【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】涂层方法及含硅涂层
[0001]本专利技术涉及一种涂层方法,其中借助于激光辐射将材料从载体箔转印到基底上。本专利技术还涉及一种多孔的含硅涂层。
[0002]DE 10 2018 109 337 A1公开了一种用于制造透明导电氧化物涂层,特别是氧化铟锡涂层的方法。在该方法中,将涂覆锡等多层的透明载体物体放置在基底上,以便随后将材料从载体物体转印到基底上。由此在基底上产生的氧化铟锡层(ITO层)具有疏液特性,即使在涂层受到机械应力时也能保持这种特性。
[0003]WO 2016/055166 A2中描述的用于涂覆基底的方法,其也借助于激光工作,提供由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成的载体箔的涂覆。在激光转印之前的方法步骤中,通过物理气相沉积将要通过激光引导转印到基底上的涂层材料沉积在载体箔上。激光辐射以涂层材料仅部分地从载体箔转印到基底上的方式进行。
[0004]在US 2002/0098614 A1中描述的用于激光引导材料转印的方法中,激光器位于发生激光转印的腔室的外部。所述腔室可以是真空容器或充满惰性气体的容器。
[0005]WO 03/080334 A1中详细描述了一种用于永久刻写组件的多层激光转印膜。在这种情况下,除了粘合剂层之外,在载体层上存在至少两个颜料层,其中一个颜料层包含玻璃熔剂颜料而第二个颜料层包含激光敏感颜料。可能的载体材料尤其是PVC薄膜和PET薄膜。
[0006]EP 1 954 507 B1涉及安全特征的激光转印。在这种情况下,建议将不可复制的安全特征加工入层系统中用于标记具有防伪特征的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基底(2)的涂布方法,其具有如下步骤:
‑
提供用硅涂层的透明载体箔(21),
‑
将载体箔(21)的用硅涂层的一侧定位在基底(2)的表面上,
‑
用激光辐射对经涂层的载体箔(21)进行光栅化撞击,由此硅从载体箔(21)点状脱离并在基底(2)上沉积为多孔的、粗糙的、超亲水层(6)。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述激光辐射以单独的光栅点(11)的形式定向于载体箔(21),其中每个光栅点(11)具有归一化直径(D
L
),其如下定义:68.27%的入射功率位于具有归一化直径(D
L
)的圆内,并且两个相邻光栅点(11)之间的平均距离(d
L
)至少为归一化直径(D
L
)的125%且至多为250%。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,通过在载体箔(21)上以光栅化图案形式产生作用的激光辐射将硅主要以液态形式转印到基底(2)上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,为了使形成超亲水层的材料从载体箔(21)转印到基底(2)上,使用具有功率为1.0至6.0W的、频率为10至150kHz,激光速度为500至4000mm/s、激光线间距为0.02至0.3mm的激光辐射。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,在大气条件下用激光辐射照射载体箔(21)。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,在从载体箔(21)到基底(2)上的转印过程中,硅与空气的成分发生反应,使得在基底(2)上形成在硅基上具有氧含量为1%至10%的层(6),以重量%表示。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,为了将激光引导的材料转印到基底(2)上,位于载体箔(21)上的涂层,即数纳米厚的金属层,特别是最大10nm厚的钛层,然后是SiO
x
N
y
层,由激光加热,其中基于硅原子数,所述SiO
x
N
y
层包含范围为0.05<x<0.3和0.05<y<0.4的氧和氮原子含量。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其特征在于,用波长至少为300nm且至多为1,400nm的激光辐射照射载体箔(21)。9.如权利要求1至8中任一项所述的方法,其特征在于,在涂层过程中通过调整激光参数来改变从载体箔(21)转印的层的参数。10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,通过调整激光参数,特别是激光的计时和功率以及激光脉冲的持续时间和激光点或线的间距,在涂层过程中以几何定义的方式产生亲水性和疏水性的涂层区域。11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述至少一个疏水涂层区域是用小于500mm/s的激光速度和大于0.3mm的激光线间距产生的。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法,其特征在于,通过在相同的涂层过程中重复使用相同的载体箔(21)来重复涂覆多孔的、粗糙的、超亲水层(6)。13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,使用载体箔(21)的先前未使用的区域用于重复涂覆超亲水层(6),这意味着其层厚的增加,其中在多次重复涂覆的情况下,每一次重复涂覆过程中仅使用载体箔(21)的先前还未使用的区域。14.根据权利要求1...
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