囊胚样细胞聚集体和方法技术

本发明专利技术提供了通过细胞的聚集和培养来生成类囊胚或囊胚样结构的方法，其包括在3D培养中在包含HIPPO途径抑制剂的培养基中培养人多能干细胞(hPSC)和滋养层细胞的聚集体；通过所述方法可获得的类囊胚和囊胚样细胞聚集体及其用途；以及增加囊胚发育和植入的用于体外受精的囊胚的类似处理；以及减少囊胚发育和植入的人胚胎的类似避孕处理。的人胚胎的类似避孕处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】囊胚样细胞聚集体和方法
[0001]本专利技术涉及通过细胞的聚集和培养来生成囊胚样结构。
[0002]专利技术背景
[0003]由于研究的人胚胎数量很少，以及在物理上和遗传上对它们进行实验操作的困难，对人早期胚胎发育和植入的了解极其有限。其他实验模型生物体(典型地是小鼠)已被用于研究这些早期发育和植入机制。然而，现在已经清楚，人和其他物种在形态和起作用的分子方面存在重要差异，这使得对人胚胎发生的研究变得必要。
[0004]EP 2 986 711 A1涉及使用至少一种滋养层细胞和至少一种多能细胞生成类囊胚(blastoid)。
[0005]WO 2018/175691 A1涉及全能细胞的生成。
[0006]WO 2020/262531 A1描述了通过培养囊胚来产生原基(primordial)内胚层干细胞。
[0007]RONGHUI Li et al.,Cell,Elsevier,Vol.179(3),2019:687描述了从单一干细胞类型生成囊胚样结构。
[0008]RIVRON Nicolas C et al.,Nat本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.生成类囊胚或囊胚样细胞聚集体的方法，所述方法包括在3D培养中在包含HIPPO途径抑制剂的培养基中培养人多能干细胞(hPSC)和滋养层细胞的聚集体，其中所述hPSC和滋养层的聚集体通过在包含MEK抑制剂和TGF
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β抑制剂的培养基中培养聚集的hPSC来生成。2.权利要求1的方法，其中所述hPSC和滋养层的聚集体通过在进一步包含HIPPO途径抑制剂的培养基中培养聚集的hPSC来生成。3.权利要求1或2的方法，其中所述聚集的hPSC通过如下形成：接种hPSC并通过在生长培养基中培养，优选地在生长培养基中培养0至64小时，特别优选12至64小时来聚集所述接种的hPSC，和/或优选地其中所述生长培养基包含ROCK抑制剂，特别优选的是所述ROCK抑制剂是Y27632。4.权利要求3的方法，其中所述接种的hPSC已经用MEK抑制剂和/或PKC抑制剂处理，优选地进一步包括Wnt抑制剂和/或STAT激动剂，优选地其中所述处理是在2D培养中。5.权利要求4的方法，其中所述PKC抑制剂选自和Ro
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8425。6.权利要求1至5中任一项的方法，其中所述HIPPO途径抑制剂是溶血磷脂酸(LPA)受体的配体，优选LPA或NAEPA，或维替泊芬；和/或所述MEK抑制剂是PD0325901；和/或所述TGF
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β抑制剂是A83
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1或SB431542。7.权利要求1至6中任一项的方法，其包括培养所述细胞至少直至从所述hPSC和滋养层的聚集体中形成滋养外胚层样组织、外胚层样组织和内胚层样组织，优选进一步至少直至胚胎
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胚外轴的形成；和/或培养所述细胞至少直至形成总直径为至少100μm、优选至少140μm、甚至更优选180μm至220μm的三维细胞聚集体，所述三维细胞聚集体由围绕充满流体的空腔的滋养层样细胞的外上皮单层和包含外胚层样和内胚层样细胞的至少一个内部细胞簇形成。8.权利要求1至7中任一项的方法，其进一步包括用选自雌激素、雌酮、雌三醇、炔雌醇、17α
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乙炔基雌二醇、美雌醇、黄体酮、孕激素、cAMP和Wnt抑制剂，优选地XAV939、IWP
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2、PNU
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74654或LF3的化合物刺激子宫内膜细胞，以及将所述类囊胚接种到所述受刺激的子宫内膜细胞层上，允许所述类囊胚附着并侵入所述子宫内膜细胞层。9.权利要求1至8中任一项的方法，其用于测试或...

【专利技术属性】
技术研发人员：N，
申请(专利权)人：IMBA莫利库尔生物技术研究所，
类型：发明
国别省市：