一种用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，包括以下步骤：采用稀硝酸对硅胶进行活化处理；将活化后的硅胶和硝酸汞/硝酸铋溶液依次加入三维混合机中进行浸渍处理；将浸渍后的硅胶置于鼓风干燥箱中进行烘干处理，得到所述的汞与铋共修饰硅胶。本发明专利技术的汞与铋共修饰硅胶对碘吸附能力强，成本低，制备工艺简单，可应用于核工业系统中放射性气态碘的净化处理。中放射性气态碘的净化处理。中放射性气态碘的净化处理。

【技术实现步骤摘要】
一种用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法


[0001]本专利技术属于核工业及材料制备
，更具体地说，本专利技术涉及一种用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法。

技术介绍

[0002]核能作为低碳高效的绿色能源，积极发展核电已成为我国能源战略的重要内容。目前，我国并网核电机组数量、总装机容量，仅次于美国和法国，且有望2024年超过法国，攀升至世界第二位。值得关注的是，随着我国核能规模化发展，核电站乏燃料产生量也日益增加。在国家实行的有关政策下，对乏燃料进行后处理尤显重要。我国主要采取湿法后处理工艺，在此过程中会产生大量的含碘
‑
129放射性废气，主要包括无机碘(
129
I2)和有机碘(CH
3129
I)，必须对其进行净化处理。目前，国内外均以银基净化材料为主，包括敷银硅胶、敷银沸石、敷银氧化铝等，虽然性能优良，但受银的影响较大，导致价格昂贵。因此，设计开发新型碘
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129净化材料具有十分重要的现实意义。

技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、采用稀硝酸对硅胶进行活化处理；步骤二、将活化后的硅胶和硝酸汞/硝酸铋溶液依次加入三维混合机中进行浸渍处理；步骤三、将浸渍后的硅胶置于鼓风干燥箱中进行烘干处理，得到所述的汞与铋共修饰硅胶。2.如权利要求1所述的用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述稀硝酸的质量浓度为3～5％；所述硅胶为耐水硅胶。3.如权利要求1所述的用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述硅胶和稀硝酸的质量体积比为1:5～1:10g/mL。4.如权利要求1所述的用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，采用稀硝酸对硅胶进行活化处理的具体方法包括：将所述硅胶置于稀硝酸中80～100℃搅拌处理2～4h。5.如权利要求1所述的用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，所述步骤二中，所述硝酸汞/硝酸铋溶液为硝酸汞水合物和硝酸铋水合物的稀硝酸溶液，所述稀硝酸溶液中，硝酸与水的体积比例为1:9～1:14；所述硝酸汞/硝酸铋溶液中硝酸汞的浓度为300～360g/L，硝酸铋的浓度为100～120g/L；所述步骤二中，所述活化后的硅胶和硝酸汞/硝酸铋溶液的体积比为0.8～1；所述活化后的硅胶和硝酸汞/硝酸铋溶液依次加入三维混合机中进行浸渍处理，浸渍处理的条件为室温条件下浸渍处理4～8h，室温温度范围为15～35℃。6.如权利要求1所述的用于净化放射性气态碘的汞与铋共修饰硅胶的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，采用稀硝酸对硅胶进行搅拌活化处理后，还包括进行过滤、洗涤和烘干，所述洗涤具体是采用去离子水洗涤，洗涤的次数为1～3次；所述烘干具体为在空气气氛下100～130℃干燥处理24～48h；所述步骤三中，将浸渍后的硅胶置于鼓风干燥箱中进行烘干处理，烘干为在空气气氛下130℃处理24h。7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹浩，樊燕妮，游万江，宋仕龙，雷浩，程佳佳，潘宁，王孝强，段涛，朱琳，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：