一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路制造技术

本发明专利技术公开了一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路，三极管Q1基极与二极管D1阳极、MOS管Q2漏极连接，三极管Q1集电极与二极管D3阳极连接，二极管D3阴极与电阻R3一端、电容C1一端连接，电阻R3另一端接地；MOS管Q2栅极与电容C2另一端、电阻R2一端、稳压管Z2阴极连接；MOS管Q3漏极与继电器线圈Relay

【技术实现步骤摘要】
一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路


[0001]本专利技术涉及电力电子
，更具体地说，特别涉及一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路。

技术介绍

[0002]继电器（英文名称：relay）是一种电控制器件，是当输入量（激励量）的变化达到规定要求时，在电气输出电路中使被控量发生预定的阶跃变化的一种电器。它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路）之间的互动关系。通常应用于自动化的控制电路中，它实际上是用小电流去控制大电流运作的一种“自动开关”，故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。
[0003]目前，现有技术的继电器无法实现快速吸合和快速释放，从而导致系统无法快速接入和断开，而且即使继电器在保持吸合时其两端气压较高，提高了系统的能耗。为此，有必要开发一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路，以克服现有技术所存在的缺陷。
[0005]为了达到上述目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路，包括二极管D1
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D4、稳压管Z1
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Z2、三极管Q1、MOS管Q2
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Q3、电容C1
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C2、电阻R1
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R4；其中，所述二极管D1阴极、三极管Q1发射极、二极管D2阳极、电容C2一端均连接电源VCC，二极管D2阴极与电阻R1一端连接；所述三极管Q1基极与二极管D1阳极、MOS管Q2漏极连接，三极管Q1集电极与二极管D3阳极连接，二极管D3阴极与电阻R3一端、电容C1一端连接，电阻R3另一端接地；所述MOS管Q2栅极与电容C2另一端、电阻R2一端、稳压管Z2阴极连接；所述MOS管Q3漏极与继电器线圈Relay
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out、稳压管Z1阴极、MOS管Q2源极、电阻R2另一端、稳压管Z2阳极连接，MOS管Q3栅极通过电阻R4与继电器驱动Relay drive连接，MOS管Q3源极接地；所述稳压管Z1阳极与二极管D4阳极连接，二极管D4阴极与继电器线圈Relay
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in、电阻R1另一端、电容C1另一端连接。
[0006]进一步地，当继电器驱动Relay drive为低电平时，MOS管Q3关断，电源VCC通过电阻R1和电阻R3给电容C1充电，二极管D2用于正向导通作用，此时三极管Q1、MOS管Q2关断，继电器线圈两端电压差为零，该继电器不动作；当继电器驱动Relay drive为高电平时，MOS管Q3导通，电源VCC通过电阻R2给电容C2充电，MOS管Q2导通、三极管Q1导通，电源VCC电压通过二极管D3加到电容C1的负极端，使电容C1两端电压变为二倍VCC电压，二倍的VCC电压加载到继电器线圈Relay
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in和Relay
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out两端，使继电器实现快速吸合；继电器维持闭合状态，电源VCC通过二极管D2、电阻R1、继电器线圈、MOS管Q3形成回路，继电器线圈阻值Rx与电阻R1分压，继电器两端电压=VCC*Rx/（Rx+R1），即实现继电器
两端低电压保持；当继电器驱动Relay drive为低电平时，MOS管Q3关断，继电器线圈上储存的能量通过稳压管Z1、二极管D4以及线消耗完，实现继电器快速释放。
[0007]进一步地，所述MOS管Q2的导通时间为50us。
[0008]与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术可以实现继电器的快速吸合以及快速释放，从而使其应用的系统能够快速接入以及切断，并且实现继电器两端低电压保持，从而减少系统功耗。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是本专利技术继电器快速吸合释放和低电压保持电路的电路图。
实施方式
[0011]下面结合附图对本专利技术的优选实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0012]参阅图1所示，本实施例提供一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路，包括二极管D1
