低护槽体积单模超低损耗光纤制造技术

本公开的实施例包括低护槽体积单模超低损耗光纤。在一些实施例中，单模光纤包括：第一芯区域；第二芯区域，围绕第一芯区域并与第一芯区域直接接触，其中第二芯区域的体积V小于或等于14％Δμm2；包层区域，围绕芯区域；并且其中光纤具有小于1260nm的线缆截止、1310nm下8.6微米至9.7微米的模场直径、1550nm下9.9微米至11微米的模场直径、以及1550nm下小于或等于0.17dB/km的衰减。于0.17dB/km的衰减。于0.17dB/km的衰减。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低护槽体积单模超低损耗光纤
相关申请的交叉引用
[0001]本申请根据35 U.S.C.
§
119要求于2020年12月11日提交的美国临时申请序列第63/124,455号的优先权，本申请基于该临时申请的内容并且该临时申请的内容通过引用以其整体并入本文。


[0002]本公开涉及光纤。更具体地，本公开涉及单模光纤。更具体地，本公开涉及低护槽(moat)体积单模超低损耗光纤。

技术介绍

[0003]电信系统(海底应用和陆地应用两者都)需要能够长距离传输信号而不会退化的光纤。诸如衰减和弯曲损耗之类的光纤属性会导致信号退化。当前的海底和陆地应用需要光纤在大弯曲直径(例如50
‑
70mm范围)下改进的弯曲性能，同时保持适合此类应用的其他光学属性(例如模场直径、线缆截止和衰减)。
[0004]期望对上述方面的改进。因此，专利技术人开发了在大弯曲直径下具有低弯曲损耗的单模光纤。

