一种纳米结构表面及其原位制备方法技术

技术编号:3902647 阅读:207 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种纳米结构表面,包括基底层,以及固定在基底层上的大量纳米颗粒。所述表面的水接触角大于145度。本发明专利技术还涉及一种纳米结构表面原位制备方法,包括使用包含硅前体、水溶性催化剂和低表面能化合物来处理基底层,并将处理过的基底层在氨的气体氛围中固化,从而在基底层上构造纳米结构表面。使用该原位制备方法制备的纳米结构表面同时具有表面粗糙度和低表面能,因此具有优异的疏水性能和较大的水接触角,形成了仿生的荷叶表面。所述纳米结构表面可以方便和持久的具有自清洁的作用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米结构表面,其特征在于,包括: 基底层;和 所述基底层上固定的大量纳米颗粒; 所述表面的水接触角大于145度。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:忻浩忠刘玉阳卢海峰陈贤琼
申请(专利权)人:香港理工大学
类型:发明
国别省市:HK[中国|香港]

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