聚合物及其制备方法、组合物、聚酰亚胺薄膜技术

技术编号:38864199 阅读:24 留言:0更新日期:2023-09-17 10:04
本发明专利技术涉及聚酰亚胺技术领域,具体提供了聚合物及其制备方法、组合物、聚酰亚胺薄膜。本发明专利技术的聚合物如式1所示,式1中,n为10~100的整数;A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;R1、R2独立选自氢、烷基、环烷基、芳基中的一种或多种;R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种。本发明专利技术采用含有端羧基结构的酸酐,对聚酰亚胺封端形成含有羧基的低聚物预聚体,再引入含有端羟基的芳香醇,形成酯基结构,得到聚酯酰亚胺,该材料具有更低的介电常数和较高的胶粘性,将聚酰亚胺应用于热塑性聚酰亚胺(TPI)中,耐压合温度更低。耐压合温度更低。

【技术实现步骤摘要】
聚合物及其制备方法、组合物、聚酰亚胺薄膜


[0001]本专利技术涉及聚酰亚胺
,更具体地说,涉及聚合物及其制备方法、组合物、聚酰亚胺薄膜。

技术介绍

[0002]传统的作为电路板绝缘粘接层采用环氧树脂胶膜,环氧树脂固化物中含有大量的羟基,可以提供对铜箔和其他绝缘基材的粘接强度。这种极性基团,虽然粘接强度高,但是也具有很高的介电常数、介电损耗,难以适应高频信号传输的性能需求。
[0003]聚酰亚胺(PI)薄膜在集成电路产业中已经应用多年,易于结构设计,性能改进空间大。现有技术中,为了降低聚合物绝缘粘接材料的介电常数和介电损耗,需要大量采用低极性基团,但是低极性物质,往往造成绝缘材料对铜电路和其他绝缘基材粘接性能的降低,二者难以兼得。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本专利技术的目的在于提供聚合物及其制备方法、组合物、聚酰亚胺薄膜,本专利技术采用含有端羧基结构的酸酐,对聚酰亚胺封端形成含有羧基的低聚物预聚体,再引入含有端羟基的芳香醇,形成酯基结构,得到聚酯酰亚胺,该材料具有更低的介电常数和较高的胶粘性,将聚酰亚胺应用于热塑性聚酰亚胺(TPI)中,耐压合温度更低。
[0005]为了实现上述目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0006]如式1所示的聚合物,
[0007][0008]式1中,n为10~100的整数;
[0009]A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0010]R1、R2独立选自氢、烷基、环烷基、芳基中的一种或多种;
[0011]R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0012]Z1、Z2独立选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基中的一种或多种。
[0013]在本专利技术的式1中,A选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;
[0014]R1、R2独立选自氢、C1~C10的饱和脂肪烃基;R1、R2优选为氢;
[0015]R选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;
[0016]Z1、Z2独立选自氢、C1~C6烷基、C1~C6环烷基、C6~C10芳基中的一种或多种;Z1、Z2优选为氢。
[0017]在本专利技术的一些实施例中,所述聚合物具体为
[0018][0019]上述聚合物,n1和n2之和为10~100;玻璃化转变温度约40℃~140℃,重均分子量(是指利用凝胶渗透色谱法)为100以上且小于1000。
[0020]本专利技术还提供了上述聚合物的制备方法,包括:
[0021](1)将式2所示的二元胺和式3所示的二元酸酐混合,进行酰胺化反应,再与式4所示的酸酐混合反应,形成式5所示的化合物;
[0022]NH2‑
R

