具有多重雾度的纹理玻璃基制品及其生产方法技术

提供一种具有多重雾度的纹理玻璃基制品。藉由利用蚀刻与机械抛光的组合产生多重雾度来生产纹理玻璃基制品。来生产纹理玻璃基制品。来生产纹理玻璃基制品。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多重雾度的纹理玻璃基制品及其生产方法
[0001]本申请主张2021年11月22日提交的美国临时申请列第63/281,817号及2020年11月30日提交的美国临时申请列第63/119,046号的优先权权益，该些申请各自的内容作为本申请的基础且以全文引用的方式并入本文。


[0002]本说明书总体上涉及纹理玻璃基制品。更具体而言，纹理玻璃基制品具有多重雾度。

技术介绍

[0003]诸如智能电话、平板计算机及穿戴式装置(诸如例如手表及健身追踪器)的携带型电子装置继续变得更小且更复杂。因此，传统上在这种携带型电子装置的至少一个外表面上使用的材料也继续变得更复杂。例如，随着携带型电子装置变得愈来愈小及愈来愈薄以满足消费者的需求，这些携带型电子装置中使用的显示器盖及外壳提供多种功能且覆盖多个组件，诸如显示器、照相机及传感器，它们各自可能需要不同的表面性质才能获得最佳功能性。
[0004]因此，需要不同区域具有不同表面性质的材料及用于制造这种材料的方法。

