一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法，属于水处理科学与技术领域。所述制备方法为：对膜基底进行亲水改性，得到亲水改性的膜基底；硅源前驱体从溶液相扩散到液相中，并在膜面催化剂的作用下反应，得到混合液；将膜基底置于混合液中，进行纳米刺状结构的成核和生长，获得表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜。本发明专利技术制备的表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜具有良好的水通量和机械强度，且对细菌及微生物在基膜上的生长定殖有明显的抑制作用，有效提高了基膜的抗菌抗污染性能，在水处理领域具有潜在的应用价值。在水处理领域具有潜在的应用价值。在水处理领域具有潜在的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法


[0001]本专利技术涉及一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法，属于水处理科学与


技术介绍

[0002]与传统分离方法(混凝絮凝、常规过滤和生化处理系统)相比，膜分离技术因分离精度高、分离能耗低、操作简便、占地面积小等优点而广泛应用于水处理领域。而膜污染限制了膜的渗透通量，降低了膜的使用寿命和分离效率，严重制约了膜技术的应用和发展，因此预防和控制膜污染仍是膜法处理废水过程中的研究重点。
[0003]在膜技术分离过程中，细菌之间会通过多糖、蛋白、核酸和脂类构成的细胞外基质相互粘连，并与细胞表面受体结合在膜表面形成复杂且极性很强的生物被膜。为了控制膜污染，需要对膜表面进行抗菌处理(如膜表面亲水改性、膜表面负载抗菌剂、膜表面抗菌改性)，消灭吸附在膜表面的细菌，破坏生物被膜的形成。
[0004]控制膜的表面形貌使膜面形成刺状阵列可对细菌细胞产生影响，通过物理应力损伤、氧化应激作用使细菌及微生物细胞死亡，从而实现抗菌效果，降低膜污染。因此亟需一种可在膜面形成刺状阵列并可调控形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)：对膜基底进行亲水改性，得到亲水改性的膜基底；步骤2)：硅源前驱体从溶液相扩散到液相中，并在膜面催化剂的作用下反应，得到混合液；步骤3)：将步骤1)得到的膜基底置于步骤2)得到的混合液中，进行纳米刺状结构的成核和生长，获得表面二氧化硅刺状阵列的水处理膜。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1)包括如下步骤：步骤1.1)：将待改性的膜基底置于等离子体发生器中，抽真空至5
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20Pa；步骤1.2)：通入气体使真空度不大于50Pa；步骤1.3)：调节放电功率为20
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100W，处理时间为2
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20min。3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的膜基底为PVDF膜、PES膜、PAN、PSf、PA膜中的任意一种或几种。4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1.2)中通入的气体为氩气、氮气和氧气中的任意一种或几种。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2)包括如下步骤：步骤2.1)：通过超声处理将2
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20g表面活性剂溶解在100
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500mL有机溶液中，然后添加0.02
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0.1mol...

【专利技术属性】
技术研发人员：张星冉，蒋浓，罗意，
申请(专利权)人：东华大学，
类型：发明
国别省市：