用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备技术

本文涉及一种用于带电粒子束检查的样本预充电方法、设备和计算机可读介质。设备包括：带电粒子源，被配置为沿设备的主束轴发射带电粒子束；聚束透镜，被配置为使得束围绕主束轴集中；孔径；第一多极透镜；第二多极透镜；其中第一多极透镜相对于聚束透镜处于下游、并且相对于第二多极透镜处于上游；其中第二多极透镜相对于第一多极透镜处于下游、并且相对于孔径处于上游。处于上游。处于上游。

【技术实现步骤摘要】
用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备
[0001]分案说明
[0002]本申请是于2018年09月25日提交的申请号为201880063509.7、名称为“用于带电粒子束检查的样本预充电方法和设备”的中国专利技术专利申请的分案申请。
[0003]相关申请的交叉引用
[0004]本申请要求于2017年9月29日提交的美国申请62/566,153的优先权，其以整体通过引用并入本文。


[0005]本公开涉及用于对器件制造过程(诸如，集成电路(IC)制造)中使用的样本(诸如晶片和掩模)进行检查(例如，观察、测量和成像)的方法和设备。

技术介绍

[0006]器件制造过程可以包括将期望的图案施加到衬底上。备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成期望的图案。该图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。单个衬底可以包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。光刻设备可以用于该转印。一种类型的光刻设备被称为步进器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，包括：电子源，被配置为沿所述设备的主束轴发射电子束；聚束透镜，被配置为使所述电子束围绕所述主束轴而集中；孔径；第一多极透镜；以及第二多极透镜，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜被配置为通过调节穿过所述孔径的所述电子束的部分，来调节入射到样品上的所述电子束的电流。2.根据权利要求1所述的设备，还包括扫描偏转器，被配置为相关于样本将所述电子束进行扫描。3.根据权利要求1所述的设备，还包括物镜，所述物镜被配置为将所述电子束聚焦到样本上。4.根据权利要求1所述的设备，还包括第三多极透镜和第四多极透镜；其中所述第三多极透镜相对于所述孔径处于下游；并且其中所述第四多极透镜相对于所述第三多极透镜处于下游。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜是静电透镜。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜均具有至少四个极。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述极均具有环的一部分的截面形状。8.根据权利要求6所述的设备，其中所述极均是棱柱形或圆柱形。9.根据权利要求6所述的设备，其中所述极中的每个极由间隙或电介质与所述每个极的相邻极分离。10.根据权利要求6所述的设备，其中所述极被配置为具有施加到所述极的不同电压。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一多极透镜被配置为在第一方向上拉伸所述电子束、并且在第二方向上压缩所述电子束；并且其中所述第二多极透镜被配置为在所述第二方向上拉伸所述电子束、并且在所述第一方向上压缩所述电子束。12.根据权利要求1所述的设备，其中穿过所述孔径的所述电子束的所述部分是基于所述第一多极透镜和所述第二多极透镜的激活状态。13.根据权利要求12所述的设备，其中所述第一多极透镜和所述第二多极透镜被配置为被激励使得几乎全部的所述电子束被允许穿过所述孔径。14.一种非暂态计算机可读介质，存储能够被计算机系统的至少一个处理器执行的指令集，以使所述计算机系统使用包括带电粒子源、聚光透镜、孔径、第一多极透镜和第二多极透镜的设备，来执行用于对样本成像的操作，所述操作包括：将带电粒子束设置为第一配置，所述第一配置适合于对样本进行预充电；使用处于所述第一配置的所述带电粒子束对所述样本的区域进行预充电；将所述带电粒子束设置为第二配置，所述第二配置适合于对所述样本进行成像；以及使用处于所述第二配置的所述带电粒子束对所述区域进行成像。15.根据权利要求14所述的非暂态计算机可读介质，其中所述操作还包括：通过激励所
述设备的所述第一多极透...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘学东，席庆坡，蒋友飞，任伟明，胡学让，陈仲玮，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：