技术实现思路

[0005]根据方面(1)，提供一种方法。方法包括：对玻璃基基板的表面进行纹理化，以产生具有第一厚度t1、第一表面粗糙度R
a1
及第一雾度H1的纹理玻璃基基板；以及抛光纹理玻璃基基板的表面的区域以产生玻璃基制品，该玻璃基制品具有表面，该表面包括具有第二厚度t2、第二表面粗糙度R
a2
及第二雾度H2的抛光区域，其中R
a1
＞R
a2
，H1＞H2，t1＞t2，且玻璃基制品包括具有t1、R
a1
及H1的区域。
[0006]根据方面(2)，提供方面(1)的方法，其中纹理化自玻璃基基板的表面移除大于或等于5μm且小于或等于50μm。
[0007]根据方面(3)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化包括用蚀刻剂蚀刻玻璃基基板的表面。
[0008]根据方面(4)，提供方面(3)的方法，其中蚀刻剂包括碱金属氢氧化物。
[0009]根据方面(5)，提供方面(3)的方法，其中蚀刻剂包括氢氟酸。
[0010]根据方面(6)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中纹理化包括机械打磨玻璃基基板的表面。
[0011]根据方面(7)，提供方面(6)的方法，其中机械打磨采用包括颗粒的浆料，该颗粒具有大于或等于5μm且小于或等于22μm的粒度，其中颗粒包括Al2O3和CeO2中的至少一者。
[0012]根据方面(8)，提供方面(6)的方法，其中机械打磨采用包括金刚石颗粒的垫，金刚石颗粒具有大于或等于9μm且小于或等于20μm的粒度。
[0013]根据方面(9)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中抛光采用氧化铈浸
渍的抛光工具。
[0014]根据方面(10)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中抛光包括控制由抛光工具施加至玻璃基基板的压力。
[0015]根据方面(11)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中t1‑
t2≤2μm。
[0016]根据方面(12)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中R
a1
大于或等于300nm。
[0017]根据方面(13)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中H1大于或等于30％且小于或等于100％。
[0018]根据方面(14)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中R
a2
大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。
[0019]根据方面(15)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中H2小于或等于0.2％。
[0020]根据方面(16)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，进一步包括：抛光纹理玻璃基基板的表面的额外区域以产生包括额外区域的玻璃基制品，该额外区域具有第三厚度t3、第三表面粗糙度R
a3
及第三雾度H3，其中R
a1
＞R
a3
＞R
a2
，H1＞H3＞H2，且t1＞t3＞t2。
[0021]根据方面(17)，提供方面(16)的方法，其中R
a3
大于或等于10nm且小于或等于300nm。
[0022]根据方面(18)，提供方面(16)至前一方面中任一项的方法，其中H3大于或等于3％且小于或等于30％。
[0023]根据方面(19)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，进一步包括使玻璃基制品与熔融盐浴接触以产生经离子交换的玻璃基制品，其中经离子交换的玻璃基制品包括大于或等于200MPa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。
[0024]根据方面(20)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中自具有厚度t1的区域至具有厚度t2的区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。
[0025]根据方面(21)，提供方面(1)至前一方面中任一项的方法，其中该方法不利用掩模。
[0026]根据方面(22)，提供一种玻璃基制品。该玻璃基制品包括：第一表面区域，其具有第一厚度t1、第一表面粗糙度R
a1
及第一雾度H1；以及第二表面区域，其具有第二厚度t2、第二表面粗糙度R
a2
及第二雾度H2，其中R
a1
＞R
a2
，H1＞H2，且t1＞t2。
[0027]根据方面(23)，提供方面(22)的玻璃基制品，其中0.5μm≤t1‑
t2≤5mm。
[0028]根据方面(24)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中t1‑
t2≤2μm。
[0029]根据方面(25)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中R
a1
大于或等于300nm。
[0030]根据方面(26)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中H1大于或等于30％且小于或等于100％。
[0031]根据方面(27)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中R
a2
大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。
[0032]根据方面(28)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中H2小于或
等于0.2％。
[0033]根据方面(29)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，其中自第一表面区域至第二表面区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。
[0034]根据方面(30)，提供方面(22)至前一方面中任一项的玻璃基制品，进一步包括：第三表面区域，其具有第三厚度t3、第三表面粗糙度R
a3
及第三雾度H3，其中R
a1
＞R
a3
＞R
a2
，H1＞H3＞H2,，且t1＞t3＞t2。
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括以下步骤：对玻璃基基板的表面进行纹理化，以产生具有第一厚度t1、第一表面粗糙度R
a1
及第一雾度H1的纹理玻璃基基板；以及抛光该纹理玻璃基基板的该表面的区域以产生玻璃基制品，该玻璃基制品具有表面，该表面包括具有第二厚度t2、第二表面粗糙度R
a2
及第二雾度H2的抛光区域，其中R
a1
＞R
a2
，H1＞H2，t1＞t2，且该玻璃基制品包括具有t1、R
a1
及H1的区域。2.如权利要求1所述的方法，其中该纹理化的步骤自该玻璃基基板的该表面移除大于或等于5μm且小于或等于50μm。3.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中纹理化包括用蚀刻剂蚀刻玻璃基基板的表面。4.如权利要求3所述的方法，其中蚀刻剂包括碱金属氢氧化物。5.如权利要求3所述的方法，其中蚀刻剂包括氢氟酸。6.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中纹理化包括机械打磨玻璃基基板的表面。7.如权利要求6所述的方法，其中机械打磨采用包括颗粒的浆料，该颗粒具有大于或等于5μm且小于或等于22μm的粒度，其中该颗粒包括Al2O3和CeO2中的至少一者。8.如权利要求6所述的方法，其中机械打磨采用包括金刚石颗粒的垫，金刚石颗粒具有大于或等于9μm且小于或等于20μm的粒度。9.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中抛光采用氧化铈浸渍的抛光工具。10.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中抛光包括控制由抛光工具施加至玻璃基基板的压力。11.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中t1‑
t2≤2μm。12.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中R
a1
大于或等于300nm。13.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中H1大于或等于30％且小于或等于100％。14.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中R
a2
大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。15.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中H2小于或等于0.2％。16.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，进一步包括：抛光纹理玻璃基基板的表面的额外区域以产生包括额外区域的玻璃基制品，该额外区域具有第三厚度t3、第三表面粗糙度R
a3
及第三雾度H3，其中R
a1
＞R
a3
＞R
a2
，H1＞H3＞H2，且t1＞t3＞t2。17.如权利要求16所述的方法，其中R
a3
大于或等于10nm且小于或等于300nm。18.如权利要求16至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中H3大于或等于3％且小于或等于30％。19.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，进一步包括使玻璃基制品与熔融盐浴接触以产生经离子交换的玻璃基制品，其中经离子交换的玻璃基制品包括大于或等于200MPa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。
20.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中自具有厚度t1的区域至具有厚度t2的区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。21.如权利要求1至前一项权利要求中任意一项所述的方法，其中该方法不利用掩模。22.一种玻璃基制品，包括：第一表面区域，其具有第一厚度t1、第一表面粗糙度R
a1
及第一雾度H1；以及第二表面区域，其具有第二厚度t2、第二表面粗糙度R
a2
及第二雾度H2，其中R
a1
＞R
a2
，H1＞H2，且t1＞t2。23.如权利要求22所述的玻璃基制品，其中0.5μm≤t1‑
t2≤5mm。24.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中t1‑
t2≤2μm。25.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中R
a1
大于或等于300nm。26.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中H1大于或等于30％且小于或等于100％。27.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中R
a2
大于或等于0.2nm且小于或等于10nm。28.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中H2小于或等于0.2％。29.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中自第一表面区域至第二表面区域的过渡包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。30.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，进一步包括：第三表面区域，其具有第三厚度t3、第三表面粗糙度R
a3
及第三雾度H3，其中R
a1
＞R
a3
＞R
a2
，H1＞H3＞H2,，且t1＞t3＞t2。31.如权利要求30所述的玻璃基制品，其中R
a3
大于或等于10nm且小于或等于300nm。32.如权利要求30至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中H3大于或等于3％且小于或等于30％。33.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中第二表面区域具有大于或等于1mm且小于或等于20mm的直径。34.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中玻璃基制品包括过渡区域，该过渡区域的特征在于具有厚度t1的区域至具有厚度t2的第二表面区域之间的过渡。35.如权利要求34所述的玻璃基制品，其中过渡区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于8mm的宽度。36.如权利要求34至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中过渡区域包括不垂直于玻璃基制品的表面平面的表面。37.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中第二表面区域包括平坦区域，该平坦区域具有大于或等于0.1mm且小于或等于19.8mm的直径。38.如权利要求37所述的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0.2nm且小于或等于600nm的峰谷值。39.如权利要求37至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中平坦区域具
有大于或等于0.2nm且小于或等于20nm的第二表面粗糙度R
a2
。40.如权利要求37至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0.0001％且小于或等于0.2％的第二雾度H2。41.如权利要求37至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，其中平坦区域具有大于或等于0％且小于或等于0.1％的调变传递函数退化。42.如权利要求22至前一项权利要求中任意一项所述的玻璃基制品，进一步包括大于或等于200MPa的压缩应力及大于或等于10μm的压缩深度。43.一种消费电子产品，包括：外壳，其具有前表面、后表面及侧表面；电学部件，其至少部分地设置在外壳内，电学部件至少包含控制器、内存及显示器，显示器设置在外壳的前表面处或附近；以及覆盖基板，其安置在显示器上方，其中外壳和覆盖基板中的至少一者的至少一部分包括权利要求22...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：