【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种硅晶圆及其测试方法，详言之，是关于一种具有测试焊垫的硅 晶圆及其测试方法。
技术介绍
参考图1，显示第一种已知硅晶圆的剖面示意图。该硅晶圆1包括一硅基材11、一 绝缘层12、一焊垫13及一介电层14。该绝缘层12位于该硅基材11上。该焊垫13位于该 绝缘层12上。该介电层14位于该绝缘层12上，包覆该焊垫13，且显露该焊垫13的一表面 131。该已知硅晶圆1的缺点如下。当欲形成一穿导孔19于该焊垫13下方时，须先蚀 刻该硅基材11以形成一穿孔15，然而该穿孔15的形成过程中，其中央的蚀刻速率大于外围 的蚀刻速率，所以该穿孔15的上端略呈弧形，而只显露了少部分的焊垫13，后续当形成一 晶种层16于该穿孔15的孔壁时，虽然该焊垫13与该晶种层16已经相互电性连接，但由于 连接面积小，导致该焊垫13与该晶种层16之间具有较高的电阻值，而对电性有不良影响。参考图2，显示第二种已知硅晶圆的剖面示意图。该硅晶圆IA由该硅晶圆1(图 1)再形成一导电层17于该晶种层16上，并移除部分该硅基材11，以形成数个沟槽18，该等 沟槽18围绕该晶种层16。该等沟槽...
【技术保护点】
一种具有测试焊垫的硅晶圆，包括：一硅基材，具有一第一表面及一第二表面；一绝缘层，位于该硅基材的第一表面；至少一测试焊垫，位于该绝缘层上，具有一表面，该测试焊垫包括：一第一金属层，位于该绝缘层上，该第一金属层具有一第一区块及一第二区块，该第一区块与该第二区块彼此电性独立；一第二金属层，位于该第一金属层上方；及至少一第一内连结金属，连接该第一金属层的第二区块及该第二金属层；及一介电层，位于该绝缘层上，且显露该测试焊垫的表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈纪翰，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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