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晶圆对准结构制造技术

技术编号:39137393 阅读:10 留言:0更新日期:2023-10-23 14:53
公开了一种晶圆上系统(SoW)组装件。该SoW组装件可以包括具有第一热膨胀系数(CTE)的第一SoW组装结构。第一SoW组装结构包括在不同位置处的第一槽至第三槽。该SoW组装件可以包括堆叠在第一SoW组装结构上的第二SoW组装结构。第二SoW组装结构具有与第一CTE不同的第二CTE。第二SoW组装结构具有从其延伸并设置在第一槽至第三槽中的第一销至第三销。第一槽和第二槽被成形为允许第一销和第二销沿第一轴线移动,并且第三槽被成形为允许第三销沿第二轴线移动。在某些应用中,第一SoW组装结构可以是SoW并且第二SoW组装结构可以是散热结构。SoW并且第二SoW组装结构可以是散热结构。SoW并且第二SoW组装结构可以是散热结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆对准结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月1日提交的题为“WAFER ALIGNMENT STRUCTURE”的美国临时专利申请No.63/155,202的权益,其公开内容通过引用整体且出于所有目的并入本文。


[0003]本公开总体上涉及对准结构,并且更具体地涉及晶圆级对准结构。

技术介绍

[0004]在晶圆级上一个元件与另一个元件的精确对准可能是具有挑战的。在诸如晶圆上系统组装件等系统中,高热膨胀系数(CTE)元件和低CTE元件可以安装到彼此上。例如,晶圆上系统和散热结构可以具有不同的CTE并且可以附接到彼此。由于热应力,元件的CTE之间的不匹配导致元件之间的未对准。

