一种螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于有机薄膜制备技术领域。所述制备方法为：将嵌段共聚物涂膜，使嵌段共聚物发生自组装形成具有有序螺旋二十四面体微结构的薄膜，然后对所述具有有序螺旋二十四面体微结构的薄膜进行热处理裂解掉可降解聚酯组分，得到所述螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜；其中，所述嵌段共聚物为聚酰胺酸与可降解聚酯的嵌段共聚物，或，聚酰亚胺与可降解聚酯的嵌段共聚物。通过本发明专利技术的制备方法制得的螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的孔径均匀性高，具有优异的三维连续贯通性，厚度均匀，力学性能好；同时，具有良好的吸附性能。具有良好的吸附性能。具有良好的吸附性能。

【技术实现步骤摘要】
一种螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及有机薄膜
，特别是涉及一种螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]聚酰亚胺(Polyimide，PI)具有高模高强、低吸水率、耐高低温、耐水解、耐辐射等特点被广泛应用于高科技领域。近来多孔聚合物材料呈快速发展势头，多孔聚酰亚胺膜的研究与应用越来越多，多孔PI薄膜因其耐高低温、阻燃、耐辐射、发烟率低及在分解时放出的有毒气体少等优点在锂电池、过滤、分离吸收等领域日益受到重视。
[0003]目前，多孔PI薄膜的生产方法主要有以下几种：(1)添加致孔剂法，在聚酰胺酸溶液或可溶性PI溶液中添加致孔剂，PI膜形成过程或形成之后去除致孔剂得到多孔PI薄膜；(2)自身反应造孔法，利用PI前驱体酰亚胺化过程中产生的小分子物质(如H2O、CO2或ROH)发泡成孔；(3)超临界CO2法，采用常规方法在PI前驱体聚酰胺酸溶液或可溶性PI溶液中制膜，然后将制得的PI膜在超临界CO2中处理，经过加压、热酰亚胺化释放CO2得到多孔PI薄膜；(4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，将嵌段共聚物涂膜，使嵌段共聚物发生自组装形成具有有序螺旋二十四面体微结构的薄膜，然后对所述具有有序螺旋二十四面体微结构的薄膜进行热处理，得到所述螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜；其中，所述嵌段共聚物为聚酰胺酸与可降解聚酯的嵌段共聚物，或，聚酰亚胺与可降解聚酯的嵌段共聚物。2.如权利要求1所述的螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述聚酰胺酸与可降解聚酯的嵌段共聚物为单端氨基聚酰胺酸与单端异氰酸酯基左旋聚乳酸的嵌段共聚物；所述聚酰亚胺与可降解聚酯的嵌段共聚物为单端羟甲基聚酰亚胺与左旋聚乳酸的嵌段共聚物，或，单端马来酰亚胺聚酰亚胺与单端呋喃基左旋聚乳酸的嵌段共聚物。3.如权利要求2所述的螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述单端氨基聚酰胺酸与单端异氰酸酯基左旋聚乳酸的嵌段共聚物的制备方法为：将单端异氰酸酯基左旋聚乳酸和单端氨基聚酰胺酸进行接枝反应；所述单端异氰酸酯基左旋聚乳酸的结构式为其中，n＝70～210；所述单端氨基聚酰胺酸的结构式为其中，m＝45～135；所述单端氨基聚酰胺酸与单端异氰酸酯基左旋聚乳酸的嵌段共聚物的结构式为4.如权利要求2所述的螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述单端羟甲基聚酰亚胺与左旋聚乳酸的嵌段共聚物的结构式为，其中，n＝59～87，m＝140～210。5.如权利要求4所述的螺旋二十四面体结构纳米多孔聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，所述单端羟甲基聚酰亚胺与左旋聚乳酸的嵌段共聚物的制备方法为：将催化剂和单端羟甲基聚酰亚胺溶于溶剂中，加入左旋丙交酯，搅拌均匀，经过液氮冷冻
→
...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新波，霍梦伟，张继春，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学威海，
类型：发明
国别省市：