高功率回退效率非对称堆叠式差分正交负载调制PA制造技术

本公开涉及高功率回退效率非对称堆叠式差分正交负载调制PA。公开一种负载调制放大器，其具有被配置成放大射频信号中低于阈值电平的第一部分的第一功率放大器。第二功率放大器具有被配置成共源共栅配置以放大所述射频信号中高于所述阈值电平的第二部分的N堆叠晶体管装置，其中N是大于一的计数数目。其中N是大于一的计数数目。其中N是大于一的计数数目。

【技术实现步骤摘要】
高功率回退效率非对称堆叠式差分正交负载调制PA
[0001]相关申请
[0002]本申请要求2022年3月23日提交的第63/322,660号临时专利申请和2022年5月25日提交的第63/345,470号临时专利申请的权益，前述临时专利申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开涉及放大器，且具体地说，涉及具有并联耦合的载波放大器和峰值放大器的负载调制放大器。

技术介绍

[0004]与传统的多尔蒂(Doherty)功率放大器相比，正交组合式负载调制功率放大器(QLMPA)提供更广的带宽和负载调制能力。非对称多尔蒂放大器和QLMPA通常实施较大的晶体管装置外围和相关联电流以供峰化器放大器将功率回退(PBO)效率峰值范围扩展超出传统6dB PBO点，以适应更高的峰值
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平均功率比应用。越大的峰化器装置外围伴随越低的输入和输出阻抗，从而产生具有较低带宽和较大峰化器放大器输出负载效应的较高阻抗变换匹配网络。
[0005]虽然先前已声称非对称供应操作会改善高效率PBO范围，但最大供应操作受技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种负载调制放大器，其包括：
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第一功率放大器PA，其被配置成放大射频RF信号中低于阈值电平的第一部分；以及
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第二PA，其包括被配置成共源共栅配置以放大RF信号中高于所述阈值电平的第二部分的N堆叠晶体管装置，其中N是大于一的计数数目。2.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其中所述第一PA包括未堆叠的晶体管装置。3.根据权利要求2所述的负载调制放大器，其中未堆叠的所述晶体管装置呈共发射极配置。4.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其另外包括被配置成组合所述RF信号的放大版本的各部分的输出正交耦合器。5.根据权利要求4所述的负载调制放大器，其中所述输出正交耦合器由反射短路端接。6.根据权利要求4所述的负载调制放大器，其中所述输出正交耦合器由小于50欧姆的低复阻抗端接。7.根据权利要求4所述的负载调制放大器，其中所述输出正交耦合器由反射开路端接。8.根据权利要求4所述的负载调制放大器，其中所述输出正交耦合器由大于50欧姆的高复阻抗端接。9.根据权利要求4所述的负载调制放大器，其中所述输出正交耦合器由基本50欧姆端接。10.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其中所述N堆叠晶体管装置中的选中晶体管装置是借助于耦合到固定电压节点的基极电容以共基极配置耦合的共源共栅晶体管装置。11.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述固定电压节点是接地。12.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述基极电容具有被配置成使所述负载调制放大器的增益最大化的非均一电容值。13.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述基极电容具有被配置成使所述负载调制放大器的平均故障间隔时间最大化的非均一电容值。14.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述基极电容具有被配置成使所述负载调制放大器的输出功率最大化的非均一电容值。15.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述基极电容具有被配置成使所述负载调制放大器的功率附加效率最大化的非均一电容值。16.根据权利要求10所述的负载调制放大器，其中所述基极电容具有被配置成使所述负载调制放大器的线性增益最大化的非均一电容值。17.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其中所述第一PA和所述第二PA并联耦合。18.根据权利要求17所述的负载调制放大器，其中所述第一PA是载波放大器，并且所述第二PA是被配置成作为多尔蒂放大器操作的峰化器放大器。19.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其中所述第一PA和所述第二PA均被配置为差分放大器。20.根据权利要求1所述的负载调制放大器，其另外包括与所述第一PA和所述第二PA并联耦合成3路正...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：QORVO美国公司，
类型：发明
国别省市：