发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物制造方法及图纸

实施方式提供了发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物。该发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层包括由式1表示的稠合多环化合物，其在说明书中解释：[式1][式1][式1][式1]

【技术实现步骤摘要】
发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0037158号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开涉及发光装置和用于该发光装置的稠合多环化合物。

技术介绍

[0004]作为图像显示设备，有机电致发光显示设备的积极开发正在继续。与液晶显示设备等不同，有机电致发光显示设备为所谓的自发光显示设备，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得发射层中包括有机化合物的发光材料发射光以实现显示。
[0005]在将有机电致发光装置应用于显示设备时，需要具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的有机电致发光装置，并且要求对能够用于稳定地获得这些特性的有机电致发光装置的材料进行持续开发。
[0006]为了实施高效的有机电致发光装置，正在开发与使用三重态能量的磷光发射或使用其中通过三重态激子的碰撞生成单重态激子的三重态
‑
三重态湮灭(TTA)的延迟荧光发射相关的技术，并且目前开发的是使用延迟荧光现象的热激活延迟荧光(TADF)材料。
[0007]要理解，该
技术介绍
章节部分旨在提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该
技术介绍
章节也可包括在本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。

技术实现思路

[0008]本公开提供了发光装置，其中发光效率和装置使用寿命得到改善。
[0009]本公开还提供了稠合多环化合物，该稠合多环化合物能够改善发光装置的发光效率和使用寿命。
[0010]实施方式提供了发光装置，该发光装置可包括第一电极、面向第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发射层，其中发射层包括由式1表示的第一化合物：
[0011][式1][0012][0013]在式1中，X1和X2可各自为NR7；Y1可为直接连接或O；Y2可为直接连接、O或NR8；Z1可为C或Si；当Z1为Si时，Y1可为O；R1至R8可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，或者可与相邻基团键合以形成环；a可为0或1；当a为0时，R4可不为取代的或未取代的胺基；n1可为选自0至3的整数；n2可为选自0至2的整数；n3和n4可各自独立地为选自0至4的整数；n5和n6可各自独立地为0至5的整数；a与n5之和可为5或更小；并且a与n6之和可为5或更小。
[0014]在实施方式中，由式1表示的第一化合物可由式2
‑
1至式2
‑
4中的任何一个表示：
[0015][式2
‑
1][0016][0017][式2
‑
2][0018][0019][式2
‑
3][0020][0021][式2
‑
4][0022][0023]在式2
‑
1至式2
‑
4中，R
5a
、R
6a
、R
5b
和R
6b
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基；R
4a
可为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基；m1、m2和m5可各自独立地为选自0至4的整数；并且m3和m4可各自独立地为选自0至5的整数。
[0024]在式2
‑
1至式2
‑
4中，X1、X2、Y1、Z1、R1至R4、R8和n1至n4各自与式1中限定的相同。
[0025]在实施方式中，由式1表示的第一化合物可由式3
‑
1至式3
‑
3中的任何一个表示：
[0026][式3
‑
1][0027][0028][式3
‑
2][0029][0030][式3
‑
3][0031][0032]在式3
‑
1至式3
‑
3中，X1、X2、Y2、a、R1至R6和n1至n6各自与式1中限定的相同。
[0033]在实施方式中，由式1表示的第一化合物可由式4
‑
1至式4
‑
6中的任何一个表示：
[0034][式4
‑
1][0035][0036][式4
‑
2][0037][0038][式4
‑
3][0039][0040][式4
‑
4][0041][0042][式4
‑
5][0043][0044][式4
‑
6][0045][0046]在式4
‑
1至式4
‑
6中，R
5a
、R
6a
、R
5b
和R
6b
可各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基；R
4a
可为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基；m1、m2和m5可各自独立地为选自0至4的整数；并且m3和m4可各自独立地为选自0至5的整数。
[0047]在式4
‑
1至式4
‑
6中，X1、X2、R1至R4、R8和n1至n4各自与式1中限定的相同。
[0048]在实施方式中，由式1表示的第一化合物可由式5
‑
1至式5
‑
3中的任何一个表示：
[0049][式5
‑
1][0050][0051][式5
‑
2][0052][0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
式2
‑
4其中在式2
‑
1至式2
‑
4中，R
5a
、R
6a
、R
5b
和R
6b
各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，R
4a
为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有
其中在式5
‑
1至式5
‑
3中，R
3a
和R
3b
各自独立地为取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，R3'和R
3”各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，n3'为选自0至3的整数，n3”为选自0至2的整数，并且R
3c
和R
3d
各自表示由式6表示的部分的键合位置，式6其中在式6中，
其中在式9
‑
1至式9
‑
6中，Z
b
为NR
41
或O，R
31
至R
41
各自独立地为氢原子、氘原子、卤原子、氰基、取代的或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代的或未取代的具有6至30个成环碳原子的芳基或者取代的或未取代的具有2至30个成环碳原子的杂芳基，n31为选自0至5的整数，n32和n38各自独立地为选自0至3的整数，n33、n37和n39各自独立地为选自0至4的整数，n34和n35各自独立地为选自0至5的整数，n38与n39之和为6或更小，n36为选自0至8的整数，n40为选自0至11的整数，并且—*为与式1的键合位置。9.如权利要求1所述的稠合多环化合物，其中所述由式1表示的稠合多环化合物包括选自化合物组1中的至少一种化合物：化合物组1
其中在化合物组1中，D表示氘原子。10.一种发光装置，包括：第一电极；面向所述第一电极的第二电极；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，其中所述发射层包括根据权利要求1至9中的任一项所述的稠合多环化合物作为第一化合物。11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述发射层进一步包括由式H
‑
1表示的第二化合物：式H
‑
1其中在式H
‑
1中，A1至A8各自独立地为N或CR
...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文基，金洗栾，金泰一，白长烈，成旻宰，郑旼静，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：