具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室及应用的真空断路器制造技术

具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室及应用的真空断路器，该高压真空灭弧室包括多节非对称分布瓷壳、多个非对称分布的屏蔽罩间隙、瓷壳封接环外部的屏蔽环结构、真空灭弧室端部两侧的端部外屏蔽罩结构；该高压真空断路器包括具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室、静侧滑动导流排结构、散热帽和与其相匹配的操动机构；本发明专利技术针对高电压等级真空灭弧室具有多节瓷壳和多级屏蔽罩的结构特征，以及感应悬浮电位的非对称分布特性，通过屏蔽罩间隙和瓷壳结构的非对称分布设计，以及对真空灭弧室外部瓷壳封接环、外部屏蔽罩环的结构优化和增加端部外屏蔽罩结构，优化了真空灭弧室内部及端部盖板处的电场分布，提升了高压真空灭弧室的绝缘耐压能力。室的绝缘耐压能力。室的绝缘耐压能力。

【技术实现步骤摘要】
具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室及应用的真空断路器


[0001]本专利技术属于大电流高电压真空断路器
，具体涉及一种具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室及应用的真空断路器。

技术介绍

[0002]随着国内外对于环保型高压断路器的需求，具有环境友好特性的高电压等级真空断路器得以快速向更高电压等级发展。但是与具有强温室效应的SF6气体相比，126kV及更高电压等级的真空灭弧室及其应用的真空断路器的绝缘结构设计具有极大的挑战和难度。因此，需要根据真空灭弧室结构特征和耐压特性对真空灭弧室及应用的真空断路器结构进行优化和改进。
[0003]真空灭弧室作为真空断路器的核心器件，起着开断大电流、快速熄灭电弧及承受一定耐压的作用。在真空灭弧室的研发过程中，真空灭弧室的绝缘耐压水平是真空灭弧室电压等级设计的关键。在真空灭弧室内部拥有若干个真空间隙，根据设计的电压等级以及结构的差异，其真空间隙间的距离与电场强度分布特性也会有一定的不同。此外，不同的间隙结构，在研究过程中，也会有不同的绝缘特性。针对目前高电压等级的真空灭弧室具有多节瓷壳和多重屏蔽罩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室，其特征在于：真空灭弧室瓷壳包括静侧端部瓷壳(106)和动侧端部瓷壳(109)以及中央主屏蔽罩(103)附近的静侧中部瓷壳(107)和动侧中部瓷壳(108)；真空灭弧室屏蔽罩包括中央主屏蔽罩(103)、静侧连接屏蔽罩(102)、静侧端部屏蔽罩(101)、动端连接屏蔽罩(104)、动端端部屏蔽罩(105)以及在真空灭弧室端部两侧增加的静端端部外屏蔽罩(201)和动端端部外屏蔽罩(202)；静侧连接屏蔽罩(102)和动侧连接屏蔽罩(104)分别焊接在静侧瓷壳封接环(203)与动侧瓷壳封接环(205)处；所述静侧瓷壳封接环(203)外部增加外部静侧屏蔽环(206)，动侧瓷壳封接环(205)外部增加外部动侧屏蔽环(208)，静侧中部瓷壳107和动侧中部瓷壳108经由中央主屏蔽罩处中央瓷壳封接环204连接，中央瓷壳封接环(204)外部设置外部中央屏蔽环(207)；所述真空灭弧室瓷壳具有非对称分布特性，静侧端部瓷壳(106)高度大于静侧中部瓷壳(107)；动侧端部瓷壳(109)高度大于动侧中部瓷壳(108)高度；所述真空灭弧室屏蔽罩具有非对称分布特性，静侧端部屏蔽罩(101)与静侧连接屏蔽罩(102)之间的距离大于中央主屏蔽罩(103)与静侧连接屏蔽罩(102)之间的距离；动侧端部屏蔽罩(105)与动侧连接屏蔽罩(104)之间的距离大于真空灭弧室中央主屏蔽罩(103)与动侧连接屏蔽罩(104)之间的距离。2.根据权利要求1所述的具有不对称瓷壳结构的高电压真空灭弧室，其特征在于：位于真空灭弧室端部两侧的静侧端部瓷壳(106)和动侧端部瓷壳(109)高度分别大于等于真空灭弧室的静侧中部瓷壳(107)和动侧中部瓷壳(108)高度的1.1倍；位于真空灭弧室端部两侧的静...

【专利技术属性】
技术研发人员：马慧，高玉龙，邓世臣，李元钊，刘志远，耿英三，王建华，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：