过流保护方法、装置、设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于BUCK

【技术实现步骤摘要】
过流保护方法、装置、设备和存储介质


[0001]本专利技术涉及电路
，尤其涉及一种过流保护方法、装置、设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在大功率双向充电电源电路中，DC/DC电路会用到BUCK
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BOOST电路。BUCK
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BOOST电路既能够用于降压也能够用于升压，但在使用时，有时候会出现过流现象。
[0003]因此，如果对BUCK
‑
BOOST电路中的过流现象进行处理，就成为一个亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种过流保护方法、装置、设备和存储介质。
[0005]为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：一种用于BUCK
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BOOST电路的过流保护方法，所述BUCK
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BOOST电路包括：电感L、MOS管Q1、MOS管Q2、第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3和第四端口P4；第一端口P1与所述电感L的第一端连接，MOS管Q1的栅极和MOS管Q2的栅极均与所述电感L的第二端电连接，MOS管Q2的漏极与第三端口P3电连接；第二端口P2和第四端口P4均与MOS管Q2的漏极电连接；在电感L中，第一、第二端口是两个不同的端部；包括以下步骤：获取第一、第二端口的电压差的绝对值U1，获取第三、第四端口的电压差的绝对值U2，获取通过电感L的电流值I_ad；当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_ref0、且U1≤U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest，其中，I1_ref0为第一初始过流阀值，U1对应的电流滞回点为I1_ref_rest；当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_ref0、且U1>U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref，其中，U1对应的过流阀值为I1_ref，0<I1_ref_rest<I1_ref；当确定在第三、第四端口输入直流电、且I_ad≥I2_ref0、且U1>U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_ref_rest，其中，I2_ref0为第二初始过流阀值，U2对应的电流滞回点为I2_ref_rest；当确定在第三、第四端口输入直流电、且I_ad≥I2_ref0、且U1≤U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_ref，其中，U2对应的过流阀值为I2_ref，0<I2_ref_rest<I2_ref。
[0006]作为本专利技术实施例的一种改进，所述“获取第一、第二端口的电压差的绝对值U1，获取第三、第四端口的电压差的绝对值U2”具体包括：在第一时间T1获取到第一、第二端口之间的电压差的绝对值U1，在第二时间T2获取到第三、第四端口之间的电压差的绝对值U2；所述“确定在第一、第二端口输入直流电”具体包括：当第一时间T1早于第二时间T2时，则确定在第一、第二端口输入直流电，在第三、第四端口输出直流电；所述“确定在第三、第四端口输入直流电”具体包括：当确定第一时间T1晚于第二时间T2时，则确定在第三、第四端口输入直流电，在第一、第二端口输出直流电。
[0007]作为本专利技术实施例的一种改进，还包括：电流传感器，所有电流传感器用于测量流进所述电感L的电流；所述“通过电感L的电流值I_ad”具体包括：通过所述电流传感器获取通过电感L的电流值I_ad。
[0008]作为本专利技术实施例的一种改进，所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest；所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I1_ref；所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值
[0009]<I2_ref_rest”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I2_ref_rest；所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_ref”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I2_ref。
[0010]作为本专利技术实施例的一种改进，I1_ref＝F1(U1)，I1_ref_rest＝F2(U1)，并且当函数F1()和函数F2()均输入相同的值x时，F2(x)≤F1(x)；I2_ref＝G1(U2)，I2_ref_rest＝G2(U2)，并且当函数G1()和函数G2()均输入相同的值x时，G2(x)≤G1(x)。
[0011]作为本专利技术实施例的一种改进，F1()、F2()、G1()和函数G2()均为单调递增函数。
[0012]作为本专利技术实施例的一种改进，F1()、F2()、G1()和函数G2()均为阶梯函数。
[0013]本专利技术实施例还提供了一种用于BUCK
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BOOST电路的过流保护装置，所述BUCK
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BOOST电路包括：电感L、MOS管Q1、MOS管Q2、第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3和第四端口P4；第一端口P1与所述电感L的第一端连接，MOS管Q1的栅极和MOS管Q2的栅极均与所述电感L的第二端电连接，MOS管Q2的漏极与第三端口P3电连接；第二端口P2和第四端口P4均与MOS管Q2的漏极电连接；在电感L中，第一、第二端口是两个不同的端部；包括以下模块：信息获取模块，用于获取第一、第二端口的电压差的绝对值U1，获取第三、第四端口的电压差的绝对值U2，获取通过电感L的电流值I_ad；第一处理模块，用于当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_ref0、且U1≤U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest，其中，I1_ref0为第一初始过流阀值，U1对应的电流滞回点为I1_ref_rest；第二处理模块，用于当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_re本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于BUCK
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BOOST电路的过流保护方法，所述BUCK
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BOOST电路包括：电感L、MOS管Q1、MOS管Q2、第一端口P1、第二端口P2、第三端口P3和第四端口P4；第一端口P1与所述电感L的第一端连接，MOS管Q1的栅极和MOS管Q2的栅极均与所述电感L的第二端电连接，MOS管Q2的漏极与第三端口P3电连接；第二端口P2和第四端口P4均与MOS管Q2的漏极电连接；在电感L中，第一、第二端口是两个不同的端部；其特征在于，包括以下步骤：获取第一、第二端口的电压差的绝对值U1，获取第三、第四端口的电压差的绝对值U2，获取通过电感L的电流值I_ad；当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_ref0、且U1≤U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest，其中，I1_ref0为第一初始过流阀值，U1对应的电流滞回点为I1_ref_rest；当确定在第一、第二端口输入直流电、且I_ad≥I1_ref0、且U1>U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref，其中，U1对应的过流阀值为I1_ref，0<I1_ref_rest<I1_ref；当确定在第三、第四端口输入直流电、且I_ad≥I2_ref0、且U1>U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_ref_rest，其中，I2_ref0为第二初始过流阀值，U2对应的电流滞回点为I2_ref_rest；当确定在第三、第四端口输入直流电、且I_ad≥I2_ref0、且U1≤U2时，持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_ref，其中，U2对应的过流阀值为I2_ref，0<I2_ref_rest<I2_ref。2.根据权利要求1所述的过流保护方法，其特征在于，所述“获取第一、第二端口的电压差的绝对值U1，获取第三、第四端口的电压差的绝对值U2”具体包括：在第一时间T1获取到第一、第二端口之间的电压差的绝对值U1，在第二时间T2获取到第三、第四端口之间的电压差的绝对值U2；所述“确定在第一、第二端口输入直流电”具体包括：当第一时间T1早于第二时间T2时，则确定在第一、第二端口输入直流电，在第三、第四端口输出直流电；所述“确定在第三、第四端口输入直流电”具体包括：当确定第一时间T1晚于第二时间T2时，则确定在第三、第四端口输入直流电，在第一、第二端口输出直流电。3.根据权利要求1所述的过流保护方法，其特征在于，还包括：电流传感器，所有电流传感器用于测量流进所述电感L的电流；所述“通过电感L的电流值I_ad”具体包括：通过所述电流传感器获取通过电感L的电流值I_ad。4.根据权利要求1所述的过流保护方法，其特征在于，所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I1_ref_rest；所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I1_ref”具体包括：持续降低MOS管Q1的PWM信号的占空比，并持续降低MOS管Q2的PWM信号的占空比，直至通过电感L的电流值<I1_ref；所述“持续控制MOS管Q1的PWM信号和MOS管Q2的PWM信号，直至通过电感L的电流值<I2_
ref_rest”具体包括：持续降低...

【专利技术属性】
技术研发人员：高秋媛，
申请(专利权)人：苏州贝瓦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：