设备具备：经由多个凸块而接合的芯片、和与芯片对置的基板。设备具备：多个贯通电极，贯通芯片以及基板的至少一者，分别具有多个凸块的对应的一个凸块所连接的第1端部和与第1端部相反的第2端部；变形传感器，设置于芯片，与多个贯通电极电连接；和多个外部连接电极，与多个贯通电极的各自的第2端部连接，并且接触向变形传感器施加电压的探头。向变形传感器施加电压的探头。向变形传感器施加电压的探头。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】设备、设备制造装置以及设备制造方法
[0001]本公开涉及设备、设备制造装置以及设备制造方法。
技术介绍
[0002]专利文献1中公开了一种制造设备的设备制造方法，所述设备具备经由凸块而接合的芯片和与芯片对置的基板。
[0003]专利文献1中公开的设备具备：设置于芯片的电阻值测定用微小电路、和与电阻值测定用微小电路电连接的多个凸块。
[0004]在专利文献1中公开的设备制造方法中，在通过加压机构而将芯片向基板按压时，在通过向多个凸块施加电压而测定的电阻值超过规定的阈值的情况下，芯片向基板的接合结束。
[0005]凸块的电阻值反映相对于纵变形方向的强度，因此通过测定被按压的凸块的电阻值，适当管理电阻值，能够进行芯片向基板的稳定的接合。
[0006]向凸块的电压的施加通过在凸块所对应的基板上的电极焊盘连接的探头而进行。
[0007]在先技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：JP专利第4471746号公报
技术实现思路
[0010]本公开的一实施例所涉及的设备具备经由多个凸块而接合的芯片和与所述芯片对置的基板，所述设备具备：多个贯通电极，贯通所述芯片以及所述基板的至少一者，分别具有与所述多个凸块的对应的一个凸块连接的第1端部和与所述第1端部相反的第2端部；变形传感器，设置于所述芯片，与所述多个贯通电极电连接；和多个外部连接电极，与所述多个贯通电极的各自的所述第2端部连接，并且接触向所述变形传感器施加电压的探头。
[0011]本公开的一实施例所涉及的设备制造装置是制造设备的设备制造装置，所述设备具备经由多个凸块而接合的芯片和与所述芯片对置的基板，所述设备制造装置具备：载物台，保持所述基板；保持部，保持所述芯片；加压部，通过驱动所述保持部来将所述芯片按压于所述基板；和测定部，在通过所述加压部而将所述芯片按压于所述基板时，经由与多个外部连接电极接触的探头，来测定变形传感器的变形，所述多个外部连接电极与多个贯通电极的各自的第2端部连接，所述多个贯通电极与设置于所述芯片的所述变形传感器电连接，所述多个贯通电极贯通所述芯片以及所述基板的至少一者，所述多个贯通电极分别具有与所述多个凸块的对应的一个凸块连接的第1端部和与所述第1端部相反的所述第2端部。
[0012]本公开的一实施例所涉及的设备制造方法是制造设备的设备制造方法，所述设备具备经由多个凸块而接合的芯片和与所述芯片对置的基板，所述设备制造方法包含：通过驱动保持所述芯片的保持部，将所述芯片向保持于载物台的所述基板按压的步骤；和在将所述芯片按压于所述基板时，经由与多个外部连接电极接触的探头，来测定变形传感器的
变形的步骤，其中，所述多个外部连接电极与多个贯通电极的各自的第2端部连接，所述多个贯通电极与设置于所述芯片的所述变形传感器电连接，所述多个贯通电极贯通所述芯片以及所述基板的至少一者，所述多个贯通电极分别具有与所述多个凸块的对应的一个凸块连接的第1端部和与所述第1端部相反的所述第2端部。
附图说明
[0013]图1是本公开的实施方式1中的设备11的结构图。
[0014]图2是表示用于测定变形传感器3的变形的电路的图。
[0015]图3是本公开的实施方式1中的设备制造装置19的结构图。
[0016]图4是用于说明设备制造装置19的动作的流程图。
[0017]图5是本公开的实施方式2中的设备制造装置19A的结构图。
具体实施方式
[0018]在专利文献1的现有技术中，在开始向基板按压芯片的工序时，需要探头向基板上的电极焊盘的定位，需要定位的作业时间。此外，在电极焊盘与探头接触后，需要到接触状态稳定为止的时间。因此，希望设备的生产性的进一步提高。
[0019]本公开的非限定性的实施例提供一种能够实现生产性的进一步提高的设备、设备制造装置以及设备制造方法。