技术实现思路

[0005]本公开的第一实施例包括一种单模光纤，所述单模光纤包括：第一芯区域，所述第一芯区域具有1.5≤α≤10的α值，并且延伸至外半径r1，其中2.5μm≤r1≤8μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ1(r)、最小相对折射率Δ
1MIN
、最大相对折射率Δ
1MAX
并且所述相对折射率在半径r＝2μm处测量，其中
‑
0.35≤Δ
1MIN
≤
‑
0.05；第二芯区域，所述第二芯区域围绕所述第一芯区域并且与所述第一芯区域直接相邻，并且延伸至半径10μm≤r2≤22μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ2(r)，具有最小相对折射率Δ
2MIN
，其中
‑
0.47％≤Δ
2MIN
≤
‑
0.3％，并且其中所述第二芯区域的体积V小于或等于14％Δμm2；包层区域，所述包层区域围绕所述芯，并且包括：相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比Δ3(r)，以及最小折射率增量Δ
3MIN
，并且
‑
0.45％≤Δ3≤
‑
0.2％；并且其中所述光纤具有小于1260nm的线缆截止、1310nm下8.6微米至9.7微米的模场直径、1550nm下9.9微米至11微米的模场直径、以及1550nm下小于或等于0.17dB/km的衰减。
[0006]本公开的第二实施例可包括第一实施例，其中第二环形芯区域的体积V为0％Δμm2至9％Δμm2。
[0007]本公开的第三实施例可包括第一实施例，其中第二环形芯区域的体积V为4％Δμm2至9％Δμm2。
[0008]本公开的第四实施例可包括第一实施例，其中第二环形芯区域的体积V为2％Δμm2至7％Δμm2。
[0009]本公开的第五实施例可包括第四实施例，其中第二环形芯区域的体积V为2％Δμm2至9％Δμm2。
[0010]本公开的第六实施例可包括第一实施例，其中当光纤缠绕在30mm直径的芯轴上时表现出小于0.75dB/圈的宏弯曲损耗。
[0011]本公开的第七实施例可包括第一实施例，其中当光纤缠绕在40mm直径的芯轴上时表现出小于0.5dB/圈的宏弯曲损耗。
[0012]本公开的第八实施例可包括第一实施例，其中当光纤缠绕在50mm直径的芯轴上时表现出小于0.05dB/圈的宏弯曲损耗。
[0013]本公开的第九实施例可包括第一实施例，其中当光纤缠绕在60mm直径的芯轴上时表现出小于0.005dB/圈的宏弯曲损耗。
[0014]本公开的第十实施例可包括第一实施例，其中1≤r2/r1≤9，r1≤8μm并且r2≤20μm。
[0015]本公开的第十一实施例可包括第一实施例，其中2.5≤r2/r1≤5。
[0016]本公开的第十二实施例可包括第一实施例，其中光纤表现出零色散波长λ0，并且1300nm≤λ0≤1324nm。
[0017]本公开的第十三实施例可包括第一实施例，其中光纤表现出小于或等于1dB/km的微弯曲损耗。
[0018]本公开的第十四实施例包括一种单模光纤，所述单模光纤包括：第一芯区域，所述第一芯区域具有1.5≤α≤10的α值，并且延伸至外半径r1，其中2.5μm≤r1≤8μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ1(r)、最小相对折射率Δ
1MIN
、最大相对折射率Δ
1MAX
并且所述相对折射率在半径r＝2μm处测量，其中
‑
0.3≤Δ
1MIN
≤
‑
0.05；第二芯区域，所述第二芯区域围绕所述第一芯区域并且与所述第一芯区域直接相邻，并且延伸至半径10μm≤r2≤22μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ2(r)，具有最小相对折射率Δ
2MIN
，其中
‑
0.47％≤Δ
2MIN
≤
‑
0.3％，并且其中所述第二环形芯区域的体积V小于或等于14％Δμm2；包层区域，所述包层区域围绕所述芯，并且包括：相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比Δ3(r)，以及最小折射率增量Δ
3MIN
，并且
‑
0.55％≤Δ3≤
‑
0.3％；并且其中所述光纤具有小于1530nm的线缆截止、1310nm下8.6微米至9.7微米的模场直径、1550nm下9.9微米至11微米的模场直径、以及1550nm下小于或等于0.17dB/km的衰减。
[0019]本公开的第十五实施例可包括第十四实施例，其中第二环形芯区域的体积V为0％Δμm2至9％Δμm2。
[0020]本公开的第十六实施例可包括第十四实施例，其中第二环形芯区域的体积V为4％Δμm2至9％Δμm2。
[0021]本公开的第十七实施例可包括第十四实施例，其中第二环形芯区域的体积V为2％Δμm2至7％Δμm2。
[0022]本公开的第十八实施例可包括第十四实施例，其中第二环形芯区域的体积V为2％Δμm2至9％Δμm2。
[0023]本公开的第十九实施例可包括第十四实施例，其中当光纤缠绕在60mm直径的芯轴上时表现出小于0.005dB/圈的弯曲损耗。
[0024]本公开的第二十实施例可包括第十四实施例，其中当光纤缠绕在30mm直径的芯轴上时表现出小于0.75dB/圈的宏弯曲损耗。
[0025]本公开的第二十一实施例可包括第十四实施例，其中当光纤缠绕在40mm直径的芯轴上时表现出小于0.5dB/圈的宏弯曲损耗。
[0026]本公开的第二十二实施例可包括第十四实施例，其中当光纤缠绕在50mm直径的芯轴上时表现出小于0.05dB/圈的宏弯曲损耗。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种单模光纤，包括：第一芯区域，所述第一芯区域具有1.5≤α≤10的α值，并且延伸至外半径r1，其中2.5μm≤r1≤8μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ1(r)、最小相对折射率Δ
1MIN
、最大相对折射率Δ
1MAX
并且所述相对折射率在半径r＝2μm处测量，其中
‑
0.35≤Δ
1MIN
≤
‑
0.05；第二芯区域，所述第二芯区域围绕所述第一芯区域并且与所述第一芯区域直接相邻，并且延伸至半径10μm≤r2≤22μm，并且具有相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比分布Δ2(r)，具有最小相对折射率Δ
2MIN
，其中
‑
0.47％≤Δ
2MIN
≤
‑
0.3％，并且其中所述第二芯区域的体积V小于或等于14％Δμm2；包层区域，所述包层区域围绕所述芯，并且包括：相对于纯二氧化硅测量的以％为单位的相对折射率百分比Δ3(r)，以及最小折射率增量Δ
3MIN
，并且
‑
0.45％≤Δ3≤
‑
0.2％；并且其中所述光纤具有小于1260nm的线缆截止、1310nm下8.6微米至9.7微米的模场直径、1550nm下9.9微米至11微米的模场直径、以及1550nm下小于或等于0.17dB/km的衰减。2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二环形芯区域的所述体积V为0％Δμm2至9％Δμm2。3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二环形芯区域的所述体积V为4％Δμm2至9％Δμm2。4.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二环形芯区域的所述体积V为2％Δμm2至7％Δμm2。5.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，第二环形芯区域的所述体积V为2％Δμm2至9％Δμm2。6.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在30mm直径的芯轴上时表现出小于0.75dB/圈的宏弯曲损耗。7.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在40mm直径的芯轴上时表现出小于0.5dB/圈的宏弯曲损耗。8.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在50mm直径的芯轴上时表现出小于0.05dB/圈的宏弯曲损耗。9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，当所述光纤缠绕在60mm直径的芯轴上时表现出小于0.005dB/圈的宏弯曲损耗。10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，1≤r2/r1≤9，r1≤8μm并且r2≤20μm。11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，2.5≤r2/r1≤5。12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤表现出零色散波长λ0，并且1300nm≤λ0≤1324nm。13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤表现出小于或等于1dB/km的微弯曲损耗。14.一种单模光纤，包括：第一芯区...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：