缘子钽管4的下端包裹，绝缘子钽管4的上端伸出钽盖2，玻璃体5上最高点所在的水平面低于钽盖2的上表面所在的水平面，钽丝6从下往上穿出绝缘子钽管4并与绝缘子钽管4实现焊接形成球状体7，该球状体7可进行引线碰焊，客户焊接主要是焊接在碰焊后的引线上。
[0036]本实施例中，钽壳内的电容器组件为现有高能钽电容器的通用结构，不属于本专利技术的改进点，其主要包括阳极钽块、隔膜、绝缘带、各种垫片等，由于其不属于本专利技术的改进点，同时又属于现有结构，故本实施例不再对其具体结构、连接关系、工作原理等做过多的赘述。
[0037]本实施例中，通过在钽盖2的中心处设置向钽壳1内凹陷的凹槽3，创新性地将钽盖设计为内凹式结构，使装填在该凹槽3内的玻璃体5下沉到钽壳1内，一来相比传统高能钽外凸式放置玻璃体，本专利技术能够在一定程度上减小高能钽电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高能钽电容器，包括钽壳(1)、设置在钽壳内的电容器组件以及用于将电容器组件密封在钽壳(1)内的钽盖(2)，电容器组件的阳极钽块(8)引出有钽丝(6)，其特征在于，所述钽盖(2)的中心处设有向钽壳(1)内凹陷的凹槽(3)，钽盖(2)上安装有绝缘子钽管(4)和玻璃体(5)，所述玻璃体(5)以及所述绝缘子钽管(4)的下端均装填于所述凹槽(3)内，且玻璃体(5)将绝缘子钽管(4)的下端包裹，所述绝缘子钽管(4)的上端伸出钽盖(2)，所述玻璃体(5)上最高点所在的水平面低于钽盖(2)的上表面所在的水平面，所述钽丝(6)从下往上穿出绝缘子钽管(4)并与绝缘子钽管(4)实现焊接形成球状体(7)。2.根据权利要求1所述的一种高能钽电容器，其特征在于，还包括密封垫(10)，所述密封垫(10)位于钽盖(2)下方且与钽盖(2)紧贴，密封垫(10)的四周与钽壳(1)紧贴。3.根据权利要求2所述的一种高能钽电容器，其特征在于，所述密封垫(10)的中心处设有与所述凹槽(3)的形状和大小相匹配的凹口(101)，所述凹口(101)的中心设有贯穿密封垫的微孔(102)，所述电容器组件的阳极钽块(8)引出的钽丝(6)穿过该微孔(102)并与绝缘子钽管(4)实现焊接。4.根据权利要求3所述的一种高能钽电容器，其特征在于，所述微孔(102)的孔径为所述钽丝(6)的直径的0.5
‑
0.8倍。5.根据权利要求4所述的一种高能钽电容器，其特征在于，所述密封垫(10)上与钽壳(2)相贴的侧面设有环形槽(103)，所述环形槽(103)内装填有与环形槽(103)的形状和大小相匹配的耐高温密封圈。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：谢哲，李坤奇，杨勇，朱财君，吴越，王波，李俊伟，
申请(专利权)人：成都铭瓷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：