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D4、稳压管Z1
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Z2、三极管Q1、MOS管Q2
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Q3、电容C1
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C2、电阻R1
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R4；其中，二极管D1阴极、三极管Q1发射极、二极管D2阳极、电容C2一端均连接电源VCC，二极管D2阴极与电阻R1一端连接；三极管Q1基极与二极管D1阳极、MOS管Q2漏极连接，三极管Q1集电极与二极管D3阳极连接，二极管D3阴极与电阻R3一端、电容C1一端连接，电阻R3另一端接地；MOS管Q2栅极与电容C2另一端、电阻R2一端、稳压管Z2阴极连接；MOS管Q3漏极与继电器线圈Relay
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out、稳压管Z1阴极、MOS管Q2源极、电阻R2另一端、稳压管Z2阳极连接，MOS管Q3栅极通过电阻R4与继电器驱动Relay drive连接，MOS管Q3源极接地；稳压管Z1阳极与二极管D4阳极连接，二极管D4阴极与继电器线圈Relay
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in、电阻R1另一端、电容C1另一端连接。
[0013]本实施例的工作原理为：当继电器驱动Relay drive为低电平时，MOS管Q3关断，电源VCC通过电阻R1和电阻R3给电容C1充电，二极管D2用于正向导通作用，此时三极管Q1、MOS管Q2关断，继电器线圈两端电压差为零，该继电器不动作。
[0014]当继电器驱动Relay drive为高电平时，MOS管Q3导通，电源VCC通过电阻R2给电容C2充电，MOS管Q2的门极电压Vgs为稳压管Z2的电压，此时MOS管Q2导通、紧接着三极管Q1导通，三极管Q1导通的时间取决于MOS管Q2的导通时间，门极电压Vgs通过电阻R2放电，放电时间取决于电阻R2阻值大小。本实施例中MOS管Q2的导通时间为50us。
[0015]当三极管Q1导通后，电源VCC电压通过二极管D3加到电容C1的负极端，由于前面电解电容C1两端电压已经充满到VCC电压，此时C1负极端再加VCC电压，使电容C1两端电压变为二倍VCC电压，二倍的VCC电压加载到继电器线圈Relay
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in和Relay
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out两端，使继电器实现快速吸合；本实施例中，二倍VCC电压不能长时间加载到线圈上，容易出现继电器线圈因
为过压而烧坏，所以本实施例中MOS管Q2的导通时间为50us，50us后MOS管Q2关断，三极管Q1关断，即二倍VCC电压加载到线圈时间为50us。
[0016]50us后，继电器长维持闭合状态，电源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种继电器快速吸合释放和低电压保持电路，其特征在于，包括二极管D1
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D4、稳压管Z1
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Z2、三极管Q1、MOS管Q2
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Q3、电容C1
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C2、电阻R1
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R4；其中，所述二极管D1阴极、三极管Q1发射极、二极管D2阳极、电容C2一端均连接电源VCC，二极管D2阴极与电阻R1一端连接；所述三极管Q1基极与二极管D1阳极、MOS管Q2漏极连接，三极管Q1集电极与二极管D3阳极连接，二极管D3阴极与电阻R3一端、电容C1一端连接，电阻R3另一端接地；所述MOS管Q2栅极与电容C2另一端、电阻R2一端、稳压管Z2阴极连接；所述MOS管Q3漏极与继电器线圈Relay
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out、稳压管Z1阴极、MOS管Q2源极、电阻R2另一端、稳压管Z2阳极连接，MOS管Q3栅极通过电阻R4与继电器驱动Relay drive连接，MOS管Q3源极接地；所述稳压管Z1阳极与二极管D4阳极连接，二极管D4阴极与继电器线圈Relay
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in、电阻R1另一端、电容C1另一端连接。2.根据权利要求1所述的继电器快速吸合释放...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖世培，廖美发，冯金生，周宜福，李康兵，卢庆华，朱健明，
申请(专利权)人：广州菲利斯太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：