可调移相器及电子设备制造技术

本申请提供了一种可调移相器及电子设备，该可调移相器包括位于第一基板和第二基板之间的介质层；设置于所述第一基板上的第一电极；设置于所述第二基板上的第二电极；其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。所述第一电极与所述介质层和至少一个贴片电极形成至少一个可变电容，这种结构便于施加电压，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小；可以通过改变第一电极和/或贴片电极的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内液晶的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。相移量。相移量。

【技术实现步骤摘要】
可调移相器及电子设备


[0001]本申请涉及通信
，具体涉及一种可调移相器及电子设备。

技术介绍

[0002]移相器是一种能够对波的相位进行调节的装置，其在雷达、导弹姿态控制、加速器、通信以及仪器仪表领域都有着广泛的应用。目前常用的移相器主要有变容二极管移相器、铁氧体移相器、PIN二极管移相器、MEMS(Micro
‑
Electro
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Mechanical System，微电子机械系统)移相器、可调移相器等。
[0003]其中，对于可调移相器而言，介质层的介电常数可以通过加电压控制，因此随着外加偏置电压的不同，上述介电常数可以连续变化，进而可以实现连续的移相调节。
[0004]但是现有的共面波导(Coplanar waveguide，CPW)结构的移相器获得的相移量有限，导致移相器的应用有一定的局限性。

技术实现思路

[0005]针对上述问题，本申请提供了一种可调移相器及电子设备，能够解决现有技术中可调移相器的相移量有限的技术问题。
[0006]第一方面，本申请提供一种可调移相器，包括：
[0007]相对设置的第一基板和第二基板；
[0008]位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；
[0009]设置于所述第一基板上的第一电极；
[0010]设置于所述第二基板上的第二电极；
[0011]其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。
[0012]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第二电极还包括间隔设置在所述第二基板上的第一子电极和第二子电极；
[0013]其中，所述至少一个贴片电极在所述第二基板上的正投影落入所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影之间。
[0014]在一些实施例中，上述可调移相器中，每个所述贴片电极分别通过对应的连接部与所述第一子电极和所述第二子电极连接。
[0015]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第一电极在所述第二基板上的正投影不覆盖所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影。
[0016]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第二电极为接地电极。
[0017]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述介质层包括液晶层。
[0018]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述至少一个贴片电极包括至少一个第一贴片电极以及分别设置于所述至少一个第一贴片电极两侧的至少一个第二贴片电极和至
少一个第三贴片电极；
[0019]其中，所述至少一个第二贴片电极中，各个所述第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第二贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小；
[0020]所述至少一个第三贴片电极中，各个所述第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的面积沿所述至少一个第三贴片电极在所述第二基板上的正投影的延伸方向逐渐增大或逐渐减小。
[0021]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述至少一个第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，以及所述至少一个第三贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域，对称设置于所述至少一个第一贴片电极在所述第二基板上的正投影的两侧。
[0022]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域的形状为方形、圆形或椭圆形。
[0023]在一些实施例中，上述可调移相器中，所述第一电极设置于所述第一基板靠近所述第二基板的一侧上；
[0024]所述第二电极设置于所述第二基板靠近所述第一基板的一侧上。
[0025]在一些实施例中，上述可调移相器中，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述第一电极的厚度与所述第一子电极和所述第二子电极的厚度相同。
[0026]在一些实施例中，上述可调移相器中，沿垂直于所述第二基板靠近所述第一基板的表面的方向上，所述连接部的厚度与所述贴片电极、所述第一子电极或所述第二子电极的厚度相同。
[0027]第二方面，本申请提供一种电子设备，包括如第一方面中任一项所述的可调移相器。
[0028]采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：
[0029]本申请提供了一种可调移相器及电子设备，该可调移相器包括相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；设置于所述第一基板上的第一电极；设置于所述第二基板上的第二电极；其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。所述第一电极与所述介质层和至少一个贴片电极形成至少一个可变电容，这种结构便于施加电压，不需要额外附加电极，对其移相器性能影响甚小；可以通过改变第一电极和/或贴片电极的厚度，来增大可变电容的电容值，当可变电容内介质层的介电常数发生改变时，移相器可获得更大的相移量。
附图说明
[0030]附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0031]图1是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器的正面俯视示意图；
[0032]图2a是图1中可调移相器沿A
‑
A
’
的剖面结构示意图；
[0033]图2b是图1中可调移相器沿B
‑
B
’
的剖面结构示意图；
[0034]图3是图1中可调移相器的第二电极的正面俯视示意图；
[0035]图4是本申请一示例性实施例示出的另一种第二电极的剖面结构示意图；
[0036]图5是本申请一示例性实施例示出的另一种第二电极的剖面结构示意图；
[0037]图6是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)的反射系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
[0038]图7是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)的传输系数随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
[0039]图8是本申请一示例性实施例示出的一种可调移相器(第一电极和第二电极的厚度均为2μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
[0040]图9是本申请一示例性实施例示出的另一种可调移相器(第一电极的厚度为2μm，第二电极中贴片电极的厚度为2.5μm)内电磁波的相角随可调介质层的有效介电常数的变化情况的示意图；
[0041]图10是本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板；位于所述第一基板和所述第二基板之间的介电常数可调的介质层；设置于所述第一基板上的第一电极；设置于所述第二基板上的第二电极；其中，所述第二电极包括间隔设置在所述第二基板上的至少一个贴片电极，所述第一电极在所述第二基板上的正投影至少覆盖部分所述介质层和部分所述贴片电极在所述第二基板上的正投影。2.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述第二电极还包括间隔设置在所述第二基板上的第一子电极和第二子电极；其中，所述至少一个贴片电极在所述第二基板上的正投影落入所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影之间。3.根据权利要求2所述的可调移相器，其特征在于，每个所述贴片电极分别通过对应的连接部与所述第一子电极和所述第二子电极连接。4.根据权利要求2所述的可调移相器，其特征在于，所述第一电极在所述第二基板上的正投影不覆盖所述第一子电极和所述第二子电极在所述第二基板上的正投影。5.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述第二电极为接地电极。6.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述介质层包括液晶层。7.根据权利要求1所述的可调移相器，其特征在于，所述至少一个贴片电极包括至少一个第一贴片电极以及分别设置于所述至少一个第一贴片电极两侧的至少一个第二贴片电极和至少一个第三贴片电极；其中，所述至少一个第二贴片电极中，各个所述第二贴片电极与所述第一电极在所述第二基板上的正投影的交叠区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：张士桥，方家，曲峰，郑洋，潘成，刘丙杨，李必奇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：