一种发光器件制造技术

本发明专利技术实施例公开一种发光器件。该发光器件，包括发光区和非发光区；基板，设置于基板一侧的发光层，所述发光层位于所述发光区；设置于基板一侧的至少一个基底部，基底部与发光层设置于所述基板的同一侧，基底部位于非发光区；检测部，检测部设置于所述基底部远离基板的一侧，检测部用于根据基底部与检测部不同的热膨胀系数产生的热应力，形成与热应力对应的导电性变化；控制模块，控制模块与检测部连接，控制模块用于根据检测部的导电性变化，确定基底部的温度信息。本实施例提供的技术方案可以准确检测发光器件内部的发光层的温度信息，解决发光器件不能准确的检测其内部温度的问题。决发光器件不能准确的检测其内部温度的问题。决发光器件不能准确的检测其内部温度的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种发光器件


[0001]本专利技术实施例涉及发光
，尤其涉及一种发光器件。

技术介绍

[0002]随着发光技术的发展，人们对发光器件的要求越来越高。发光器件由于自发热和散热问题，器件内部的温度通常高于外部温度，器件温度过高时会使寿命下降，严重时导致烧毁。现有的测定内部温度的方法多采用光学方案。
[0003]发光器件由于工作温度较高时，发光器件的内部膜层的导电性能下降，影响发光器件的发光效果及寿命。现有的发光器件不能准确的检测其内部各膜层的温度，不能及时避免因温度过高导致的发光器件内部膜层失效或温度过高对被照射对象的损坏。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种发光器件，以解决发光器件不能准确的检测其内部的温度的问题。
[0005]为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]本专利技术实施例提供了一种发光器件，包括：发光区和非发光区；
[0007]基板，设置于基板一侧的发光层，所述发光层位于所述发光区；
[0008]设置于所述基板一侧的至少一个基底部，所述基底部与所述发光层设置于所述基板的同一侧，所述基底部位于所述非发光区；
[0009]检测部，所述检测部设置于所述基底部远离所述基板的一侧，所述检测部用于根据所述基底部与所述检测部不同的热膨胀系数产生的热应力，形成与热应力对应的导电性变化；
[0010]控制模块，所述控制模块与所述检测部连接，所述控制模块用于根据所述检测部的导电性变化，确定所述基底部的温度信息。可选的，所述检测部与所述基底部贴合设置；所述基底部与所述检测部贴合于第一贴合面；
[0011]优选的，所述检测部在所述基板的正投影至少部分覆盖所述基底部在所述基板的正投影；
[0012]优选的，所述基底部与所述发光层同层设置。
[0013]可选的，所述检测部在所述基板的正投影与所述发光层在所述基板的正投影不交叠。
[0014]可选的，所述发光器件，还包括：
[0015]导电层，所述导电层设置于所述发光层的靠近所述基板的一侧，或设置于所述发光层远离所述基板的一侧；
[0016]所述检测部与所述导电层同层设置。
[0017]可选的，所述检测部的材料与所述导电层的材料相同；
[0018]优选的，所述检测部的材料包括金属材料。
[0019]可选的，所述导电层包括第一电极和第二电极；
[0020]所述第一电极设置于所述发光层邻近所述基板一侧；
[0021]所述第二电极设置于所述发光层远离所述基板的一侧；
[0022]所述基底部与所述第一电极同层设置，和/或，所述基底部与所述第二电极同层设置。
[0023]可选的，所述基底部至少包括第一基底部和第二基底部，所述第一基底部和所述第二基底部的材料不同；
[0024]检测部至少包括第一检测单元和第二检测单元，所述第一检测单元与所述第一基底部对应设置，所述第二检测单元与所述第二基底部对应设置；
[0025]所述第一检测单元所检测的温度范围与所述第二检测单元所检测的温度范围不同。
[0026]可选的，所述检测部的导电性随温度升高而下降；
[0027]优选的，所述检测部的材料包括铝、银、铜或钛中的至少一种。
[0028]可选的，所述检测部的厚度范围包括：10
‑
100nm。
[0029]可选的，所述发光器件，还包括：
[0030]传感电极，所述传感电极连接于所述检测部与所述控制模块之间，所述传感电极用于检测所述检测部的导电性；
[0031]优选的，所述控制模块用于向所述传感电极发送第一电信号；
[0032]所述传感电极用于传输所述第一电信号至所述检测部，并将经过所述检测部后的第二电信号传输至所述控制模块；
[0033]所述控制模块用于将所述第二电信号与预设温度参数进行比较，确定所述基底部的温度信息；其中，所述预设温度参数由预测温度电阻曲线确定；
[0034]优选的，每个所述基底部对应设置两个所述传感电极；
