抗蚀剂材料及图案形成方法技术

本发明专利技术涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明专利技术课题提供高感度，且LWR、CDU有所改善的抗蚀剂材料、及使用其的图案形成方法。解决手段是一种抗蚀剂材料，包含含有下式(1)表示的锍盐的淬灭剂。盐的淬灭剂。盐的淬灭剂。

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂材料及图案形成方法


[0001]本专利技术关于抗蚀剂材料及图案形成方法。

技术介绍

[0002]伴随LSI的高整合化及高速化，图案规则的微细化急速进展中。这是因为5G的高速通讯及人工智能(artificial intelligence，AI)的普及进展，需要用以处理它们的高性能元件。就最先进的微细化技术而言，由波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻所为的5nm节点的元件的量产正在进行。此外，针对下一时代的3nm节点、再下一时代的2nm节点元件，亦正在进行使用EUV光刻的探讨，比利时的IMEC已表明1nm及0.7nm的元件开发。
[0003]伴随微细化的进展，因酸的扩散导致的图像模糊成为问题。为了确保于尺寸大小45nm以下的微细图案的分辨性，有人提案不只是以往提案的溶解对比度的改善，酸扩散的控制亦为重要(非专利文献1)。但是，由于化学增幅抗蚀剂材料是通过酸的扩散来提高感度及对比度，故若欲降低曝光后烘烤(PEB)温度、缩短时间来将酸扩散抑制到极限，则感度及对比度会显著降低。
[0004]此处展示感度、分辨率及边缘粗糙度(LW本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗蚀剂材料，包含含有下式(1)表示的锍盐的淬灭剂；式中，m是0～5的整数，n是0～3的整数，p是0或1，q是0～4的整数，r是1或2，s是1～3的整数；R1是单键、醚键、硫醚键或酯键；R2是单键或碳数1～20的烷二基，该烷二基亦可具有氟原子或羟基；R3及R4各自独立地是碳数1～12的饱和烃基、碳数2～8的烯基、碳数2～8的炔基或碳数6～10的芳基，该饱和烃基、烯基、炔基及芳基亦可含有氧原子或硫原子；此外，R3及R4亦可互相键结并与它们所键结的碳原子一起形成环；R5是氟原子、亦可被氟原子取代的碳数1～4的烷基、亦可被氟原子取代的碳数1～4的烷氧基或亦可被氟原子取代的碳数1～4的烷硫基；R6是羟基、碳数2～4的烷氧基羰基、硝基、氰基、氯原子、溴原子或氨基；R7是羟基、羧基、硝基、氰基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子或是氨基、或亦可含有选自氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、羟基、氨基及醚键中的至少1种的碳数1～20的饱和烃基、碳数1～20的饱和烃基氧基、碳数2～20的饱和烃基羰基氧基、碳数2～20的饱和烃基氧基羰基或是碳数1～4的饱和烃基磺酰氧基；R8是亦可含有杂原子的碳数1～20的烃基；s＝1时，2个R8可以互为相同亦可以不同，亦可互相键结并与它们所键结的硫原子一起形成环；圆Ar是碳数6～18的(m+n+1)价的芳香族基，亦可含有氧原子、硫原子或氮原子；X
‑
是酸性弱于磺酸的非亲核性相对离子。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，其中，X
‑
表示的非亲核性相对离子是羧酸阴离子、磺酰胺阴离子、不含有氟原子的甲基化酸阴离子、苯氧化物阴离子、卤化物阴离子或碳酸阴离子。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂材料，其中，该羧酸阴离子是下式(2)
‑
1表示者，该磺酰胺阴离子是下式(2)
‑
2表示者，该不含有氟原子的甲基化酸阴离子是下式(2)
‑
3表示者，该苯氧化物阴离子是下式(2)
‑
4表示者；式中，R
11
是氢原子、氟原子、或亦可含有杂原子的碳数1～24的烃基；
R
12
是亦可含有杂原子的碳数1～20的烃基；R
13
是氢原子、或亦可含有杂原子的碳数1～20的烃基；R
14
～R
16
各自独立地是亦可含有杂原子的碳数1～10的烃基；R
17
是卤素原子、羟基、氰基、硝基、氨基、碳数2～10的烷基羰基氨基、碳数1～10的烷基磺酰基氨基、碳数1～10的烷基磺酰氧基、碳数1～10的烷基、苯基、碳数1～10的烷氧基、碳数1～10的烷硫基、碳数2～10的烷氧基羰基、碳数1～10的酰基或碳数1～10的酰氧基，它们的碳原子所键结的氢原子的一部分或全部亦可被氟原子取代；k是0～5的整数。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，其中，m是1～5的整数。5.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，更含有产生强酸的酸产生剂。6.根据权利要求5所述的抗蚀剂材料，其中，该强酸是磺酸、经氟化的酰亚胺酸或经氟化的甲基化酸。7.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，更含有有机溶剂。8.根据权利要求1所述的抗蚀剂材料，更含有基础聚合物。9.根据权利要求8所述的抗蚀剂材料，其中，该基础聚合物含有下式(a1)表示的重复单元或下式(a2)表示的重复单元；式中，R
A
各自独立地是氢原子或甲基；X1是单键、亚苯基或是亚萘基、或含有选自酯键、醚键及内酯环中的至少1种的碳数1～12的连接基团；X2是单键或酯键；X3是单键、醚键或酯键；R
21
及R
22
各自独立地是酸不稳定基团；R
23
是氟原子、三氟甲基、氰基、碳数1～6的饱和烃基、碳数1～6的饱和烃基氧基、碳数2...

【专利技术属性】
技术研发人员：畠山润，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
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