NH2ꢀꢀ
式2;
[0023]式2中,R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0024][0025]式3中,A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0026][0027]式4中,Z选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基中的一种或多种;
[0028][0029]式5中,n为10~100的整数;
[0030]A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0031]R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
[0032]Z1、Z2独立选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基中的一种或多种;
[0033](2)将式5所示的化合物与式6所示的化合物混合反应,得到聚酰亚胺;
[0034][0035]式6中,R1、R2独立选自氢、烷基、环烷基、芳基中的一种或多种。
[0036]在本专利技术的式5中,A选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;
[0037]R选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;
[0038]Z1、Z2独立选自氢、C1~C6烷基、C1~C6环烷基、C6~C10芳基中的一种或多种;Z1、Z2优选为氢。
[0039]在本专利技术的式4中,Z优选为氢;式4所示的酸酐优选为偏苯三酸酐;在本专利技术的式6中,R1、R2选自氢、C1~C10的饱和脂肪烃基;R1、R2优选为氢;式6所示的化合物优选为(1,1'

联苯基)

4,4'

二醇。
[0040]本专利技术制备聚酰亚胺的聚合单体二元酸酐,可以使用各种公知的二元酸酐。
[0041]具体地,二元酸酐可以举出例如:均苯四甲酸二酐、3,4,3',4'

联苯四甲酸二酐、2,3,3',4'

联苯四甲酸二酐、2,3,2',3'

联苯四甲酸二酐、3,4,3',4'

二苯甲酮四甲酸二酐、2,3,3',4'

二苯甲酮四甲酸二酐、3,4,3',4'

二苯醚四甲酸二酐、2,3,3',4'

二苯醚四甲酸二酐、3,4,3',4'

二苯砜四甲酸二酐、2,3,3',4'

二苯砜四甲酸二酐、1,4,5,8

萘四甲酸二酐、2,2

双(3,4

二羧基苯基)丙烷二酐、1,4

二(3,4

二羧基苯氧)苯基二酐、1,3

二(3,4

二羧基苯氧)苯基二酐、3,4

二羧基苯甲酸

(3,4

二羧基苯酚)酯二酐和2,2

双[4

(3,4

二羧基苯氧)苯基]丙烷二酐等芳香二酐;2,2

双(3,4

二羧基苯基)六氟丙烷二酐等含氟芳香二酐;环己烷四羧酸二酐、环丁烷四羧酸二酐等含脂环结构的二酐;也可以是上述二种以上的组合。
[0042]在本专利技术的实施例中,二元酸酐优选为3,4,3',4'

联苯四甲酸二酐、3,4,3',4'

二苯醚四甲酸二酐、2,2

双(3,4

二羧基苯基)六氟丙烷二酐、1,4

二(3,4

二羧基苯氧)苯基二酐、1,3

二(3,4

二羧基苯氧)苯基二酐、和2,2

双[4

(3,4

二羧基苯氧)苯基]丙烷二酐中的一种或多本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.如式1所示的聚合物,式1中,n为10~100的整数;A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;R1、R2独立选自氢、烷基、环烷基、芳基中的一种或多种;R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;Z1、Z2独立选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基中的一种或多种。2.根据权利要求1所述的聚合物,其特征在于,式1中,A选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;R1、R2独立选自氢、C1~C10的饱和脂肪烃基;R选自取代或未取代的C6~C40芳基、取代或未取代的C3~C20脂肪环;Z1、Z2独立选自氢、C1~C6烷基、C1~C6环烷基、C6~C10芳基中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的聚合物,其特征在于,其为3.根据权利要求1所述的聚合物,其特征在于,其为4.如权利要求1

3任一项所述的聚合物的制备方法,其特征在于,包括:(1)将式2所示的二元胺和式3所示的二元酸酐混合,进行酰胺化反应,再与式4所示的酸酐混合反应,形成式5所示的化合物;NH2‑
R

NH2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
式2;式2中,R选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;
式3中,A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪族基团中的一种或多种;式4中,Z选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基中的一种或多种;式5中,n为10~100的整数;A选自取代或未取代的芳香族烃基、饱和或不饱和脂肪...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭海泉马姣姣杨正华时舜傅轶
申请(专利权)人:中国科学院长春应用化学研究所
类型:发明
国别省市:

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