[0035]优选的，所述传感电极设置于基底部相对的两侧；或者，所述传感电极设置于所述第一贴合面相对的两侧；或者，
[0036]所述传感电极设置于所述第一贴合面的两侧。
[0037]本专利技术实施例提供的发光器件，通过在非发光区设置至少一个基底部，基底部与发光层设置于基板的同一侧。根据基底部与检测部不同的热膨胀系数产生的热应力，形成与热应力对应的导电性变化。控制模块根据检测部的导电性变化，确定基底部的温度信息。通过基底部和检测部配合，实现了检测发光器件内部的温度信息，提高了对发光器件内部的温度检测的精度，解决发光器件不能准确的检测其内部温度的问题。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本专利技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
[0040]图2是本专利技术实施例提供的一种沿图1中AA
’
方向的发光器件的剖面图；
[0041]图3是本专利技术实施例提供的另一种发光器件的剖面图；
[0042]图4是本专利技术实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
[0043]图5是本专利技术实施例提供的一种发光器件的不同基底部的温度电阻曲线的示意图；
[0044]图6是本专利技术实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
[0045]图7是本专利技术实施例提供的一种沿图6中BB
’
方向的发光器件的剖面图；
[0046]图8是本专利技术实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
[0047]图9是本专利技术实施例提供的一种沿图8中CC
’
方向的发光器件的剖面图；
[0048]图10是本专利技术实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
[0049]图11是本专利技术实施例提供的一种沿图10中DD
’
方向的发光器件的剖面图。
具体实施方式
[0050]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0051]基于上述技术问题，本实施例提出了以下解决方案：
[0052]图1是本专利技术实施例提供的一种发光器件的结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的一种沿图1中AA
’
方向的发光器件的剖面图。结合图1和图2，本专利技术实施例提供的发光器件包括：发光区10和非发光区20；基板1，设置于基板1一侧的发光层200，发光层200位于发光区10；设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括：发光区和非发光区；基板，设置于基板一侧的发光层，所述发光层位于所述发光区；设置于所述基板一侧的至少一个基底部，所述基底部与所述发光层设置于所述基板的同一侧，所述基底部位于所述非发光区；检测部，所述检测部设置于所述基底部远离所述基板的一侧，所述检测部用于根据所述基底部与所述检测部不同的热膨胀系数产生的热应力，形成与所述热应力对应的导电性变化；控制模块，所述控制模块与所述检测部连接，所述控制模块用于根据所述检测部的导电性变化，确定所述基底部的温度信息。2.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述检测部与所述基底部贴合设置；所述基底部与所述检测部贴合于第一贴合面；优选的，所述检测部在所述基板的正投影至少部分交叠所述基底部在所述基板的正投影；优选的，所述基底部与所述发光层同层设置。3.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述检测部在所述基板的正投影与所述发光层在所述基板的正投影不交叠。4.根据权利要求1所述发光器件，其特征在于，所述发光器件，还包括：导电层，所述导电层设置于所述发光层的靠近所述基板的一侧，或设置于所述发光层远离所述基板的一侧；所述检测部与所述导电层同层设置。5.根据权利要求4所述发光器件，其特征在于，所述检测部的材料与所述导电层的材料相同；优选的，所述检测部的材料包括金属材料。6.根据权利要求4所述发光器件，其特征在于，所述导电层包括第一电极和第二电极；所述第一电极设置于所述发光层邻近所述基板一侧；所述第二电极设置于所述发光层远离所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭立雪，朱映光，张国辉，胡永岚，谢静，
申请(专利权)人：固安翌光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：