【技术实现步骤摘要】
一种混合并联一体化电源最优电流选取方法
[0001]本专利技术涉及电力电子领域，具体涉及一种混合并联一体化电源最优电流选取方法。
技术介绍
[0002]逆变电源作为岸电电源系统电能转换和系统控制的核心组成部分，决定着整个电源系统是否能稳定、可靠、高效运行，因此研究大功率、高性能、高性价比的一体化电源迫在眉睫。其中，Si IGBT与SiC MOSFET两种功率器件为该混合并联一体化电源的核心元件，其特性直接影响了混合并联一体化电源的性能。其中Si IGBT逆变电源装置的大容量、低成本优势与SiC MOSFET逆变电源低损耗、高开关频率、高谐波抑制能力等优势得到了广大学者关注。然而，针对混合并联逆变器的电流配比研究尚缺乏完善的理论研究成果，混合并联一体化电源还面临着缺乏器件最优电流配比研究、功率分配优化方案尚不成熟等关键技术难题。
[0003]研究分析不同电流配比对器件成本和结温以及混合并联一体化电源效率和EMI噪声的影响，为拓扑混合并联一体化电源选择最优的电流配比。
[0004]现有技术中，专利名称为一种逆变器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种混合并联一体化电源最优电流选取方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤S1：选取Si IGBT以及SiC MOSFET的多组不同电流配比的功率器件组合；步骤S2：对不同电流配比Si IGBT器件和SiC MOSFET器件进行成本分析；步骤S3：对不同电流配比的Si IGBT器件和SiC MOSFET器件进行结温分析对比；步骤S4：对比不同功率等级以及不同SiC MOSFET开关频率下多种电流配比的混合并联一体化电源的效率；步骤S5：对混合并联一体化电源EMI噪声进行对比分析，并研究不同电流配比对混合并联一体化电源EMI噪声的影响；步骤S6：研究不同电流配比对器件成本和结温以及混合并联一体化电源效率和EMI噪声的影响；步骤S7：混合并联一体化电源最优电流配比选取。2.根据权利要求1所述的一种混合并联一体化电源最优电流选取方法，其特征在于，所述步骤S1中的电流配比定义为γ，所述γ为Si IGBT额定电流等级与SiC MOSFET额定电流等级在100℃下工况下的比值：3.根据权利要求1所述的一种混合并联一体化电源最优电流选取方法，其特征在于，所述步骤2中成本分析的方法为：汇总Si IGBT和SiC MOSFET器件组合的电流等级与器件成本，并将数据拟合成曲线以得出市场规律并进行对比分析。4.根据权利要求1所述的一种混合并联一体化电源最优电流选取方法，其特征在于，所述步骤S4中的具体方法为：在一定的SiC MOSFET开关频率下，混合并联一体化电源在不同的功率等级下运行，分析不同电流配比对混合并联一体化电源效率的影响，记录器件总损耗；在混合并联一体化电源功率等级一定条件下，将不同电流配比情况下的SIC MOSFET工作频率提高，分析SIC MOSFET工作...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑜兴，赵振兴，彭子舜，胡文，祝芳莹，章纯，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：
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