Micro-LED芯片制备方法及芯片技术

本申请适用于显示面板技术领域，提供了一种micro

【技术实现步骤摘要】
Micro
‑
LED芯片制备方法及芯片


[0001]本申请属于芯片制造
，尤其涉及一种micro
‑
LED芯片制备方法及芯片。

技术介绍

[0002]micro
‑
LED发光的基本原理是在外加电场下电子和空穴复合，以光子的形式释放出能量。micro
‑
LED芯片的每颗像素能够独立控制，并且在亮度、分辨率、能耗、使用寿命方面具有更大的优势，因而具有巨大的应用前景和市场。
[0003]制备micro
‑
LED芯片属于微米加工工艺，但在制备过程中，首先需要通过刻蚀形成微米级别的台面，然后再经历多次光刻工艺，制备过程复杂，制备用时较长。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供了一种micro
‑
LED芯片制备方法及芯片，可以解决现有的micro
‑
LED芯片制备过程中，由于需要经历多次光刻工艺，从而制备过程复杂，制备用时较长的问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提供一种micro
‑
LED芯片制备方法，包括：
[0006]提供一衬底，并在所述衬底上形成结构层；
[0007]在所述结构层中制作出隔离槽，所述隔离槽的槽壁设于所述外延片的表面，且所述隔离槽的槽底裸露出部分所述外延片；隔离槽在所述隔离槽的槽壁和裸露出的部分所述外延片上形成电流扩散层；
[0008]在所述电流扩散层上形成电极层；
[0009]将所述隔离槽的槽壁进行减薄处理，使所述隔离槽的顶部与所述电极层背离所述外延片的表面平齐。
[0010]可选地，采用等离子增强化学气相沉积镀膜法来沉积所述结构层，所述结构层为半导体材料层。
[0011]可选地，所述结构层的厚度大于所述电流扩散层与所述电极层的厚度之和。
[0012]可选地，设所述隔离槽的槽内尺寸为L，满足1μm≤L≤50μm。
[0013]可选地，采用湿法化学反应或干法灰化去除残余的所述光刻胶图案。
[0014]可选地，上述步骤在所述结构层中制作出隔离槽，包括：
[0015]在所述结构层上旋涂正性光刻胶，形成所述光刻胶层；
[0016]利用掩膜版来曝光部分所述光刻胶层；
[0017]将显影液涂覆于所述光刻胶层，形成光刻胶图案；
[0018]将所述光刻胶图案作为掩膜，刻蚀所述结构层至裸露部分所述外延片；
[0019]去除所述光刻胶图案，得到所述隔离槽。
[0020]可选地，上述步骤在所述隔离槽的槽壁和裸露出的部分所述外延片上形成电流扩散层，包括：
[0021]采用磁控溅射薄膜沉积法在所述隔离槽的槽壁和裸露出的部分所述外延片上沉
积所述电流扩散层，裸露出的部分所述外延片上所沉积的所述电流扩散层的高度低于所述隔离槽的槽壁的高度，所述电流扩散层为ITO层或金属薄层；
[0022]对所述电流扩散层进行退火处理。
[0023]可选地，上述步骤在所述电流扩散层上形成电极层，包括：
[0024]采用薄膜沉积法在所述电流扩散层上沉积所述电极层，所述电极层包括单层金属或多层金属；裸露出的部分所述外延片上所沉积的所述电极层的高度低于所述隔离槽的槽壁的高度。
[0025]可选地，采用研磨、化学抛光或机械抛光对所述隔离槽的所述槽壁进行减薄。
[0026]本申请实施例的第二方面提供一种micro
‑
LED芯片，采用上述的micro
‑
LED芯片制备方法。
[0027]可选地，所述micro
‑
LED芯片包括：
[0028]基底层，基底层设于外延片远离结构层的一侧；
[0029]外延层，设于基底层与结构层之间。
[0030]可选地，外延层包括氮化镓基以及多量子阱结构，氮化镓基可以分为P型氮化镓外延层和N型氮化镓外延层。
[0031]可选地，隔离槽的顶部与所述电极层背离所述外延片的表面平齐。
[0032]本申请提供的micro
‑
LED芯片制备方法及芯片的有益效果在于：与现有技术相比，通过将第一图案作为掩膜，在衬底上制备隔离槽，导电层和电极层铺设于micro
‑
LED芯片远离衬底的一侧即可，在裸露部分的衬底上形成导电层和电极层的方法，无需进行复杂的工艺制备导电层和电极层，有效减少光刻工艺步骤，降低制备micro
‑
LED芯片的复杂度，达到快速制备micro
‑
LED芯片的目的。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1是本申请实施例一提供的micro
‑
LED芯片制备方法的流程示意图；
[0035]图2是图1流程示意图中步骤101对应的micro
‑
LED芯片结构示意图；
[0036]图3是图1流程示意图中步骤102对应的micro
‑
LED芯片结构示意图之一；
[0037]图4是图1流程示意图中步骤102对应的micro
‑
LED芯片结构示意图之二；
[0038]图5是图1流程示意图中步骤103对应的micro
‑
LED芯片结构示意图；
[0039]图6是图1流程示意图中步骤104对应的micro
‑
LED芯片结构示意图；
[0040]图7是本申请实施例二提供的micro
‑
LED芯片的结构示意图。
[0041]附图标号：
[0042]1‑
基底层；2
‑
外延层；3
‑
结构层；4
‑
光刻图案；5
‑
隔离槽；6
‑
电流扩散层；7
‑
电极层；10
‑
外延片。
具体实施方式
[0043]为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0044]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
[0045]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种micro
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，包括：提供一外延片，并在所述外延片上形成结构层；在所述结构层中制作出隔离槽，所述隔离槽的槽壁设于所述外延片的表面，且所述隔离槽的槽底裸露出部分所述外延片；在所述隔离槽的槽壁和裸露出的部分所述外延片上形成电流扩散层；在所述电流扩散层上形成电极层；将所述隔离槽的槽壁进行减薄处理，使所述隔离槽的顶部与所述电极层背离所述外延片的表面平齐。2.如权利要求1所述的micro
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，采用等离子增强化学气相沉积镀膜法来沉积所述结构层，所述结构层为半导体材料层。3.如权利要求1所述的micro
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，所述结构层的厚度大于所述电流扩散层与所述电极层的厚度之和。4.如权利要求1所述的micro
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，设所述隔离槽的槽内尺寸为L，满足1μm≤L≤50μm。5.如权利要求1所述的micro
‑
LED芯片制备方法，其特征在于，在所述结构层中制作出隔离槽，包括：在所述结构层上旋涂正性光刻胶，形成所述光刻胶层；利用掩膜版来曝光部分所述光刻胶层；将显影液涂覆于所述光刻胶层，形成光刻胶图案；将所述光刻胶图案作为掩膜，刻蚀所述结构层至裸露部分所述外延片；去除所述光刻胶图案...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘召军，杨彪，刘亚莹，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：