【技术实现步骤摘要】
一种导电聚合物及其制备方法和应用
[0001]本申请属于导电聚合物领域,涉及一种导电聚合物及其制备方法和电极。
技术介绍
[0002]聚吡咯、聚3,4乙烯二氧噻吩、聚苯胺等导电聚合物,基于赝电容原理具有高的理论比电容量,成为倍受关注的超级电容器等储能器件的电极材料,但是还处于研发阶段,尚未实现商业化。一方面现有技术制备的导电聚合物的比电容量还远小于理论值,甚至低于商业化的活性炭电极材料;另一方面导电聚合物基于赝电容原理,充放电过程伴随着掺杂与脱掺杂,循环特性远差于活性炭、充放电速率也偏小。
[0003]200710017298专利利用电化学方法制备聚吡咯膜,但其在该溶液体系、温度、恒电流模式下制备的聚吡咯膜致密,比表面积小,电解液难以穿过聚吡咯膜的内部,也就是随着聚吡咯膜厚度的增加,所制备的超级电容器比电容量将指数下降。特别是以对甲苯磺酸为支持电解质制备的导电聚合物膜,比电容量较小。
[0004]聚吡咯、聚3,4乙烯二氧噻吩、聚苯胺等导电聚合物也具有良好的屏蔽特性、可应用屏蔽涂层,但目前导电聚合物尚不理想。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种导电聚合物,其特征在于,所述导电聚合物是采用脉冲电压或电流的电化学聚合方法制备得到;所述导电聚合物具有定向生长的三维多级空心柱状结构;所述导电聚合物选自聚吡咯及其衍生物、聚噻吩及其衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚呋喃及其衍生物中的至少一种。2.根据权利要求1所述的导电聚合物,其特征在于,所述导电聚合物选自聚吡咯、聚3,4乙烯二氧噻吩、聚苯胺、聚呋喃中的至少一种所述三维多级空心柱状结构的孔径为0.02~10mm;优选地,所述三维多级空心柱状结构的孔径为0.2~5mm;优选地,所述三维多级空心柱状结构的孔径为0.5~3mm;所述三维多级空心柱状结构的高度为1~100μm;优选地,所述三维多级空心柱状结构的高度为5~50μm;优选地,所述三维多级空心柱状结构的高度为10~20μm。3.一种权利要求1~2任一项所述的导电聚合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:以导电基体为正极,以导电电极为负极,以至少包含导电聚合物单体、支持电解质和溶剂的混合溶液为聚合溶液,在正极与负极之间施加脉冲电压或电流,在导电基体的表面得到所述导电聚合物;所述导电聚合物具有定向生长的三维多级空心柱状结构。4.根据权利要求3所述的导电聚合物的制备方法,其特征在于,所述导电基体选自不锈钢、碳布、石墨纸、石墨烯、镍、铂中的至少一种;所述导电基体的形状选自片状、箔状、网状或纸状;所述导电电极选自选自不锈钢、碳布、石墨纸、石墨烯、镍、铂中的至少一种;所述聚合溶液中,导电聚合物单体选自吡咯及其衍生物、噻吩及其衍生物、苯胺及其衍生物、呋喃及其衍生物中的至少一种;优选地选自吡咯、3,4乙烯二氧噻吩、苯胺、呋喃中的至少一种;所述导电聚合物单体的浓度为0.05~0.7mol/L;优选地,所述导电聚合物单体的浓度为0.1~0.5mol/L;优...
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