[0020]通过本公开的一实施例，能够提供一种能够实现生产性的进一步提高的设备、设备制造装置以及设备制造方法。
[0021]本公开的一实施例中的进一步的优点以及效果根据说明书以及附图而清楚。这种的优点以及/或者效果通过几个实施方式、说明书以及附图中记载的特征而被分别提供，但是不需要为了得到一个或者其以上的相同的特征而提供全部。
[0022]以下参照附图，详细说明了本公开的适当的实施方式。另外，在本说明书以及附图中，针对实质具有相同的功能的结构要素，赋予相同的符号从而省略重复说明。在以下的图中，分别所示的结构构件的形状、厚度、长度等在附图的制作上，与实际的结构构件的形状、厚度、长度等不同。进一步地，各结构构件的材质并不限定于本实施方式所述的材质。
[0023][实施方式1][0024]参照图1来说明本公开的实施方式1中的设备11的结构例。图1是本公开的实施方式1中的设备11的结构图。
[0025]设备11是由带有半导体的电气部件构成的装置、由不带有半导体的电气部件构成的装置等。在本实施方式中，将由带有半导体的电气部件构成的装置说明为设备11。
[0026]设备11具备多个凸块4、芯片9以及基板10。经由多个凸块4而接合的芯片9、与芯片对置的基板10通过超声波接合、热压接方法等，而被构成为一体。
[0027](凸块4)
[0028]凸块4是形成于基板10上的布线引线或者形成于芯片9的表面的突起状的连接电极。凸块4的材料是金、银、铜、钨等。
[0029]凸块4设置于芯片9的表面内、与基板10相对的部分。
[0030](芯片9)
[0031]芯片9具备：芯片基材5、多个外部连接电极1、多个贯通电极2以及变形传感器3。
[0032](芯片基材5)
[0033]芯片基材5例如是由硅等形成的板状的构件。
[0034](外部连接电极1)
[0035]外部连接电极1被设置于芯片基材5的与凸块4侧相反的一侧的面。外部连接电极1的材料是金、银、铜、钨等。
[0036](贯通电极2)
[0037]贯通电极2是从外部连接电极1向凸块4延伸的电极。贯通电极2的材料是金、银、铜、钨等。
[0038]贯通电极2的凸块4侧的端部(第1端部)与凸块4连接。贯通电极2的与凸块4侧相反的一侧的端部2a(第2端部)连接于外部连接电极1。
[0039]贯通电极2也连接于变形传感器3。因此，变形传感器3经由贯通电极2，与外部连接电极1电连接。后面叙述贯通电极2向变形传感器3的连接的详细。
[0040](变形传感器3)
[0041]变形传感器3例如是通过向硅扩散硼、磷等的杂质而形成于芯片基材5的内部的半导体型的变形计。
[0042]变形传感器3的电阻值根据基于压阻效应的机械变形量而变化。
[0043]例如，通过公知的4端子法，在向变形传感器3提供一定的值的电流时，基于在变形传感器3产生的电压、提供的电流，能够测定变形传感器3的电阻值。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，具备经由多个凸块而接合的芯片和与所述芯片对置的基板，所述设备具备：多个贯通电极，贯通所述芯片以及所述基板的至少一者，分别具有与所述多个凸块的对应的一个凸块连接的第1端部和与所述第1端部相反的第2端部；变形传感器，设置于所述芯片，与所述多个贯通电极电连接；和多个外部连接电极，与所述多个贯通电极的各自的所述第2端部连接，并且接触对所述变形传感器施加电压的探头。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备具备4个所述外部连接电极。3.一种制造设备的设备制造装置，所述设备具备经由多个凸块而接合的芯片和与所述芯片对置的基板，所述设备制造装置具备：载物台，保持所述基板；保持部，保持所述芯片；加压部，通过驱动所述保持部来将所述芯片按压于所述基板；和测定部，在通过所述加压部将所述芯片按压于所述基板时，经由与多个外部连接电极接触的探头，来测定变形传感器的变形，所述多个外部连接电极与多个贯通电极的各自的第2端部连接，所述多个贯通电极与设置于所述芯片的所述变形传感器电连接，所述多...
【专利技术属性】
技术研发人员：玉利健，糸井清一，樱井大辅，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：
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