电子装置制造方法及图纸

技术编号:38903419 阅读:11 留言:0更新日期:2023-09-22 14:21
本揭露提供一种电子装置以及制造电子装置的方法。电子装置包括半导体基板以及发光模块。半导体基板包括多个晶体管以及多个光电二极管。发光模块设置在半导体基板上且包括多个发光元件。多个发光元件分别与多个晶体管电性连接,且多个发光元件不与多个光电二极管重叠。叠。叠。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本揭露涉及一种电子装置。

技术介绍

[0002]现有的电子装置将感测模块整合于其中,以提供身分识别(如指纹感测)功能。然而,目前的做法需要额外制作对应于感测模块的光学结构,造成制造工序的增加。

技术实现思路

[0003]本揭露提供一种电子装置,具有相对简化的制造工序。
[0004]根据本揭露的一个实施例,电子装置包括半导体基板以及发光模块。半导体基板包括多个晶体管以及多个光电二极管。发光模块设置在半导体基板上且包括多个发光元件。多个发光元件分别与多个晶体管电性连接,且多个发光元件不与多个光电二极管重叠。
[0005]根据本揭露的另一个实施例,电子装置包括半导体基板以及发光模块。半导体基板包括多个第一晶体管。发光模块设置在半导体基板上且包括多个发光元件以及多个光电二极管。多个发光元件分别与多个第一晶体管电性连接,且多个光电二极管不与多个发光元件重叠。
[0006]根据本揭露的再一个实施例,制造电子装置的方法包括以下步骤:提供半导体基板,半导体基板包括多个晶体管以及多个光电二极管;提供发光模块,发光模块包括多个发光元件;以及将发光模块设置在半导体基板上,使得多个发光元件分别与多个晶体管电性连接,且多个发光元件不与多个光电二极管重叠。
[0007]为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
[0008]图1A、图2、图3、图4A、图5至图9、图12B、图13B分别是根据本揭露的多个实施例的电子装置的局部剖面示意图;
[0009]图1B是图1A中第一型半导体层的局部俯视示意图;
[0010]图4B是图4A的电子装置的局部俯视示意图;
[0011]图10A以及图10B是本揭露的第一实施例的电子装置的制造流程的局部剖面示意图;
[0012]图11A以及图11B是本揭露的第十实施例的电子装置的制造流程的局部剖面示意图;
[0013]图12A是图12B的电子装置的俯视示意图;
[0014]图13A是图13B的电子装置的俯视示意图。
具体实施方式
[0015]现将详细地参考本揭露的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0016]本揭露通篇说明书与所附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解,电子装置制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中,“含有”与“包含”等词为开放式词语,因此其应被解释为“含有但不限定为
…”
之意。
[0017]本文中所提到的方向用语,例如:“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等,仅是参考附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明,而并非用来限制本揭露。在附图中,各附图绘示的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而,这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说,为了清楚起见,各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
[0018]本揭露中所叙述的一结构(或层别、元件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上/上方,可以指二结构相邻且直接连接,或是可以指二结构相邻而非直接连接。非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介元件、中介基材、中介间隔),一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面,另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面。而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成,并无限制。在本揭露中,当某结构设置在其它结构“上”时,有可能是指某结构“直接”在其它结构上,或指某结构“间接”在其它结构上,即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。
[0019]术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为在所给定的值或范围的20%以内,或解释为在所给定的值或范围的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以内。
[0020]说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”等的用词用以修饰元件,其本身并不意含及代表该(或该些)元件有任何之前的序数,也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序,该些序数的使用仅用来使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚区分。权利要求与说明书中可不使用相同用词,据此,说明书中的第一构件在权利要求中可能为第二构件。
[0021]本揭露中所叙述的电性连接或耦接,皆可以指直接连接或间接连接,于直接连接的情况下,两电路上元件的端点直接连接或以一导体线段互相连接,而于间接连接的情况下,两电路上元件的端点之间具有开关、二极管、电容、电感、电阻、其他适合的元件、或上述元件的组合,但不限于此。
[0022]在本揭露中,厚度、长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得,厚度或宽度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得,但不以此为限。另外,任两个用来比较的数值或方向,可存在着一定的误差。另外,本揭露中所提到的术语“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10%范围内。此外,用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包括第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。若第一方向垂直于第二方向,则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间;若第一方向平行于第二方向,则第
一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
[0023]须知悉的是,以下所举实施例可以在不脱离本揭露的精神下,可将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。各实施例间特征只要不违背专利技术精神或相冲突,均可任意混合搭配使用。
[0024]除非另外定义,在此使用的全部用语(包含技术及科学用语)具有与本揭露所属
的技术人员通常理解的相同涵义。能理解的是,这些用语例如在通常使用的字典中定义用语,应被解读成具有与相关技术及本揭露的背景或上下文一致的意思,而不应以一理想化或过度正式的方式解读,除非在本揭露实施例有特别定义。
[0025]在本揭露中,电子装置可包括显示装置、背光装置、天线装置、感测装置或拼接装置,但不以此为限。电子装置可为可弯折或可挠式电子装置。显示装置可为非自发光型显示装置或自发光型显示装置。天线装置可为液晶型态的天线装置或非液晶型态的天线装置,感测装置可为感测电容、光线、热能或超声波的感测装置,但不以此为限。在本揭露中,电子元件可包括无源元件与有源元件,例如电容、电阻、电感、二极管、晶体管等。二极管可包括发光二极管或光电二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置,其特征在于,包括:半导体基板,包括多个晶体管以及多个光电二极管;以及发光模块,设置在所述半导体基板上且包括多个发光元件,其中所述多个发光元件分别与所述多个晶体管电性连接,且所述多个发光元件不与所述多个光电二极管重叠。2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述多个发光元件包括多个第一型半导体,所述多个第一型半导体集成为第一型半导体层,且所述第一型半导体层包括多个第一开口,所述多个第一开口分别与所述多个光电二极管重叠。3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述发光模块还包括遮光层,所述遮光层环绕所述多个发光元件中的每一个,且所述遮光层包括多个第二开口,所述多个第二开口分别与所述多个光电二极管重叠。4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述发光模块还包括金属层,所述金属层用以感测触控事件,且所述金属层包括多个第三开口,所述多个第三开口分别与所述多个光电二极管重叠。5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,所述发光模块还包括多个透镜,所述多个透镜分别与所述多个光电二极管重叠。6.一种电子装置,其特征在于,包括:半导体基板,包括多个第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨秋莲陈嘉源刘敏钻蔡宗翰李冠锋
申请(专利权)人:群创光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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