技术实现思路

[0005]在一个方面中,公开了一种晶圆上系统(SoW)组装件。该SoW组装件可以包括第一SoW组装结构,第一SoW组装结构包括在第一位置处的第一槽、在第二位置处的第二槽、以及在第三位置处的第三槽。该SoW组装件可以包括与第一SoW组装结构堆叠的第二SoW组装结构。第二SoW组装结构具有:从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第一槽中的第一销、从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第二槽中的第二销、以及从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第三槽中的第三销。第一槽和第二槽被成形为使得允许第一销和第二销在平面内沿第一轴线移动,并且第三槽被成形为使得允许第三销在平面内沿与第一轴线不同的第二轴线移动。第一SoW组装结构或第二SoW组装结构被包括在被配置为冷却SoW的热系统中。
[0006]在一个实施例中,元件可以与SoW堆叠。
[0007]在一个实施例中,元件包括SoW。SoW组装件可以还包括被耦合到SoW的加固特征部。加固特征部可以包括与第一槽对准的开口。开口的尺寸可以小于第一槽的尺寸,使得加固特征部阻止第一销物理接触SoW。开口可以具有椭圆形形状。第一轴线可以基本上垂直于第二轴线。
[0008]在一个方面中,公开了一种晶圆上系统(SoW)组装件。该SoW组装件可以包括具有第一热膨胀系数的第一SoW组装结构,第一SoW组装结构包括在第一位置处的第一槽、在第二位置处的第二槽、以及在第三位置处的第三槽。该SoW组装件可以包括堆叠在第一SoW组装结构上并被配置为从SoW散热的第二SoW组装结构。第二SoW组装结构具有与第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。第二SoW组装结构具有:从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第一槽中的第一销、从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第二槽中的第二销、以及从第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在第三槽中的第三销。第一槽和第二槽被成形为使得允许第一销和第二销在平面内沿第一轴线移动,并且第三槽被成形为使得
允许第三销在平面内沿第二轴线移动,第二轴线与第一轴线不同。
[0009]在一个实施例中,第一SoW组装结构与SoW堆叠。
[0010]在一个实施例中,第二热膨胀系数大于第一热膨胀系数。
[0011]在一个实施例中,第一SoW组装结构包括SoW。SoW组装件可以还包括与SoW耦合的加固特征部。加固特征部可以包括与第一槽对准的开口,并且开口的尺寸可以小于第一槽的尺寸。
[0012]在一个实施例中,第一轴线和第二轴线基本上彼此垂直。
[0013]在一个实施例中,第一槽包括被配置为容纳第一销的椭圆形槽,并且其中第一槽的椭圆形槽的长轴线沿第一轴线延伸。第三槽可以包括被配置为容纳第三销的椭圆形槽,并且第三槽的椭圆形槽的长轴线可以沿第二轴线延伸。
[0014]在一个实施例中,第二SoW组装结构包括散热结构。
[0015]在一个实施例中,第一SoW组装结构可以包括不多于三个槽,该不多于三个槽被配置为容纳从第二SoW组装结构延伸的销。
[0016]在一个方面中,公开了一种晶圆,该晶圆具有用于将晶圆与垂直堆叠在晶圆上的元件对准的对准结构。该晶圆可以包括形成在晶圆的第一位置处的第一槽。第一槽被配置为与第一销配合并将晶圆和元件沿第一轴线对准。第一槽被成形为使得允许晶圆在第一槽和第一销配合时沿第一轴线移动。该晶圆可以包括形成在晶圆的与第一位置不同的第二位置处的第二槽。第二槽被配置为与第二销配合并将晶圆和元件沿第一轴线对准。该晶圆可以包括形成在晶圆的与第一位置和第二位置不同的第三位置处的第三槽。第三槽被配置为与第三销配合并将晶圆和元件沿与第一轴线不同的第二轴线对准。
[0017]在一个实施例中,该晶圆包括热膨胀系数低于元件的材料的热膨胀系数的材料。
[0018]在一个实施例中,第一轴线和第二轴线基本上彼此垂直。
[0019]在一个实施例中,第一槽包括被配置为容纳第一销的椭圆形槽,并且第一槽的椭圆形槽的长轴线沿第一轴线延伸。第三槽包括配置为接收第三销的椭圆形槽,并且第三槽的椭圆形槽的长轴线沿第二轴线延伸。
[0020]在一个实施例中,该晶圆还包括位于晶圆上的加固特征部。加固特征部可以包括与第一槽对准的开口。加固特征部的开口的尺寸可以小于第一槽的尺寸,使得加固特征部被配置为阻止第一销物理接触晶圆。
[0021]在一个实施例中,该晶圆包括多个集成电路裸片。
附图说明
[0022]现在将参考以下附图来描述具体的实现,这些附图是通过示例而不非限制的方式提供的。
[0023]图1A是处理系统的分解视图。
[0024]图1B是图1A的处理系统的组装视图。
[0025]图2A是根据实施例的晶圆上系统(SoW)的示意性透视图。
[0026]图2B是图2A中图示的SoW的部分的放大视图。
[0027]图3是根据实施例的散热结构的示意性透视图。
[0028]图4示出了根据实施例的对准结构的顶平面视图。
[0029]图5A是根据实施例的加固特征部的示意性透视图。
[0030]图5B是根据实施例的对准特征部的示意性顶平面视图。
[0031]图5C是根据实施例的包括对准结构的组装件的示意性横截面侧视图。
[0032]图6A是根据实施例的输入/输出(I/O)框架的示意性透视图。
[0033]图6B是根据实施例的冷却系统的示意性透视图。
[0034]具体实现方式
[0035]以下对某些实施例的详细描述呈现了对特定实施例的各种描述。然而,本文描述的创新可以以例如如由权利要求所定义和涵盖的多种不同的方式体现。在本描述中,参考附图,其中相同的附图标记和/或术语可以指示相同或功能上相似的元件。将理解,图中所示的元件不一定按比例绘制。此外,将理解,某些实施例可以包括比附图中所示的更多的元件和/或附图中所示的元件的子集。此外,一些实施例可以合并来自两个或更多个附图的特征的任何合适组合。
[0036]晶圆上系统(SoW)组装件可以包括SoW和被耦合到SoW的散热结构。SoW可以包括集成电路裸片阵列。SoW的集成电路裸片在操作期间产生热量。散热结构可以消散SoW中产生本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶圆上系统SoW组装件,包括:第一SoW组装结构,包括在第一位置处的第一槽、在第二位置处的第二槽、以及在第三位置处的第三槽;以及第二SoW组装结构,与所述第一SoW组装结构堆叠,所述第二SoW组装结构具有:从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第一槽中的第一销、从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第二槽中的第二销、以及从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第三槽中的第三销;其中所述第一槽和所述第二槽被成形为使得允许所述第一销和所述第二销在平面中沿第一轴线移动,并且所述第三槽被成形为使得允许所述第三销在所述平面中沿第二轴线移动,所述第二轴线不同于所述第一轴线,并且其中所述第一SoW组装结构或所述第二SoW组装结构被包括在热系统中,所述热系统被配置为冷却SoW。2.根据权利要求1所述的SoW组装件,其中所述第一SoW组装结构包括所述SoW,并且所述第二SoW组装结构包括散热结构。3.根据权利要求2所述的SoW组装件,还包括被耦合到所述SoW的加固特征部,其中所述加固特征部包括与所述第一槽对准的开口,其中所述开口的尺寸小于所述第一槽的尺寸,使得所述加固特征部阻止所述第一销物理接触所述SoW。4.根据权利要求3所述的SoW组装件,其中所述开口具有椭圆形形状。5.根据权利要求1所述的SoW组装件,其中所述第一轴线基本上垂直于所述第二轴线。6.根据权利要求1所述的SoW组装件,其中所述第一SoW组装结构包括冷却系统,并且所述第二SoW组装结构包括输入/输出框架,并且所述第一SoW组装结构和所述第二SoW组装结构与所述SoW堆叠。7.一种晶圆上系统SoW组装件,包括:第一SoW组装结构,具有第一热膨胀系数,所述第一SoW组装结构包括在第一位置处的第一槽、在第二位置处的第二槽、以及在第三位置处的第三槽;以及第二SoW组装结构,堆叠在所述第一SoW组装结构上,所述第二SoW组装结构具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数,所述第二SoW组装结构具有:从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第一槽中的第一销、从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第二槽中的第二销、以及从所述第二SoW组装结构延伸并至少部分地设置在所述第三槽中的第三销,其中所述第一槽和所述第二槽被成形为使得允许所述第一销和所述第二销在平面中沿第一轴线移动,并且所述第三槽被成形为使得允许所述第三销在所述平面中沿第二轴线移动,所述第二轴线不同于所述第一轴线。8.根据权利要求7所述的SoW组装件,其中所述第一SoW组装结构与SoW堆叠。9.根据权利要求7所述的SoW组装件,其中所述第二热膨...

【专利技术属性】
技术研发人员:李勇国R
申请(专利权)人:特斯拉公司
类型:发明
国别省市:

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