交流接触器降温控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种交流接触器降温控制电路，其特征在于：包括电容（Ｃ１－Ｃ４）、可控硅（Ｄ１－Ｄ２）、电阻（Ｒ１－Ｒ６）、整流二极管（Ｖ１－Ｖ７）、电位器（ＫＷ１）、保险（ＦＲ１－ＦＲ２）、控制回路接入端（Ａ）、控制回路接入端（Ｂ），接触器线圈接入端（Ｃ）及接触器线圈接入端（Ｄ）。本实用新型专利技术能降低交流接触器铁芯和线圈的温升，延长交流接触器使用寿命。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种交流接触器降温控制电路，其特征在于：包括电容（Ｃ１－Ｃ４）、可控硅（Ｄ１－Ｄ２）、电阻（Ｒ１－Ｒ６）、整流二极管（Ｖ１－Ｖ７）、电位器（ＫＷ１）、保险（ＦＲ１－ＦＲ２）、控制回路接入端（Ａ）、控制回路接入端（Ｂ），接触器线圈接入端（Ｃ）及接触器线圈接入端（Ｄ），可控硅（Ｄ１）的正极通过保险（ＦＲ１）与控制回路接入端（Ａ）连接，可控硅（Ｄ１）的负极与整流二极管（Ｖ３）的负极、（Ｖ４）的正极连接，可控硅（Ｄ１）的负极通过保险（ＦＲ２）与电容（Ｃ２）、电阻（Ｒ２）连接，电容（Ｃ２）和电阻（Ｒ２）在并连后与电容（Ｃ１）、电阻（Ｒ１）连接，电容（Ｃ１）和电阻（Ｒ１）在并连后与可控硅（Ｄ１）的正极连接；可控硅（Ｄ１）的控制极与整流二极管（Ｖ１）的负极连接，整流二极管（Ｖ１）的正极与可控硅（Ｄ２）的负极连接，电阻（Ｒ３）跨接在可控硅（Ｄ２）的正极和可控硅（Ｄ１）的正极之间，电容（Ｃ３）跨接在可控硅（Ｄ２）的正极和可控硅（Ｄ１）的正极之间，可控硅（Ｄ２）的控制极通过电阻（Ｒ６）与电位器（ＫＷ１）的输出端连接，可控硅（Ｄ２）的正极通过电阻（Ｒ４）与整流二极管（Ｖ２）的正极连接；整流二极管（Ｖ２）的负极通过电容（Ｃ４）与电位器（ＫＷ１）的输入端连接，电阻（Ｒ５）并连在电容（Ｃ４）的两端，电位器（ＫＷ１）的输入端与电位器（ＫＷ１）的调节端连接；整流二极管（Ｖ３）的正极与整流二极管（Ｖ７）的正极，整流二极管（Ｖ５）的正极，接触器线圈接入端（Ｃ）连接；整流二极管（Ｖ４）的负极与整流二极管（Ｖ６）的负极，整流二极管（Ｖ７）的负极，接触器线圈接入端（Ｄ）连接；整流二极管（Ｖ５）负极与整流二极管（Ｖ６）的正极，控制回路接入端（Ｂ）连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何成立，许永昌，张兴林，
申请(专利权)人：瓮福集团有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：52[中国|贵州]